公开(公告)号：US07588803B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11047785

申请日：2005-02-01

申请人： Alexandros T. Demos ,  Li-Qun Xia ,  Tzu-Fang Huang ,  Wen H. Zhu

发明人： Alexandros T. Demos ,  Li-Qun Xia ,  Tzu-Fang Huang ,  Wen H. Zhu

IPC分类号： B05D3/06 ,  C08J7/18 ,  C23C14/30 ,  G21G1/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76825

摘要： According to one embodiment of the invention, a method of modifying a mechanical, physical and/or electrical property of a dielectric layer comprises exposing the dielectric layer to a first dose of electron beam radiation at a first energy level; and thereafter, exposing the dielectric layer to a second dose of electron beam radiation at a second energy level that is different from the first energy level.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，一种修改电介质层的机械，物理和/或电学性能的方法包括：以第一能级将介电层暴露于第一剂量的电子束辐射; 之后，在不同于第一能级的第二能级处将电介质层暴露于第二剂量的电子束辐射。

公开(公告)号：US07115508B2

公开(公告)日：2006-10-03

申请号：US10816606

申请日：2004-04-02

申请人： Sohyun Park ,  Wen H. Zhu ,  Tzu-Fang Huang ,  Li-Qun Xia ,  Hichem M'Saad

发明人： Sohyun Park ,  Wen H. Zhu ,  Tzu-Fang Huang ,  Li-Qun Xia ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76829 ,  Y10S438/913

摘要： A method for seasoning a chamber and depositing a low dielectric constant layer on a substrate in the chamber is provided. In one aspect, the method includes seasoning the chamber with a first mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more oxidizing gases and depositing a low dielectric constant layer on a substrate in the chamber from a second mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more oxidizing gases, wherein a ratio of the total flow rate of the organosilicon compounds to the total flow rate of the oxidizing gases in the first mixture is lower than the total flow rate of the organosilicon compounds to the total flow rate of the oxidizing gases in the second mixture.

摘要翻译： 提供了调节室的方法和在室中的基板上沉积低介电常数层。 在一个方面，所述方法包括用包含一种或多种有机硅化合物和一种或多种氧化性气体的第一混合物来调节室，并且从室内的衬底上沉积低介电常数层，所述第二混合物包含一种或多种有机硅化合物和 一种或多种氧化性气体，其中有机硅化合物的总流量与第一混合物中的氧化气体的总流量的比率低于有机硅化合物的总流量与氧化物的总流量的比率 第二混合物中的气体。

公开(公告)号：US06699784B2

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：US10096503

申请日：2002-03-12

申请人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang ,  Tzu-Fang Huang ,  Wen H. Zhu

发明人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang ,  Tzu-Fang Huang ,  Wen H. Zhu

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/31144 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

摘要： A method for depositing a silicon oxycarbide hard mask on a low k dielectric layer is provided. Substrates containing a silicon oxycarbide hard mask on a low k dielectric layer are also disclosed. The silicon oxycarbide hard mask may be formed by a processing gas comprising a siloxane.

摘要翻译： 提供了一种在低k电介质层上沉积碳氧化硅硬掩模的方法。 还公开了在低k电介质层上含有碳氧化硅硬掩模的衬底。 硅碳化硅硬掩模可以由包含硅氧烷的处理气体形成。

公开(公告)号：US07700486B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11424723

申请日：2006-06-16

申请人： Sohyun Park ,  Wen H. Zhu ,  Tzu-Fang Huang ,  Li-Qun Xia ,  Hichem M'Saad

发明人： Sohyun Park ,  Wen H. Zhu ,  Tzu-Fang Huang ,  Li-Qun Xia ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/44 ,  G01F7/00

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76829 ,  Y10S438/913

摘要： A method for seasoning a chamber and depositing a low dielectric constant layer on a substrate in the chamber is provided. In one aspect, the method includes seasoning the chamber with a first mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more oxidizing gases and depositing a low dielectric constant layer on a substrate in the chamber from a second mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more oxidizing gases, wherein a ratio of the total flow rate of the organosilicon compounds to the total flow rate of the oxidizing gases in the first mixture is lower than the total flow rate of the organosilicon compounds to the total flow rate of the oxidizing gases in the second mixture.

摘要翻译： 提供了调节室的方法和在室中的基板上沉积低介电常数层。 在一个方面，所述方法包括用包含一种或多种有机硅化合物和一种或多种氧化性气体的第一混合物来调节室，并且从室内的衬底上沉积低介电常数层，所述第二混合物包含一种或多种有机硅化合物和 一种或多种氧化性气体，其中有机硅化合物的总流量与第一混合物中的氧化气体的总流量的比率低于有机硅化合物的总流量与氧化物的总流量的比率 第二混合物中的气体。