公开(公告)号：US08658051B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US12119275

申请日：2008-05-12

申请人： Kuo-Yao Cho ,  Wen-Bin Wu ,  Ya-Chih Wang ,  Chiang-Lin Shih ,  Chao-Wen Lay ,  Chih-Huang Wu

发明人： Kuo-Yao Cho ,  Wen-Bin Wu ,  Ya-Chih Wang ,  Chiang-Lin Shih ,  Chao-Wen Lay ,  Chih-Huang Wu

IPC分类号： C23F1/00 ,  B44C1/22 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： A method of improving lithography resolution on a semiconductor, including the steps of providing a substrate on which a protecting layer, a first etching layer and a photoresist layer are sequentially formed; patterning the photoresist layer to form an opening so as to partially reveal the first etching layer; implanting a first ion into the revealed first etching layer to form a first doped area; and implanting a second ion into the revealed first etching layer to form a second doped area, wherein the first doped area is independent from the second doped area is provided.

摘要翻译： 一种改善半导体上的光刻分辨率的方法，包括提供其上依次形成保护层，第一蚀刻层和光致抗蚀剂层的基板的步骤; 图案化光致抗蚀剂层以形成开口，以便部分地露出第一蚀刻层; 将第一离子注入到所揭示的第一蚀刻层中以形成第一掺杂区域; 以及将第二离子注入到所揭示的第一蚀刻层中以形成第二掺杂区域，其中所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域无关。

公开(公告)号：US08368869B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12211809

申请日：2008-09-16

申请人： Wei-Cheng Shiu ,  Ya-Chih Wang

发明人： Wei-Cheng Shiu ,  Ya-Chih Wang

IPC分类号： G02B6/04 ,  G02B6/06 ,  G03B27/42 ,  G03B27/54 ,  F21V7/04

CPC分类号： G03B27/42 ,  G03F7/70325

摘要： A lithography apparatus with an optical fiber module includes: a light source, a photo mask positioned under the light source, a lens positioned under the photo mask, a wafer stage positioned under the lens for supporting the wafer, wherein the wafer includes a dry film. The lithography apparatus further includes an optical fiber module having a front surface facing away from the lens, wherein a gap is between the front surface and the dry film and the gap is smaller than the wavelength of the light source. The DUV (deep ultraviolet) can pass through the optical fiber module. The present invention features a gap smaller than the wavelength of the light source, creating a near-field effect with improved resolution.

摘要翻译： 具有光纤模块的光刻设备包括：光源，位于光源下方的光掩模，位于光掩模下方的透镜，位于透镜下方的用于支撑晶片的晶片台，其中晶片包括干膜 。 光刻设备还包括具有背离透镜的前表面的光纤模块，其中在前表面和干膜之间存在间隙，并且间隙小于光源的波长。 DUV（深紫外线）可以通过光纤模块。 本发明的特征在于具有小于光源的波长的间隙，产生了具有改善的分辨率的近场效应。

公开(公告)号：US08216946B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US12490311

申请日：2009-06-23

申请人： Wei-Cheng Shiu ,  Hai-Han Hung ,  Ya-Chih Wang ,  Chien-Mao Liao ,  Shing-Yih Shih

发明人： Wei-Cheng Shiu ,  Hai-Han Hung ,  Ya-Chih Wang ,  Chien-Mao Liao ,  Shing-Yih Shih

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： A patterning method has a mask layer and undoped patterns sequentially formed on a target layer. A doping process is performed to surfaces of the undoped patterns to form doped patterns from the surfaces of the undoped patterns. A material is filled in the gaps between the doped patterns. A portion of the doped patterns are then removed to expose the top surfaces of the remaining undoped patterns. The material and the exposed undoped patterns are removed. A portion of the mask layer is removed using the remaining doped patterns as a mask to form a first pattern on the mask layer. A portion of the target layer is removed using the mask layer having the first pattern thereon as a mask so as to form on the target layer a second pattern complementary to the first pattern.

摘要翻译： 图案化方法具有顺序形成在目标层上的掩模层和未掺杂图案。 对未掺杂图案的表面进行掺杂工艺以从未掺杂图案的表面形成掺杂图案。 材料填充在掺杂图案之间的间隙中。 然后去除部分掺杂图案以露出剩余未掺杂图案的顶表面。 材料和暴露的未掺杂图案被去除。 使用剩余的掺杂图案作为掩模去除掩模层的一部分，以在掩模层上形成第一图案。 使用其上具有第一图案的掩模层作为掩模去除目标层的一部分，以在目标层上形成与第一图案互补的第二图案。

公开(公告)号：US20100323521A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12490311

申请日：2009-06-23

申请人： Wei-Cheng Shiu ,  Hai-Han Hung ,  Ya-Chih Wang ,  Chien-Mao Liao ,  Shing-Yih Shih

发明人： Wei-Cheng Shiu ,  Hai-Han Hung ,  Ya-Chih Wang ,  Chien-Mao Liao ,  Shing-Yih Shih

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： A patterning method has a mask layer and undoped patterns sequentially formed on a target layer. A doping process is performed to surfaces of the undoped patterns to form doped patterns from the surfaces of the undoped patterns. A material is filled in the gaps between the doped patterns. A portion of the doped patterns are then removed to expose the top surfaces of the remaining undoped patterns. The material and the exposed undoped patterns are removed. A portion of the mask layer is removed using the remaining doped patterns as a mask to form a first pattern on the mask layer. A portion of the target layer is removed using the mask layer having the first pattern thereon as a mask so as to form on the target layer a second pattern complementary to the first pattern.

摘要翻译： 图案化方法具有顺序形成在目标层上的掩模层和未掺杂图案。 对未掺杂图案的表面进行掺杂工艺以从未掺杂图案的表面形成掺杂图案。 材料填充在掺杂图案之间的间隙中。 然后去除部分掺杂图案以露出剩余未掺杂图案的顶表面。 材料和暴露的未掺杂图案被去除。 使用剩余的掺杂图案作为掩模去除掩模层的一部分，以在掩模层上形成第一图案。 使用其上具有第一图案的掩模层作为掩模去除目标层的一部分，以在目标层上形成与第一图案互补的第二图案。

公开(公告)号：US20090155699A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12128617

申请日：2008-05-29

申请人： Kuo-Kuei Fu ,  Yuan-Hsun Wu ,  Ya-Chih Wang

发明人： Kuo-Kuei Fu ,  Yuan-Hsun Wu ,  Ya-Chih Wang

IPC分类号： G03F1/14 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F1/34 ,  G03F1/28 ,  G03F7/2022

摘要： A phase-shift mask for forming a pattern includes a glass substrate and a pattern, a first phase-shift region, a second phase-shift region and a third phase-shift region on the glass substrate. The first phase-shift region and the second phase-shift region are alternately arranged and the third phase-shift regions are formed at the terminal ends of the first phase-shift region.

摘要翻译： 用于形成图案的相移掩模包括在玻璃基板上的玻璃基板和图案，第一相移区域，第二相移区域和第三相移区域。 交替布置第一相移区域和第二相移区域，并且在第一相移区域的末端形成第三相移区域。

公开(公告)号：US08697316B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13492934

申请日：2012-06-11

申请人： Ya-Chih Wang ,  Hai-Han Hung ,  Wen-Chieh Wang

发明人： Ya-Chih Wang ,  Hai-Han Hung ,  Wen-Chieh Wang

IPC分类号： G03F1/38

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

摘要： A hard mask spacer structure includes a first spacer on a device layer, the first spacer defining a plurality of hole patterns and at least an asteriated hole pattern between the hole patterns; and a second spacer on the first spacer and inlaid into the asteriated hole pattern, thereby rounding the asteriated hole pattern.

摘要翻译： 硬掩模间隔结构包括在器件层上的第一间隔物，第一间隔物限定多个孔图案，并且在孔图案之间至少形成一个空心孔图案; 以及在第一间隔件上的第二间隔件，并嵌入到空心孔图案中，从而使空心孔图案四舍五入。

公开(公告)号：US20130330660A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13492934

申请日：2012-06-11

申请人： Ya-Chih Wang ,  Hai-Han Hung ,  Wen-Chieh Wang

发明人： Ya-Chih Wang ,  Hai-Han Hung ,  Wen-Chieh Wang

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/46

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

摘要： A hard mask spacer structure includes a first spacer on a device layer, the first spacer defining a plurality of hole patterns and at least an asteriated hole pattern between the hole patterns; and a second spacer on the first spacer and inlaid into the asteriated hole pattern, thereby rounding the asteriated hole pattern.

摘要翻译： 硬掩模间隔结构包括在器件层上的第一间隔物，第一间隔物限定多个孔图案，并且在孔图案之间至少形成一个空心孔图案; 以及在第一间隔件上的第二间隔件，并嵌入到空心孔图案中，从而使空心孔图案四舍五入。

公开(公告)号：US20100020298A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12211809

申请日：2008-09-16

申请人： Wei-Cheng Shiu ,  Ya-Chih Wang

发明人： Wei-Cheng Shiu ,  Ya-Chih Wang

IPC分类号： G03B27/42

CPC分类号： G03B27/42 ,  G03F7/70325

摘要： A lithography apparatus with an optical fiber module includes: a light source, a photo mask positioned under the light source, a lens positioned under the photo mask, a wafer stage positioned under the lens for supporting the wafer, wherein the wafer includes a dry film. The lithography apparatus further includes an optical fiber module having a front surface facing away from the lens, wherein a gap is between the front surface and the dry film and the gap is smaller than the wavelength of the light source. The DUV (deep ultraviolet) can pass through the optical fiber module. The present invention features a gap smaller than the wavelength of the light source, creating a near-field effect with improved resolution.

摘要翻译： 具有光纤模块的光刻设备包括：光源，位于光源下方的光掩模，位于光掩模下方的透镜，位于透镜下面用于支撑晶片的晶片台，其中晶片包括干膜 。 光刻设备还包括具有背离透镜的前表面的光纤模块，其中在前表面和干膜之间存在间隙，并且间隙小于光源的波长。 DUV（深紫外线）可以通过光纤模块。 本发明的特征在于具有小于光源的波长的间隙，产生了具有改善的分辨率的近场效应。

公开(公告)号：US20090233448A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12119275

申请日：2008-05-12

申请人： Kuo-Yao CHO ,  Wen-Bin WU ,  Ya-Chih WANG ,  Chiang-Lin SHIH ,  Chao-Wen LAY ,  Chih-Huang WU

发明人： Kuo-Yao CHO ,  Wen-Bin WU ,  Ya-Chih WANG ,  Chiang-Lin SHIH ,  Chao-Wen LAY ,  Chih-Huang WU

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： A method of improving lithography resolution on a semiconductor, including the steps of providing a substrate on which a protecting layer, a first etching layer and a photoresist layer are sequentially formed; patterning the photoresist layer to form an opening so as to partially reveal the first etching layer; implanting a first ion into the revealed first etching layer to form a first doped area; and implanting a second ion into the revealed first etching layer to form a second doped area, wherein the first doped area is independent from the second doped area is provided.

摘要翻译： 一种改善半导体上的光刻分辨率的方法，包括提供其上依次形成保护层，第一蚀刻层和光致抗蚀剂层的基板的步骤; 图案化光致抗蚀剂层以形成开口，以便部分地露出第一蚀刻层; 将第一离子注入到所揭示的第一蚀刻层中以形成第一掺杂区域; 以及将第二离子注入到所揭示的第一蚀刻层中以形成第二掺杂区域，其中所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域无关。

公开(公告)号：US06998226B2

公开(公告)日：2006-02-14

申请号：US10193464

申请日：2002-07-10

申请人： Yuan-Hsun Wu ,  Wen-Bin Wu ,  Yung Long Hung ,  Ya Chih Wang

发明人： Yuan-Hsun Wu ,  Wen-Bin Wu ,  Yung Long Hung ,  Ya Chih Wang

IPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/168 ,  G03F7/091 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/38 ,  Y10S430/151

摘要： A method of forming a patterned photoresist layer. First, an anti-reflection coating layer is formed on a substrate. Next, a first bake is performed. A photoresist layer is then formed on the anti-reflection coating layer. Exposure is performed. A second bake is performed, wherein the temperature difference between the first bake and the second bake is about 35 ° C.˜55 ° C. Finally, development is performed. The patterned photoresist layer features have perfect profiles in accordance with this invention.

摘要翻译： 形成图案化光致抗蚀剂层的方法。 首先，在基板上形成防反射涂层。 接下来，进行第一烘焙。 然后在抗反射涂层上形成光致抗蚀剂层。 曝光进行。 进行第二烘烤，其中第一烘烤和第二烘烤之间的温度差为约35℃〜55℃。最后，进行显影。 图案化的光致抗蚀剂层特征具有根据本发明的完美的轮廓。