公开(公告)号：US20120077306A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13312020

申请日：2011-12-06

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： In one example, a method for fabricating a solar cell comprising a first electrode, a first-type layer, an intrinsic layer, a second-type layer and a second electrode is disclosed. At least one of the second-type layer, the intrinsic layer and the first-type layer is formed as a crystallized Si layer by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas and silane (SiH4) gas, the mixed gas having a silane gas (SiH4) in a ratio of 0.016 to 0.02.

摘要翻译： 在一个实例中，公开了一种制造包括第一电极，第一类型层，本征层，第二类型层和第二电极的太阳能电池的方法。 通过使用包含氢（H 2）气体的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置将第二类型层，本征层和第一类型层中的至少一个形成为结晶化的Si层， 硅烷（SiH 4）气体，混合气体的硅烷气体（SiH4）的比例为0.016〜0.02。

公开(公告)号：US08304336B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12605162

申请日：2009-10-23

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method for fabricating a solar cell using inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) including a first electrode, a P layer, an intrinsic layer, an N-type layer and a second electrode. The method includes forming an intrinsic layer including a hydrogenated amorphous silicon (Si) thin film by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas and silane (SiH4) gas. In the mixed gas, silane gas is in a ratio of 8 to 10 relative to mixed gas.

摘要翻译： 一种使用包括第一电极，P层，本征层，N型层和第二电极的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）制造太阳能电池的方法。 该方法包括通过使用包含氢（H 2）气和硅烷（SiH 4）气体的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置形成包括氢化非晶硅（Si）薄膜的本征层。 在混合气体中，相对于混合气体，硅烷气体的比率为8〜10。

公开(公告)号：US08283245B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US13312020

申请日：2011-12-06

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： In one example, a method for fabricating a solar cell comprising a first electrode, a first-type layer, an intrinsic layer, a second-type layer and a second electrode is disclosed. At least one of the second-type layer, the intrinsic layer and the first-type layer is formed as a crystallized Si layer by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas and silane (SiH4) gas, the mixed gas having a silane gas (SiH4) in a ratio of 0.016 to 0.02.

摘要翻译： 在一个实例中，公开了一种制造包括第一电极，第一类型层，本征层，第二类型层和第二电极的太阳能电池的方法。 通过使用包含氢（H 2）气体的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置将第二类型层，本征层和第一类型层中的至少一个形成为结晶化的Si层， 硅烷（SiH 4）气体，混合气体的硅烷气体（SiH4）的比例为0.016〜0.02。

公开(公告)号：US08268714B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US13311891

申请日：2011-12-06

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： In one example, a method for fabricating a solar cell comprising a first electrode, a first-type layer, an intrinsic layer, a second-type layer and a second electrode is disclosed. The method comprising forming a second-type layer including an amorphous silicon (Si) carbide thin film by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas, silane (SiH4) gas, diborane (B2H6) and ethylene (C2H4) gas, wherein the ethylene (C2H4) gas includes 60% hydrogen gas diluted ethylene gas, the diborane gas is 97% hydrogen gas diluted diborane gas, the mixed gas includes 1 to 1.2% ethylene gas and 6 to 6.5% diborane gas.

摘要翻译： 在一个实例中，公开了一种制造包括第一电极，第一类型层，本征层，第二类型层和第二电极的太阳能电池的方法。 该方法包括通过使用包括氢（H 2）气，硅烷（SiH 4）气体，乙硼烷的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置形成包括非晶硅（Si）碳化物薄膜的第二类型层 （B2H6）和乙烯（C2H4）气体，其中乙烯（C2H4）气体包括60％氢气稀释的乙烯气体，乙硼烷气体为97％氢气稀释的乙硼烷气体，混合气体包括1至1.2％的乙烯气体和6 至6.5％乙硼烷气体。

公开(公告)号：US20120077303A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13311891

申请日：2011-12-06

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L31/0352

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： In one example, a method for fabricating a solar cell comprising a first electrode, a first-type layer, an intrinsic layer, a second-type layer and a second electrode is disclosed. The method comprising forming a second-type layer including an amorphous silicon (Si) carbide thin film by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas, silane (SiH4) gas, diborane (B2H6) and ethylene (C2H4) gas, wherein the ethylene (C2H4) gas includes 60% hydrogen gas diluted ethylene gas, the diborane gas is 97% hydrogen gas diluted diborane gas, the mixed gas includes 1 to 1.2% ethylene gas and 6 to 6.5% diborane gas.

摘要翻译： 在一个实例中，公开了一种制造包括第一电极，第一类型层，本征层，第二类型层和第二电极的太阳能电池的方法。 该方法包括通过使用包括氢（H 2）气，硅烷（SiH 4）气体，乙硼烷的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置形成包括非晶硅（Si）碳化物薄膜的第二类型层 （B2H6）和乙烯（C2H4）气体，其中乙烯（C2H4）气体包括60％氢气稀释的乙烯气体，乙硼烷气体为97％氢气稀释的乙硼烷气体，混合气体包括1至1.2％的乙烯气体和6 至6.5％乙硼烷气体。

公开(公告)号：US20100210061A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12605162

申请日：2009-10-23

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method for fabricating a solar cell using inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) including a first electrode, a P layer, an intrinsic layer, an N-type layer and a second electrode. The method includes forming an intrinsic layer including a hydrogenated amorphous silicon (Si) thin film by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas and silane (SiH4) gas. In the mixed gas, silane gas is in a ratio of 8 to 10 relative to mixed gas.

摘要翻译： 一种使用包括第一电极，P层，本征层，N型层和第二电极的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）制造太阳能电池的方法。 该方法包括通过使用包含氢（H 2）气和硅烷（SiH 4）气体的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置形成包括氢化非晶硅（Si）薄膜的本征层。 在混合气体中，相对于混合气体，硅烷气体的比率为8〜10。