公开(公告)号：US20050189323A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：US11075272

申请日：2005-03-07

申请人： Bruno Ghyselen ,  Cecile Aulnette ,  Benedite Osternaud ,  Takeshi Akatsu ,  Bruce Faure

发明人： Bruno Ghyselen ,  Cecile Aulnette ,  Benedite Osternaud ,  Takeshi Akatsu ,  Bruce Faure

IPC分类号： B44C1/22 ,  H01L21/302 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02032 ,  H01L21/76254

摘要： The invention relates to a method of re-forming a useful layer on a donor wafer after taking off a useful layer formed of a material chosen from among semiconductor materials. The donor wafer includes in succession a substrate and a taking-off structure, the taking-off structure includes the taken-off useful layer before taking-off. The method includes a removal of material involving a portion of the donor wafer on the side where the useful layer has been taken off. The material is removed by mechanical means so as to preserve a portion of the taking-off structure to form at least one other useful layer which can be taken off after re-forming, without adding additional material to the wafer.

摘要翻译： 本发明涉及一种在从由半导体材料中选出的材料形成的有用层之后，在施主晶片上重新形成有用层的方法。 施主晶片连续地包括基板和起飞结构，起飞结构包括起飞前的起飞有用层。 该方法包括去除涉及在有用层被取下的一侧的施主晶片的一部分的材料。 通过机械方法去除材料，以便保留一部分起飞结构以形成至少一个其它可用的层，其可以在重新形成之后取下，而不向晶片添加额外的材料。

公开(公告)号：US20050150447A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US11075323

申请日：2005-03-07

申请人： Bruno Ghyselen ,  Cecile Aulnette ,  Benedite Osternaud ,  Takeshi Akatsu ,  Bruce Faure

发明人： Bruno Ghyselen ,  Cecile Aulnette ,  Benedite Osternaud ,  Takeshi Akatsu ,  Bruce Faure

IPC分类号： B44C1/22 ,  H01L21/302 ,  H01L21/762 ,  C30B23/00

CPC分类号： H01L21/02032 ,  H01L21/76254

摘要： The invention relates to a recyclable donor wafer that includes a substrate and a formed layer thereon, wherein the formed layer has a thickness sufficient to provide (a) at least two useful layers for detachment therefrom and (b) additional material that can be removed to planarize exposed surfaces of the useful layers prior to detachment from the donor wafer.

摘要翻译： 本发明涉及一种可回收的施主晶片，其包括基板及其上的成形层，其中所形成的层具有足以提供（a）至少两个用于从其分离的有用层的厚度，以及（b）可以将其移除到 在与供体晶片分离之前平坦化有用层的暴露表面。

公开(公告)号：US07375008B2

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US11075272

申请日：2005-03-07

申请人： Bruno Ghyselen ,  Cécile Aulnette ,  Bénédite Osternaud ,  Takeshi Akatsu ,  Bruce Faure

发明人： Bruno Ghyselen ,  Cécile Aulnette ,  Bénédite Osternaud ,  Takeshi Akatsu ,  Bruce Faure

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/02032 ,  H01L21/76254

摘要： The invention relates to a method of re-forming a useful layer on a donor wafer after taking off a useful layer formed of a material chosen from among semiconductor materials. The donor wafer includes in succession a substrate and a taking-off structure, the taking-off structure includes the taken-off useful layer before taking-off. The method includes a removal of material involving a portion of the donor wafer on the side where the useful layer has been taken off. The material is removed by mechanical means so as to preserve a portion of the taking-off structure to form at least one other useful layer which can be taken off after re-forming, without adding additional material to the wafer.

摘要翻译： 本发明涉及一种在从由半导体材料中选出的材料形成的有用层之后，在施主晶片上重新形成有用层的方法。 施主晶片连续地包括基板和起飞结构，起飞结构包括起飞前的起飞有用层。 该方法包括去除涉及在有用层被取下的一侧的施主晶片的一部分的材料。 通过机械方法去除材料，以便保留一部分起飞结构以形成至少一个其它可用的层，其可以在重新形成之后取下，而不向晶片添加额外的材料。

公开(公告)号：US20090325362A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12503537

申请日：2009-07-15

申请人： Nabil Chhaimi ,  Eric Guiot ,  Patrick Reynaud ,  Bruno Ghyselen ,  Cécile Aulnette ,  Bénédicte Osternaud ,  Takeshi Akatsu ,  Bruce Faure

发明人： Nabil Chhaimi ,  Eric Guiot ,  Patrick Reynaud ,  Bruno Ghyselen ,  Cécile Aulnette ,  Bénédicte Osternaud ,  Takeshi Akatsu ,  Bruce Faure

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02032

摘要： A method for forming a semiconductor structure that includes a thin layer of semiconductor material on a receiver wafer is disclosed. The method includes removing a thickness of material from a donor wafer, which comprises a support substrate and an epitaxial layer, for surface preparation and transferring a portion of the epitaxial layer from the donor wafer to the receiver wafer. The thickness removed during the surface preparation is adapted to enable formation of a new semiconductor structure from the remaining epitaxial portion of the donor wafer.

摘要翻译： 公开了一种在接收器晶片上形成半导体材料薄层的半导体结构的方法。 该方法包括从施主晶片去除材料的厚度，其包括支撑衬底和外延层，用于表面制备并将外延层的一部分从施主晶片转移到接收器晶片。 在表面处理期间去除的厚度适于能够从施主晶片的剩余外延部分形成新的半导体结构。

公开(公告)号：US07602046B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11075323

申请日：2005-03-07

申请人： Bruno Ghyselen ,  Cécile Aulnette ,  Bénédite Osternaud ,  Takeshi Akatsu ,  Bruce Faure

发明人： Bruno Ghyselen ,  Cécile Aulnette ,  Bénédite Osternaud ,  Takeshi Akatsu ,  Bruce Faure

IPC分类号： H01L29/26

CPC分类号： H01L21/02032 ,  H01L21/76254

摘要： The invention relates to a recyclable donor wafer that includes a substrate and a formed layer thereon, wherein the formed layer has a thickness sufficient to provide (a) at least two useful layers for detachment therefrom and (b) additional material that can be removed to planarize exposed surfaces of the useful layers prior to detachment from the donor wafer.

摘要翻译： 本发明涉及一种可回收的施主晶片，其包括基板及其上的成形层，其中所形成的层具有足以提供（a）至少两个用于从其分离的有用层的厚度，以及（b）可以将其移除到 在与供体晶片分离之前平坦化有用层的暴露表面。

公开(公告)号：US07646038B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11852562

申请日：2007-09-10

申请人： Bruce Faure ,  Fabrice Letertre ,  Bruno Ghyselen

发明人： Bruce Faure ,  Fabrice Letertre ,  Bruno Ghyselen

IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B33/00 ,  H01L21/76254

摘要： An efficient method of fabricating a high-quality heteroepitaxial microstructure having a smooth surface. The method includes detaching a layer from a base structure to provide a carrier substrate having a detached surface, and then forming a heteroepitaxial microstructure on the detached surface of the carrier substrate by depositing an epitaxial layer on the detached surface of a carrier substrate. Also included is a heteroepitaxial microstructure fabricated from such method.

摘要翻译： 制造具有光滑表面的高品质异质外延微结构的有效方法。 该方法包括从基底结构分离层以提供具有分离表面的载体基底，然后通过在载体基底的分离表面上沉积外延层而在载体基底的分离表面上形成异质外延微结构。 还包括由这种方法制造的异质外延微结构。

公开(公告)号：US20070287273A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11840696

申请日：2007-08-17

申请人： Alice Boussagol ,  Bruce Faure ,  Bruno Ghyselen ,  Fabrice Letertre ,  Olivier Rayssac ,  Pierre Rayssac ,  Gisele Rayssac

发明人： Alice Boussagol ,  Bruce Faure ,  Bruno Ghyselen ,  Fabrice Letertre ,  Olivier Rayssac ,  Pierre Rayssac ,  Gisele Rayssac

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007

摘要： A method for making substrates for use in optics, electronics, or opto-electronics. The method may include transferring a seed layer onto a receiving support and depositing a useful layer onto the seed layer. The thermal expansion coefficient of the receiving support may be identical to or slightly larger than the thermal expansion coefficient of the useful layer and the thermal expansion coefficient of the seed layer may be substantially equal to the thermal expansion coefficient of the receiving support. Preferably, the nucleation layer and the intermediate support have substantially the same chemical composition.

摘要翻译： 一种用于制造用于光学，电子或光电子的基板的方法。 该方法可以包括将种子层转移到接收支撑体上并将有用的层沉积到种子层上。 接收支撑件的热膨胀系数可以与有用层的热膨胀系数相同或略大，并且种子层的热膨胀系数可以基本上等于接收支撑件的热膨胀系数。 优选地，成核层和中间载体具有基本上相同的化学组成。

公开(公告)号：US07288430B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US11165895

申请日：2005-06-24

申请人： Bruce Faure ,  Fabrice Letertre ,  Bruno Ghyselen

发明人： Bruce Faure ,  Fabrice Letertre ,  Bruno Ghyselen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B33/00 ,  H01L21/76254

摘要： An efficient method of fabricating a high-quality heteroepitaxial microstructure having a smooth surface. The method includes detaching a layer from a base structure to provide a carrier substrate having a detached surface, and then forming a heteroepitaxial microstructure on the detached surface of the carrier substrate by depositing an epitaxial layer on the detached surface of a carrier substrate. Also included is a heteroepitaxial microstructure fabricated from such method.

摘要翻译： 制造具有光滑表面的高品质异质外延微结构的有效方法。 该方法包括从基底结构分离层以提供具有分离表面的载体基底，然后通过在载体基底的分离表面上沉积外延层而在载体基底的分离表面上形成异质外延微结构。 还包括由这种方法制造的异质外延微结构。

公开(公告)号：US20090289332A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12536082

申请日：2009-08-05

申请人： Alice Boussagol ,  Bruce Faure ,  Bruno Ghyselen ,  Fabrice Letertre ,  Olivier Rayssac ,  Pierre Rayssac ,  Gisele Rayssac

发明人： Alice Boussagol ,  Bruce Faure ,  Bruno Ghyselen ,  Fabrice Letertre ,  Olivier Rayssac ,  Pierre Rayssac ,  Gisele Rayssac

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007

摘要： A method for making substrates for use in optics, electronics, or opto-electronics. The method may include transferring a seed layer onto a receiving support and depositing a useful layer onto the seed layer. The thermal expansion coefficient of the receiving support may be identical to or slightly larger than the thermal expansion coefficient of the useful layer and the thermal expansion coefficient of the seed layer may be substantially equal to the thermal expansion coefficient of the receiving support. Preferably, the nucleation layer and the intermediate support have substantially the same chemical composition.

摘要翻译： 一种用于制造用于光学，电子或光电子的基板的方法。 该方法可以包括将种子层转移到接收支撑体上并将有用的层沉积到种子层上。 接收支撑件的热膨胀系数可以与有用层的热膨胀系数相同或略大，并且种子层的热膨胀系数可以基本上等于接收支撑件的热膨胀系数。 优选地，成核层和中间载体具有基本上相同的化学组成。

公开(公告)号：US07839001B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12536082

申请日：2009-08-05

申请人： Alice Boussagol ,  Bruce Faure ,  Bruno Ghyselen ,  Fabrice Letertre ,  Olivier Rayssac ,  Pierre Rayssac, legal representative ,  Giséle Rayssac, legal representative

发明人： Alice Boussagol ,  Bruce Faure ,  Bruno Ghyselen ,  Fabrice Letertre ,  Olivier Rayssac

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/762 ,  H01L21/46 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007

摘要： A method for making substrates for use in optics, electronics, or opto-electronics. The method may include transferring a seed layer onto a receiving support and depositing a useful layer onto the seed layer. The thermal expansion coefficient of the receiving support may be identical to or slightly larger than the thermal expansion coefficient of the useful layer and the thermal expansion coefficient of the seed layer may be substantially equal to the thermal expansion coefficient of the receiving support. Preferably, the nucleation layer and the intermediate support have substantially the same chemical composition.

摘要翻译： 一种用于制造用于光学，电子或光电子的基板的方法。 该方法可以包括将种子层转移到接收支撑体上并将有用的层沉积到种子层上。 接收支撑件的热膨胀系数可以与有用层的热膨胀系数相同或略大，并且种子层的热膨胀系数可以基本上等于接收支撑件的热膨胀系数。 优选地，成核层和中间载体具有基本上相同的化学组成。