公开(公告)号：US06992391B2

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US09968459

申请日：2001-09-28

申请人： Andrew Ott ,  Lawrence Wong ,  Patrick Morrow ,  Jihperng Leu ,  Grant M. Kloster

发明人： Andrew Ott ,  Lawrence Wong ,  Patrick Morrow ,  Jihperng Leu ,  Grant M. Kloster

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76807 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A dual-damascene process where first alternate ILDs are made of a first material and second alternate ILDs are made of a second material. Each material is etchable at a faster rate than the other in the presence of different etchant such as for an organic polymer and an inorganic low k material. This allows the ILDs to be deposited alternately on one another without an etchant stop layer thereby reducing capacitance.

公开(公告)号：US20050208753A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US11131740

申请日：2005-05-17

申请人： Andrew Ott ,  Lawrence Wong ,  Patrick Morrow ,  Jihperng Leu ,  Grant Kloster

发明人： Andrew Ott ,  Lawrence Wong ,  Patrick Morrow ,  Jihperng Leu ,  Grant Kloster

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76807 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A dual-damascene process where first alternate ILDs are made of a first material and second alternate ILDs are made of a second material. Each material is etchable at a faster rate than the other in the presence of different etchant such as for an organic polymer and an inorganic low k material. This allows the ILDs to be deposited alternately on one another without an etchant stop layer thereby reducing capacitance.

摘要翻译： 双镶嵌工艺，其中第一替代ILD由第一材料制成，第二替代ILD由第二材料制成。 在存在不同的蚀刻剂（例如有机聚合物和无机低k材料）的情况下，每种材料可以以比另一种更快的速度进行刻蚀。 这允许ILD彼此交替沉积而没有蚀刻剂停止层，从而降低电容。

公开(公告)号：US07214594B2

公开(公告)日：2007-05-08

申请号：US10105431

申请日：2002-03-26

申请人： Lawrence D. Wong ,  Jihperng Leu ,  Grant Kloster ,  Andrew Ott ,  Patrick Morrow

发明人： Lawrence D. Wong ,  Jihperng Leu ,  Grant Kloster ,  Andrew Ott ,  Patrick Morrow

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/76 ,  H01L21/265 ,  H01L21/44 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L21/76852 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and apparatus are provided an interconnect cladding layer. In one embodiment, a first sacrificial layer is deposited over a substrate and patterned. In the vias created during the patterning operation, a conductive material is placed to create conductive interconnects. After planarizing the conductive material, the sacrificial layer is removed leaving the interconnect exposed. A cladding layer is then deposited over the conductive material.

摘要翻译： 一种方法和装置设置有互连包层。 在一个实施例中，第一牺牲层沉积在衬底上并被图案化。 在图案化操作期间形成的通孔中，放置导电材料以产生导电互连。 在平坦化导电材料之后，去除牺牲层，使互连体暴露。 然后在导电材料上沉积包覆层。

公开(公告)号：US07164206B2

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：US09820079

申请日：2001-03-28

申请人： Grant Kloster ,  Jihperng Leu ,  Lawrence Wong ,  Andrew Ott ,  Patrick Marrow

发明人： Grant Kloster ,  Jihperng Leu ,  Lawrence Wong ,  Andrew Ott ,  Patrick Marrow

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a microelectronic device and a structure therein that includes a diffusion barrier layer having a first thickness and a first dielectric constant. An etch stop layer is disposed above and on the diffusion barrier layer. The etch stop layer has a second thickness and a second dielectric constant.

摘要翻译： 本发明涉及微电子器件及其中的结构，其包括具有第一厚度和第一介电常数的扩散阻挡层。 蚀刻停止层设置在扩散阻挡层的上方和上方。 蚀刻停止层具有第二厚度和第二介电常数。

公开(公告)号：US08120114B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US11646764

申请日：2006-12-27

申请人： Andrew Ott ,  Sean King ,  Ajay Sharma

发明人： Andrew Ott ,  Sean King ,  Ajay Sharma

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888

摘要： In one aspect, an apparatus may include a metal gate of a transistor. An etch stop layer may be selectively formed over the metal gate. The etch stop layer may include a metal compound. An insulating layer may be over the etch stop layer. A conductive structure may be included through the insulating layer to the metal gate. Methods of making such transistors are also disclosed.

摘要翻译： 一方面，装置可以包括晶体管的金属栅极。 蚀刻停止层可以选择性地形成在金属栅上。 蚀刻停止层可以包括金属化合物。 绝缘层可以在蚀刻停止层之上。 导电结构可以通过绝缘层包括到金属栅极。 还公开了制造这种晶体管的方法。

公开(公告)号：US20070032675A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11580399

申请日：2006-10-13

申请人： Robert Meagley ,  Michael Goodner ,  Andrew Ott ,  Grant Kloster ,  Michael McSwiney ,  Bob Leet

发明人： Robert Meagley ,  Michael Goodner ,  Andrew Ott ,  Grant Kloster ,  Michael McSwiney ,  Bob Leet

IPC分类号： C04B41/50 ,  C07F7/02

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633

摘要： In one embodiment, the present invention includes introducing a precursor containing hydrocarbon substituents and optionally a second conventional or hydrocarbon-containing precursor into a vapor deposition apparatus; and forming a dielectric layer having the hydrocarbon substituents on a substrate within the vapor deposition apparatus from the precursor(s). In certain embodiments, at least a portion of the hydrocarbon substituents may be later removed from the dielectric layer to reduce density thereof.

摘要翻译： 在一个实施方案中，本发明包括将含有烃取代基的前体和任选的第二常规或含烃前体引入气相沉积设备中; 以及在所述气相沉积设备内的所述前体上形成具有所述烃取代基的介电层。 在某些实施方案中，至少一部分烃取代基可以稍后从介电层去除以降低其密度。

公开(公告)号：US08399317B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US13273771

申请日：2011-10-14

申请人： Andrew Ott ,  Sean King ,  Ajay Sharma

发明人： Andrew Ott ,  Sean King ,  Ajay Sharma

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888

摘要： In one aspect, an apparatus may include a metal gate of a transistor. An etch stop layer may be selectively formed over the metal gate. The etch stop layer may include a metal compound. An insulating layer may be over the etch stop layer. A conductive structure may be included through the insulating layer to the metal gate. Methods of making such transistors are also disclosed.

摘要翻译： 一方面，装置可以包括晶体管的金属栅极。 蚀刻停止层可以选择性地形成在金属栅上。 蚀刻停止层可以包括金属化合物。 绝缘层可以在蚀刻停止层之上。 导电结构可以通过绝缘层包括到金属栅极。 还公开了制造这种晶体管的方法。

公开(公告)号：US20050087517A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10683759

申请日：2003-10-09

申请人： Andrew Ott ,  Ajay Jain ,  Ying Zhou ,  Jessica Xu

发明人： Andrew Ott ,  Ajay Jain ,  Ying Zhou ,  Jessica Xu

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention forms a graded modified layer in a substrate by exposing the substrate to hydrogen plasma. Methyl groups may be removed from carbon doped oxide in the substrate by the hydrogen plasma treatment. This may result in a stronger interface between the substrate and an etch stop layer on the substrate.

摘要翻译： 本发明通过将衬底暴露于氢等离子体而在衬底中形成渐变改性层。 甲基可以通过氢等离子体处理从基底中的掺碳氧化物中除去。 这可能导致衬底和衬底上的蚀刻停止层之间的更强的界面。

公开(公告)号：US06645877B2

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US10059903

申请日：2002-01-28

申请人： Andrew Ott ,  Jennifer L. O'Loughlin

发明人： Andrew Ott ,  Jennifer L. O'Loughlin

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/67276 ,  C23C16/54 ,  C30B25/02 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/137

摘要： A method for operating a multi-station processing chamber is described. A wafer is loaded onto the first station then indexed to the second station prior to processing. The indexing causes the wafer to be well-seated on it spindle before being processed. This prevents an improperly seated wafer from being processed at the first station.

摘要翻译： 描述了一种用于操作多工位处理室的方法。 将晶片加载到第一站上，然后在处理之前被索引到第二站。 在进行处理之前，分度导致晶圆处于主轴上。 这防止在第一站处理不正确的晶片。

公开(公告)号：US20120034773A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13273771

申请日：2011-10-14

申请人： Andrew Ott ,  Sean King ,  Ajay Sharma

发明人： Andrew Ott ,  Sean King ,  Ajay Sharma

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888

摘要： In one aspect, an apparatus may include a metal gate of a transistor. An etch stop layer may be selectively formed over the metal gate. The etch stop layer may include a metal compound. An insulating layer may be over the etch stop layer. A conductive structure may be included through the insulating layer to the metal gate. Methods of making such transistors are also disclosed.

摘要翻译： 一方面，装置可以包括晶体管的金属栅极。 蚀刻停止层可以选择性地形成在金属栅上。 蚀刻停止层可以包括金属化合物。 绝缘层可以在蚀刻停止层之上。 导电结构可以通过绝缘层包括到金属栅极。 还公开了制造这种晶体管的方法。