公开(公告)号：US08304336B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12605162

申请日：2009-10-23

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method for fabricating a solar cell using inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) including a first electrode, a P layer, an intrinsic layer, an N-type layer and a second electrode. The method includes forming an intrinsic layer including a hydrogenated amorphous silicon (Si) thin film by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas and silane (SiH4) gas. In the mixed gas, silane gas is in a ratio of 8 to 10 relative to mixed gas.

摘要翻译： 一种使用包括第一电极，P层，本征层，N型层和第二电极的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）制造太阳能电池的方法。 该方法包括通过使用包含氢（H 2）气和硅烷（SiH 4）气体的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置形成包括氢化非晶硅（Si）薄膜的本征层。 在混合气体中，相对于混合气体，硅烷气体的比率为8〜10。

公开(公告)号：US08283245B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US13312020

申请日：2011-12-06

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： In one example, a method for fabricating a solar cell comprising a first electrode, a first-type layer, an intrinsic layer, a second-type layer and a second electrode is disclosed. At least one of the second-type layer, the intrinsic layer and the first-type layer is formed as a crystallized Si layer by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas and silane (SiH4) gas, the mixed gas having a silane gas (SiH4) in a ratio of 0.016 to 0.02.

摘要翻译： 在一个实例中，公开了一种制造包括第一电极，第一类型层，本征层，第二类型层和第二电极的太阳能电池的方法。 通过使用包含氢（H 2）气体的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置将第二类型层，本征层和第一类型层中的至少一个形成为结晶化的Si层， 硅烷（SiH 4）气体，混合气体的硅烷气体（SiH4）的比例为0.016〜0.02。

公开(公告)号：US20120077306A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13312020

申请日：2011-12-06

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： In one example, a method for fabricating a solar cell comprising a first electrode, a first-type layer, an intrinsic layer, a second-type layer and a second electrode is disclosed. At least one of the second-type layer, the intrinsic layer and the first-type layer is formed as a crystallized Si layer by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas and silane (SiH4) gas, the mixed gas having a silane gas (SiH4) in a ratio of 0.016 to 0.02.

摘要翻译： 在一个实例中，公开了一种制造包括第一电极，第一类型层，本征层，第二类型层和第二电极的太阳能电池的方法。 通过使用包含氢（H 2）气体的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置将第二类型层，本征层和第一类型层中的至少一个形成为结晶化的Si层， 硅烷（SiH 4）气体，混合气体的硅烷气体（SiH4）的比例为0.016〜0.02。

公开(公告)号：US08268714B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US13311891

申请日：2011-12-06

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： In one example, a method for fabricating a solar cell comprising a first electrode, a first-type layer, an intrinsic layer, a second-type layer and a second electrode is disclosed. The method comprising forming a second-type layer including an amorphous silicon (Si) carbide thin film by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas, silane (SiH4) gas, diborane (B2H6) and ethylene (C2H4) gas, wherein the ethylene (C2H4) gas includes 60% hydrogen gas diluted ethylene gas, the diborane gas is 97% hydrogen gas diluted diborane gas, the mixed gas includes 1 to 1.2% ethylene gas and 6 to 6.5% diborane gas.

摘要翻译： 在一个实例中，公开了一种制造包括第一电极，第一类型层，本征层，第二类型层和第二电极的太阳能电池的方法。 该方法包括通过使用包括氢（H 2）气，硅烷（SiH 4）气体，乙硼烷的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置形成包括非晶硅（Si）碳化物薄膜的第二类型层 （B2H6）和乙烯（C2H4）气体，其中乙烯（C2H4）气体包括60％氢气稀释的乙烯气体，乙硼烷气体为97％氢气稀释的乙硼烷气体，混合气体包括1至1.2％的乙烯气体和6 至6.5％乙硼烷气体。

公开(公告)号：US20120077303A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13311891

申请日：2011-12-06

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L31/0352

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： In one example, a method for fabricating a solar cell comprising a first electrode, a first-type layer, an intrinsic layer, a second-type layer and a second electrode is disclosed. The method comprising forming a second-type layer including an amorphous silicon (Si) carbide thin film by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas, silane (SiH4) gas, diborane (B2H6) and ethylene (C2H4) gas, wherein the ethylene (C2H4) gas includes 60% hydrogen gas diluted ethylene gas, the diborane gas is 97% hydrogen gas diluted diborane gas, the mixed gas includes 1 to 1.2% ethylene gas and 6 to 6.5% diborane gas.

摘要翻译： 在一个实例中，公开了一种制造包括第一电极，第一类型层，本征层，第二类型层和第二电极的太阳能电池的方法。 该方法包括通过使用包括氢（H 2）气，硅烷（SiH 4）气体，乙硼烷的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置形成包括非晶硅（Si）碳化物薄膜的第二类型层 （B2H6）和乙烯（C2H4）气体，其中乙烯（C2H4）气体包括60％氢气稀释的乙烯气体，乙硼烷气体为97％氢气稀释的乙硼烷气体，混合气体包括1至1.2％的乙烯气体和6 至6.5％乙硼烷气体。

公开(公告)号：US20100210061A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12605162

申请日：2009-10-23

申请人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

发明人： Chaehwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho-Sung Kim ,  Seongjae Boo

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method for fabricating a solar cell using inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) including a first electrode, a P layer, an intrinsic layer, an N-type layer and a second electrode. The method includes forming an intrinsic layer including a hydrogenated amorphous silicon (Si) thin film by an inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) device using mixed gas including hydrogen (H2) gas and silane (SiH4) gas. In the mixed gas, silane gas is in a ratio of 8 to 10 relative to mixed gas.

摘要翻译： 一种使用包括第一电极，P层，本征层，N型层和第二电极的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）制造太阳能电池的方法。 该方法包括通过使用包含氢（H 2）气和硅烷（SiH 4）气体的混合气体的电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）装置形成包括氢化非晶硅（Si）薄膜的本征层。 在混合气体中，相对于混合气体，硅烷气体的比率为8〜10。

公开(公告)号：US20130078551A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13702653

申请日：2011-06-24

申请人： Ho Sung Kim ,  Young Mi Kim ,  Ju Hee Kang ,  Duck Rye Chang ,  Jong Ho Lee ,  Chang Seog Kang ,  Chaehwan Jeong ,  Jae Hyuk Jang

发明人： Ho Sung Kim ,  Young Mi Kim ,  Ju Hee Kang ,  Duck Rye Chang ,  Jong Ho Lee ,  Chang Seog Kang ,  Chaehwan Jeong ,  Jae Hyuk Jang

IPC分类号： H01M8/00

CPC分类号： H01M8/00 ,  H01M4/8857 ,  H01M4/8885 ,  H01M4/8889 ,  H01M4/9033 ,  H01M4/905 ,  H01M8/1213 ,  H01M8/1246 ,  H01M8/1253 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0074 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

摘要： A manufacturing method for a solid oxide fuel cell (SOFC) unit cell is disclosed. The manufacturing method may include manufacturing an Ni—CeScSZ anode layer; manufacturing a CeScSZ electrolyte layer; manufacturing a gadolinia-doped ceria (GDC) buffer layer; and manufacturing a lanthanum strontium cobalt ferrite (LSCF) cathode layer. Accordingly, an ohmic resistance of electrolyte and a polarization resistance may be reduced and high output may be obtained even at a middle low temperature.

摘要翻译： 公开了一种固体氧化物型燃料电池（SOFC）单电池的制造方法。 制造方法可以包括制造Ni-CeScSZ阳极层; 制造CeScSZ电解质层; 制造掺钆氧化铈（GDC）缓冲层; 并制造镧锶钴铁氧体（LSCF）阴极层。 因此，电解质的欧姆电阻和极化电阻可能降低，即使在中低温下也可获得高输出。

公开(公告)号：US20130029450A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13641190

申请日：2011-04-19

申请人： Chae Hwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho Sung Kim ,  Jin Hyeok Kim ,  Suk Ho Lee

发明人： Chae Hwan Jeong ,  Jong Ho Lee ,  Ho Sung Kim ,  Jin Hyeok Kim ,  Suk Ho Lee

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0326 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention provides a method for manufacturing a solar cell capable of suppressing volatilization of selenium and deformation of a substrate during a manufacturing process. According to the present invention, the method for manufacturing the solar cell comprises the steps of: providing a substrate; forming a rear electrode on the substrate; forming a precursor film for a light absorption film on the rear electrode; forming a light absorption film by progressing a crystallization process for the precursor film for the light absorption film; forming a buffer film on the light absorption film; forming a window film on the buffer film, and forming an anti-reflection film on the window film; and partially patterning the anti-reflection film, and forming a grid electrode in a patterned area. Said precursor film for the light absorption film includes Cu—Zn—Sn—S (Cu2ZnSnS4), CuInSe2, CuInS2, Cu(InGa)Se2, or Cu(InGa)S2. Further, a Cu—Zn—Sn—S (Cu2ZnSnS4) precursor film, a CuInSe2 precursor film, a CuInS2 precursor film, and a Cu (InGa)Se2 precursor film or a Cu(InGa)S2 precursor film can have a multi-layer structure of each component or a single-layer structure having compounds of the components. Said crystallization step for the precursor film is progressed through an electron-beam irradiation process.

摘要翻译： 本发明提供一种制造太阳能电池的方法，所述太阳能电池能够在制造过程中抑制硒的挥发和基板的变形。 根据本发明，太阳能电池的制造方法包括以下步骤：提供基板; 在所述基板上形成后电极; 在后电极上形成用于光吸收膜的前体膜; 通过对用于光吸收膜的前体膜进行结晶化处理来形成光吸收膜; 在光吸收膜上形成缓冲膜; 在缓冲膜上形成窗膜，在窗膜上形成防反射膜; 并且部分地构图防反射膜，并且在图案化区域中形成栅格电极。 所述光吸收膜前体膜包括Cu-Zn-Sn-S（Cu2ZnSnS4），CuInSe2，CuInS2，Cu（InGa）Se2或Cu（InGa）S2。 此外，Cu-Zn-Sn-S（Cu2ZnSnS4）前体膜，CuInSe2前体膜，CuInS2前体膜和Cu（InGa）Se2前体膜或Cu（InGa）S2前体膜可以具有多层 每个组分的结构或具有组分化合物的单层结构。 前体膜的所述结晶步骤通过电子束照射工艺进行。

公开(公告)号：US11223159B2

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：US16674228

申请日：2019-11-05

申请人： Jong Ho Lee

发明人： Jong Ho Lee

IPC分类号： H01R13/52 ,  H01R33/965 ,  H01R13/18 ,  H01R13/10

摘要： Disclosed herein is a safety outlet. The safety outlet includes a casing having at least one hole into which a pin of a plug is inserted; and at least one drain pipe forming a drain channel for independently communicating the at least one hole and the outside of the casing; wherein the drain channel provided in the at least one drain pipe each serves as drain passage separated from each other, and the drain pipe is partitioned so as to maintain sealing between inside of the casing and the drain channel, wherein a contact portion connected to a power terminal arranged outside of the at least one drain pipe is provided in the at least one drain pipe.

公开(公告)号：US09209473B2

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：US13256769

申请日：2010-03-16

申请人： Ji-Won Son ,  Ho-Sung Noh ,  Hae-Weon Lee ,  Jong Ho Lee ,  Hae-Ryoung Kim ,  Jong Cheol Kim

发明人： Ji-Won Son ,  Ho-Sung Noh ,  Hae-Weon Lee ,  Jong Ho Lee ,  Hae-Ryoung Kim ,  Jong Cheol Kim

IPC分类号： H01M8/10 ,  H01M4/48 ,  H01M2/08 ,  H01M2/14 ,  H01M8/12 ,  H01M4/86

CPC分类号： H01M8/1206 ,  H01M4/861 ,  H01M8/1231 ,  Y02E60/521 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

摘要： The present invention relates to a solid oxide fuel cell having a gradient structure in which pore size becomes gradually smaller from a porous electrode to an electrolyte thin film in order to form a dense electrolyte thin film of less than about 2 microns and preferably less than 1 micron on the porous electrode.

摘要翻译： 本发明涉及具有梯度结构的固体氧化物燃料电池，其中孔径从多孔电极逐渐变小至电解质薄膜，以形成小于约2微米，优选小于1的致密电解质薄膜 微米在多孔电极上。