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    Method and apparatus for creating a Spacer-Optimization (S-O) library
    1.
    发明授权
    Method and apparatus for creating a Spacer-Optimization (S-O) library 失效
    用于创建间隔优化（S-O）库的方法和装置

    公开(公告)号：US07765077B2

    公开(公告)日：2010-07-27

    申请号：US11859596

    申请日：2007-09-21

    申请人： Asao Yamashita ,  Merritt Funk ,  Daniel J. Prager ,  Lee Chen ,  Radha Sundaranajan

    发明人： Asao Yamashita ,  Merritt Funk ,  Daniel J. Prager ,  Lee Chen ,  Radha Sundaranajan

    IPC分类号： G01D18/00

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The invention can provide a method of processing a substrate using Spacer-Optimization (S-O) processing sequences and evaluation libraries that can include one or more optimized spacer creation and evaluation procedures. In addition, the S-O processing sequences can include one or more deposition procedures, one or more partial-etch procedures, one or more chemical oxide removal (COR)-etch procedures, one or more optimization procedures, one or more evaluation procedures, and/or one or more verification procedures.

    摘要翻译： 本发明可以提供使用间隔优化（S-O）处理序列和评估库来处理底物的方法，其可以包括一个或多个优化的间隔物产生和评估程序。 此外，SO处理序列可以包括一个或多个沉积程序，一个或多个部分蚀刻程序，一个或多个化学氧化物去除（COR）获取程序，一个或多个优化程序，一个或多个评估程序和/ 或一个或多个验证程序。

    Creating Metal Gate Structures Using Lithography-Etch-Lithography-Etch (LELE) Processing Sequences
    5.
    发明申请
    Creating Metal Gate Structures Using Lithography-Etch-Lithography-Etch (LELE) Processing Sequences 有权
    使用光刻蚀刻蚀刻蚀刻（LELE）处理序列创建金属栅极结构

    公开(公告)号：US20100214545A1

    公开(公告)日：2010-08-26

    申请号：US12391410

    申请日：2009-02-24

    申请人： Merritt Funk ,  Daniel J. Prager ,  Asao Yamashita ,  Radha Sundararajan

    发明人： Merritt Funk ,  Daniel J. Prager ,  Asao Yamashita ,  Radha Sundararajan

    IPC分类号： G03B27/42 ,  G03C5/00

    CPC分类号： G03B27/42 ,  G03F7/70466

    摘要： The invention can provide apparatus and methods of creating metal gate structures on wafers in real-time using Lithography-Etch-Lithography-Etch (LELE) processing sequence. Real-time data and/or historical data associated with LELE processing sequences can be fed forward and/or fed back as fixed variables or constrained variables in internal-Integrated-Metrology modules (i-IMM) to improve the accuracy of the metal gate structures.

    摘要翻译： 本发明可以提供使用光刻蚀刻光刻蚀刻（LELE）处理序列实时地在晶片上形成金属栅极结构的设备和方法。 与LELE处理序列相关联的实时数据和/或历史数据可以作为内部集成计量模块（i-IMM）中的固定变量或约束变量进​​行向前馈送和/或反馈，以提高金属门结构的精度 。

    Creating a virtual profile library
    10.
    发明授权
    Creating a virtual profile library 失效
    创建虚拟配置文件库

    公开(公告)号：US07542859B2

    公开(公告)日：2009-06-02

    申请号：US11394859

    申请日：2006-03-31

    申请人： Merritt Funk ,  Daniel J. Prager

    发明人： Merritt Funk ,  Daniel J. Prager

    IPC分类号： G01R13/00

    CPC分类号： G01B11/24 ,  G01N21/211 ,  G01N21/4788 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/213 ,  G01N2021/95615

    摘要： A method of creating a virtual profile library includes obtaining a reference signal. The reference signal is compared to a plurality of signals in a first library. The reference signal is compared to a plurality of signals in a second library. A virtual profile data space is created when first and second matching criteria are not met. The virtual profile data space is created using differences between a profile data spaces associated with the first and second libraries. A first virtual profile signal is created in the virtual profile data space. A difference is calculated between the reference signal and the first virtual profile signal. The difference is compared to a virtual profile library creation criteria. If the virtual profile library creation criteria is met, the first virtual profile signal and the virtual profile data, associated with the first virtual profile signal is stored.

    摘要翻译： 创建虚拟简档库的方法包括获得参考信号。 将参考信号与第一库中的多个信号进行比较。 将参考信号与第二库中的多个信号进行比较。 当不满足第一和第二匹配条件时，创建虚拟配置文件数据空间。 使用与第一和第二库相关联的简档数据空间之间的差异来创建虚拟简档数据空间。 在虚拟配置文件数据空间中创建第一虚拟配置文件信号。 在参考信号和第一虚拟轮廓信号之间计算差。 将差异与虚拟简档库创建标准进行比较。 如果满足虚拟简档库创建标准，则存储与第一虚拟简档信号相关联的第一虚拟简档信号和虚拟简档数据。