公开(公告)号：US20160322519A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：US15107901

申请日：2014-12-12

Applicant: AMS AG

Inventor： Franz SCHRANK ,  Sara CARNIELLO ,  Hubert ENICHLMAIR ,  Jochen KRAFT ,  Bernhard LOEFFLER ,  Rainer HOLZHAIDER

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

Abstract: A dielectric layer (2) is arranged on the main surface (10) of a semiconductor substrate (1), and a passivation layer (6) is arranged on the dielectric layer. A metal layer (3) is embedded in the dielectric layer above an opening (12) in the substrate, and a metallization (14) is arranged in the opening. The metallization contacts the metal layer and forms a through-substrate via to a rear surface (11) of the substrate. A layer or layer sequence (7, 8, 9) comprising at least one further layer is arranged on the passivation layer above the opening. In this way the bottom of the through-substrate via is stabilized. A plug (17) may additionally be arranged in the opening without filling the opening.

Abstract translation: 在半导体衬底（1）的主表面（10）上布置介电层（2），并且在介质层上布置钝化层（6）。 金属层（3）嵌入基板中的开口（12）上方的电介质层中，并且金属化层（14）布置在开口中。 金属化接触金属层，并通过基板的后表面（11）形成贯穿基板。 包含至少一个另外的层的层或层序列（7,8,9）布置在开口上方的钝化层上。 以这种方式，穿透基底通孔的底部是稳定的。 插头（17）还可以布置在开口中而不填充开口。

公开(公告)号：US20170074725A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：US15341963

申请日：2016-11-02

Applicant: ams AG

Inventor： Georg ROEHRER ,  Sara CARNIELLO

IPC: G01J5/02 ,  G01J5/20

CPC classification number: G01J5/02 ,  G01J5/20

Abstract: A bolometer (10) comprises a first and a second suspension beam (12, 13) and a semiconductor portion (11) that is suspended by the first and the second suspension beam (12, 13) and comprises a first region (17) of a first conductivity type and a second region (18) of a second conductivity type. The first region (17) comprises a first triangle (21) or at least two stripes (40, 41) or islands (60, 61) which each contribute to a non-short-circuited diode (20) with the second region (18).

Abstract translation: 测辐射热计（10）包括由第一和第二悬架梁（12,13）悬挂的第一和第二悬架梁（12,13）和半导体部分（11），并且包括第一区域（17） 第一导电类型和第二导电类型的第二区域（18）。 第一区域（17）包括第一三角形（21）或至少两条条纹（40,41）或岛状物（60,61），其中每个有助于具有第二区域（18）的非短路二极管（20） ）。

公开(公告)号：US20170062504A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：US15119377

申请日：2015-02-10

Applicant: ams AG

Inventor： Rainer MINIXHOFER ,  Martin SCHREMS ,  Sara CARNIELLO

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/3269 ,  H01L31/02016 ,  H01L31/0203 ,  H01L2924/1815

Abstract: The semiconductor device comprises a semiconductor substrate (1), a sensor or sensor array (2) arranged at a main surface (10) of the substrate, an integrated circuit (3) arranged at or above the main surface, and a focusing element (17) comprising recesses (4) formed within a further main surface (11) of the substrate opposite the main surface. The focusing element may be arranged opposite the sensor or sensor array (2), which may be a photosensor or photodetector or an array of photosensors or photodetectors, for instance. The focusing element (17) is formed by etching the recesses (4) into the semiconductor material.

Abstract translation: 半导体器件包括半导体衬底（1），布置在衬底的主表面（10）处的传感器或传感器阵列（2），布置在主表面上或上方的集成电路（3）和聚焦元件 17）包括形成在与主表面相对的基板的另一主表面（11）内的凹部（4）。 聚焦元件可以布置成与传感器或传感器阵列（2）相对，例如可以是光电传感器或光电检测器或光电传感器或光电探测器阵列。 通过将凹部（4）蚀刻成半导体材料形成聚焦元件（17）。