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    Silicon polishing compositions with high rate and low defectivity
    3.
    发明授权
    Silicon polishing compositions with high rate and low defectivity 有权
    具有高速率和低缺陷性的硅抛光组合物

    公开(公告)号：US08273142B2

    公开(公告)日：2012-09-25

    申请号：US12807324

    申请日：2010-09-02

    申请人： Michael White ,  Richard Romine ,  Brian Reiss ,  Jeffrey Gilliland ,  Lamon Jones

    发明人： Michael White ,  Richard Romine ,  Brian Reiss ,  Jeffrey Gilliland ,  Lamon Jones

    IPC分类号： B24D3/02 ,  C09C1/68 ,  C09K3/14

    CPC分类号： H01L21/02024 ,  C09G1/02

    摘要： The invention relates to a chemical-mechanical polishing composition comprising silica, one or more organic carboxylic acids or salts thereof, one or more polysaccharides, one or more bases, optionally one or more surfactants and/or polymers, optionally one or more reducing agents, optionally one or more biocides, and water, wherein the polishing composition has an alkaline pH. The polishing composition exhibits a high removal rate and low particle defects and low haze. The invention further relates to a method of chemically-mechanically polishing a substrate using the polishing composition described herein.

    摘要翻译： 本发明涉及包含二氧化硅，一种或多种有机羧酸或其盐，一种或多种多糖，一种或多种碱，任选的一种或多种表面活性剂和/或聚合物，任选的一种或多种还原剂的化学机械抛光组合物， 任选地一种或多种杀生物剂和水，其中抛光组合物具有碱性pH。 抛光组合物表现出高的去除率和低的颗粒缺陷和低雾度。 本发明还涉及使用本文所述的抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。

    Silicon polishing compositions with improved PSD performance
    6.
    发明授权
    Silicon polishing compositions with improved PSD performance 有权
    具有改善的PSD性能的硅抛光组合物

    公开(公告)号：US09425037B2

    公开(公告)日：2016-08-23

    申请号：US13351339

    申请日：2012-01-17

    申请人： Brian Reiss ,  John Clark ,  Lamon Jones ,  Michael White

    发明人： Brian Reiss ,  John Clark ,  Lamon Jones ,  Michael White

    IPC分类号： H01L21/02 ,  C09G1/02

    CPC分类号： H01L21/02024 ,  C09G1/02

    摘要： The invention relates to a chemical-mechanical polishing composition comprising silica, one or more tetraalkylammonium salts, one or more bicarbonate salts, one or more alkali metal hydroxides, one or more aminophosphonic acids, one or more rate accelerator compounds, one or more polysaccharides, and water. The polishing composition reduces surface roughness and PSD of polished substrates. The invention further relates to a method of chemically-mechanically polishing a substrate, especially a silicon substrate, using the polishing composition described herein.

    摘要翻译： 本发明涉及一种化学机械抛光组合物，其包括二氧化硅，一种或多种四烷基铵盐，一种或多种碳酸氢盐，一种或多种碱金属氢氧化物，一种或多种氨基膦酸，一种或多种速率促进剂化合物，一种或多种多糖， 和水。 抛光组合物降低抛光基材的表面粗糙度和PSD。 本发明还涉及使用本文所述的抛光组合物对衬底，特别是硅衬底进行化学机械抛光的方法。