公开(公告)号：US6048406A

公开(公告)日：2000-04-11

申请号：US57358

申请日：1998-04-08

申请人： Ashutosh Misra ,  Jagdish Prasad ,  Jennifer A. Sees ,  Lindsey H. Hall

发明人： Ashutosh Misra ,  Jagdish Prasad ,  Jennifer A. Sees ,  Lindsey H. Hall

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/31111

摘要： Traditionally, hydrofluoric acid (HF) or buffered bydrofluoric acid (NH.sub.4 F) is mixed with water to form a etching solution for cleaning silicon dioxide from semiconductor wafer surfaces. An etching solution formed by mixing ammonium hydrogen bifluoride ((NH.sub.4)HF.sub.2) with water provides a benign alternative for cleaning silicon dioxide.

摘要翻译： 传统上，将氢氟酸（HF）或缓冲的氟酸（NH4F）与水混合以形成用于从半导体晶片表面清洗二氧化硅的蚀刻溶液。 通过将氢氟酸（（NH 4）HF 2）与水混合形成的蚀刻溶液为清洁二氧化硅提供了良好的替代方案。

公开(公告)号：US6019806A

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：US4358

申请日：1998-01-08

申请人： Jennifer A. Sees ,  Lindsey H. Hall ,  Jagdish Prasad ,  Ashutosh Misra

发明人： Jennifer A. Sees ,  Lindsey H. Hall ,  Jagdish Prasad ,  Ashutosh Misra

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762 ,  B24B1/00

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76224

摘要： This invention is for an improved slurry for shallow trench isolation processing in chemical mechanical polishing of semiconductor devices. The oxide/nitride selectivity is enhanced by increasing the pH of the slurry, increasing the solids content of the slurry and/or by adding a fluoride salt to the slurry. With these modifications, selectivity of greater than 10:1 can be attained.

摘要翻译： 本发明是用于半导体器件的化学机械抛光中的浅沟槽隔离处理的改进浆料。 通过增加浆料的pH，增加浆料的固体含量和/或通过向浆料中加入氟化物盐来提高氧化物/氮化物选择性。 通过这些修改，可以获得大于10:1的选择性。

公开(公告)号：US06372648B1

公开(公告)日：2002-04-16

申请号：US09442181

申请日：1999-11-16

申请人： Lindsey H. Hall ,  Jennifer A. Sees

发明人： Lindsey H. Hall ,  Jennifer A. Sees

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： Chemical mechanical polishing slurry with functionalized silica abrasive particles, the functionalization permits high pH slurry without rapid degradation of silica particles and also permits the modification of surface properties of abrasive particles to modify slurry behavior. One example of modified behavior would be to enhance selectivity by controlling particle interaction with different surfaces on the wafer.

摘要翻译： 具有功能化二氧化硅磨料颗粒的化学机械抛光浆料，功能化允许高pH浆料，而不会快速降解二氧化硅颗粒，并且还允许改变磨料颗粒的表面性质以改变浆料性能。 改进行为的一个例子是通过控制与晶片上的不同表面的颗粒相互作用来提高选择性。

公开(公告)号：US06294145B1

公开(公告)日：2001-09-25

申请号：US08336352

申请日：1994-11-08

申请人： Lindsey H. Hall ,  Charles R. Schraeder ,  Jennifer A. Sees

发明人： Lindsey H. Hall ,  Charles R. Schraeder ,  Jennifer A. Sees

IPC分类号： C01B508

CPC分类号： C01B15/08

摘要： A method of formulating a strong oxidizing solution comprising formulating a strong oxidizing solution having from about 2 to about 5 percent PDSA with concentrated sulfuric acid in the ratio of from about 1:8 to about 1:20 parts by volume and storing the strong oxidizing solution in a container having a space over the solution containing one of a vacuum or a non-oxidizing atmosphere inert to the oxidizing solution. The amount of PDSA is preferably about 4 percent by volume and the ratio is preferably about 1:10 parts by volume. The space over the strong oxidizing solution is preferably a vacuum or substantially all nitrogen. Hydrogen peroxide can be substituted for the PDSA in which case the method comprises formulating a strong oxidizing solution having from about 40 to about 60 percent hydrogen peroxide with concentrated sulfuric acid in the ratio of from about 1:8 to about 1:20 parts by volume and storing the strong oxidizing solution in a container having a space over the solution containing one of a vacuum or a non-oxidizing atmosphere inert to the oxidizing solution.

摘要翻译： 一种配制强氧化溶液的方法，其包括以约1:8至约1:20体积份的比例配制具有约2至约5％PDSA的强氧化性溶液，浓硫酸存储强氧化溶液 在具有在氧化溶液惰性的真空或非氧化性气氛中的溶液的空间之上的容器中。 PDSA的量优选为约4体积％，并且该比例优选为约1:10体积份。 强氧化溶液之间的空间优选为真空或基本上全部为氮。 过氧化氢可以代替PDSA，在这种情况下，该方法包括配制具有约40至约60％过氧化氢的强氧化溶液，浓硫酸的比例约为1:8至约1:20体积份 并将强氧化溶液储存在具有空间的容器中，所述容器中含有对氧化溶液呈惰性的真空或非氧化性气氛之一的溶液。