公开(公告)号：US20120295399A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13559959

申请日：2012-07-27

申请人： Chang-jung KIM ,  Young-soo Park ,  Eun-ha Lee ,  Jae-chul Park

发明人： Chang-jung KIM ,  Young-soo Park ,  Eun-ha Lee ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L21/336 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/36

CPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/7869

摘要： Provided is a zinc (Zn) oxide-based thin film transistor that may include a gate, a gate insulating layer on the gate, a channel including zinc oxide and may be on a portion of the gate insulating layer, and a source and drain contacting respective sides of the channel. The zinc (Zn) oxide-based thin film transistor may further include a recession in the channel between the source and the drain, and a zinc oxide-based etchant may be used to form the recession.

摘要翻译： 提供一种锌（Zn）氧化物基薄膜晶体管，其可以包括栅极，栅极上的栅极绝缘层，包含氧化锌的沟道，并且可以在栅极绝缘层的一部分上，以及源极和漏极接触 渠道的各边。 锌（Zn）氧化物基薄膜晶体管还可以包括在源极和漏极之间的沟道中的凹陷，并且可以使用氧化锌基蚀刻剂来形成凹陷。

公开(公告)号：US20080315193A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12149409

申请日：2008-05-01

申请人： Chang-jung Kim ,  Young-soo Park ,  Eun-ha Lee ,  Jae-chul Park

发明人： Chang-jung Kim ,  Young-soo Park ,  Eun-ha Lee ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L21/34 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08

CPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/7869

摘要： Provided is a zinc (Zn) oxide-based thin film transistor that may include a gate, a gate insulating layer on the gate, a channel including zinc oxide and may be on a portion of the gate insulating layer, and a source and drain contacting respective sides of the channel. The zinc (Zn) oxide-based thin film transistor may further include a recession in the channel between the source and the drain, and a zinc oxide-based etchant may be used to form the recession.

摘要翻译： 提供一种锌（Zn）氧化物基薄膜晶体管，其可以包括栅极，栅极上的栅极绝缘层，包含氧化锌的沟道，并且可以在栅极绝缘层的一部分上，以及源极和漏极接触 渠道的各边。 锌（Zn）氧化物基薄膜晶体管还可以包括在源极和漏极之间的沟道中的凹陷，并且可以使用氧化锌基蚀刻剂来形成凹陷。

公开(公告)号：US20080315200A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12213327

申请日：2008-06-18

申请人： Chang-jung Kim ,  Eun-ha Lee ,  Young-soo Park ,  Jae-chul Park

发明人： Chang-jung Kim ,  Eun-ha Lee ,  Young-soo Park ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Oxide semiconductors and thin film transistors (TFTs) including the same are provided. An oxide semiconductor includes Zn atoms and at least one of Hf and Cr atoms added thereto. A thin film transistor (TFT) includes a channel including an oxide semiconductor including Zn atoms and at least one of Hf and Cr atoms added thereto.

摘要翻译： 提供包括其的氧化物半导体和薄膜晶体管（TFT）。 氧化物半导体包括Zn原子和添加了Hf原子和Cr原子中的至少一种。 薄膜晶体管（TFT）包括包括包含Zn原子和添加有Hf原子和Cr原子中的至少一种的氧化物半导体的沟道。

公开(公告)号：US07935964B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12213327

申请日：2008-06-18

申请人： Chang-jung Kim ,  Eun-ha Lee ,  Young-soo Park ,  Jae-chul Park

发明人： Chang-jung Kim ,  Eun-ha Lee ,  Young-soo Park ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Oxide semiconductors and thin film transistors (TFTs) including the same are provided. An oxide semiconductor includes Zn atoms and at least one of Hf and Cr atoms added thereto. A thin film transistor (TFT) includes a channel including an oxide semiconductor including Zn atoms and at least one of Hf and Cr atoms added thereto.

摘要翻译： 提供包括其的氧化物半导体和薄膜晶体管（TFT）。 氧化物半导体包括Zn原子和添加了Hf原子和Cr原子中的至少一种。 薄膜晶体管（TFT）包括包括包含Zn原子和添加有Hf原子和Cr原子中的至少一种的氧化物半导体的沟道。

公开(公告)号：US20090008638A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12078706

申请日：2008-04-03

申请人： Dong-hun Kang ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Eun-ha Lee ,  Jae-cheol Lee

发明人： Dong-hun Kang ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Eun-ha Lee ,  Jae-cheol Lee

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Example embodiments relate to an oxide semiconductor including zinc oxide (ZnO), a thin film transistor including a channel formed of the oxide semiconductor and a method of manufacturing the thin film transistor. The oxide semiconductor may include a GaxInyZnz oxide and at least one material selected from the group consisting of a 4A group element, a 4A group oxide, a rare earth element and combinations thereof.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括氧化锌（ZnO），包括由氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管的氧化物半导体和制造薄膜晶体管的方法。 氧化物半导体可以包括GaxInyZnz氧化物和选自由4A族元素，4A族氧化物，稀土元素及其组合组成的组中的至少一种材料。

公开(公告)号：US20090057663A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12076486

申请日：2008-03-19

申请人： Sun-il Kim ,  Jae-cheol Lee ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

发明人： Sun-il Kim ,  Jae-cheol Lee ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/78696

摘要： An oxide thin film transistor and a method of manufacturing the oxide TFT are provided. The oxide thin film transistor (TFT) including: a gate; a channel formed to correspond to the gate, and a capping layer having a higher work function than the channel; a gate insulator disposed between the gate and the channel; and a source and drain respectively contacting either side of the capping layer and the channel and partially on a top surface of the capping layer.

摘要翻译： 提供氧化物薄膜晶体管和制造氧化物TFT的方法。 所述氧化物薄膜晶体管（TFT）包括：栅极; 形成为对应于所述栅极的沟道，以及具有比所述沟道更高功函数的覆盖层; 设置在栅极和沟道之间的栅极绝缘体; 以及源极和漏极，分别接触封盖层的两侧和通道之间，部分地接合覆盖层的顶表面。

公开(公告)号：US08253134B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12076486

申请日：2008-03-19

申请人： Sun-il Kim ,  Jae-cheol Lee ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

发明人： Sun-il Kim ,  Jae-cheol Lee ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/04 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/78696

摘要： An oxide thin film transistor and a method of manufacturing the oxide TFT are provided. The oxide thin film transistor (TFT) including: a gate; a channel formed to correspond to the gate, and a capping layer having a higher work function than the channel; a gate insulator disposed between the gate and the channel; and a source and drain respectively contacting either side of the capping layer and the channel and partially on a top surface of the capping layer.

摘要翻译： 提供氧化物薄膜晶体管和制造氧化物TFT的方法。 所述氧化物薄膜晶体管（TFT）包括：栅极; 形成为对应于所述栅极的沟道，以及具有比所述沟道更高功函数的覆盖层; 设置在栅极和沟道之间的栅极绝缘体; 以及源极和漏极，分别接触封盖层的两侧和通道之间，部分地接合覆盖层的顶表面。

公开(公告)号：US08188472B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12007085

申请日：2008-01-07

申请人： Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park

发明人： Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L21/786

CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor (TFT), a method of manufacturing the TFT, and a flat panel display comprising the TFT are provided. The TFT includes a gate, a gate insulating layer that contacts the gate, a channel layer that contacts the gate insulating layer and faces the gate with the gate insulating layer therebetween, a source that contacts an end of the channel layer; and a drain that contacts an other end of the channel layer, wherein the channel layer is an amorphous oxide semiconductor layer, and each of the source and the drain is a conductive oxide layer comprising an oxide semiconductor layer having a conductive impurity in the oxide semiconductor layer. A low resistance metal layer can further be included on the source and drain. A driving circuit of a unit pixel of a flat panel display includes the TFT.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管（TFT），制造TFT的方法以及包括TFT的平板显示器。 TFT包括栅极，与栅极接触的栅极绝缘层，与栅极绝缘层接触且与栅极绝缘层面对栅极的沟道层，接触沟道层的端部的源极; 以及与沟道层的另一端接触的漏极，其中，所述沟道层为非晶氧化物半导体层，所述源极和漏极中的每一个为包含氧化物半导体中具有导电杂质的氧化物半导体层的导电氧化物层 层。 源极和漏极可以进一步包含低电阻金属层。 平板显示器的单位像素的驱动电路包括TFT。

公开(公告)号：US20100091541A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12588275

申请日：2009-10-09

申请人： Jae-chul Park ,  Kee-won Kwon ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

发明人： Jae-chul Park ,  Kee-won Kwon ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

IPC分类号： G11C5/02 ,  G11C8/10 ,  G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C5/02 ,  G11C5/143 ,  G11C7/18 ,  G11C8/12 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/71

摘要： A stacked memory device includes a plurality of memory layers, where at least one of the plurality of memory layers is stacked on another of the plurality of memory layers and each of the memory layers includes an array of memory cells, a first active circuit unit configured to classify and process address information for at least one of the memory cells as vertical address information and horizontal address information, and at least one second active circuit unit configured to generate a memory selection signal for at least one of the memory cells based on signals processed by the first active circuit unit.

摘要翻译： 堆叠存储器件包括多个存储器层，其中多个存储器层中的至少一个堆叠在多个存储器层中的另一个上，并且每个存储器层包括存储器单元阵列，第一有源电路单元配置 将至少一个存储器单元的地址信息分类并处理为垂直地址信息和水平地址信息，以及至少一个第二有源电路单元，配置为基于处理的信号为存储器单元中的至少一个生成存储器选择信号 由第一有源电路单元。

公开(公告)号：US20080258141A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12007085

申请日：2008-01-07

申请人： Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park

发明人： Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor (TFT), a method of manufacturing the TFT, and a flat panel display comprising the TFT are provided. The TFT includes a gate, a gate insulating layer that contacts the gate, a channel layer that contacts the gate insulating layer and faces the gate with the gate insulating layer therebetween, a source that contacts an end of the channel layer; and a drain that contacts an other end of the channel layer, wherein the channel layer is an amorphous oxide semiconductor layer, and each of the source and the drain is a conductive oxide layer comprising an oxide semiconductor layer having a conductive impurity in the oxide semiconductor layer. A low resistance metal layer can further be included on the source and drain. A driving circuit of a unit pixel of a flat panel display includes the TFT.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管（TFT），制造TFT的方法以及包括TFT的平板显示器。 TFT包括栅极，与栅极接触的栅极绝缘层，与栅极绝缘层接触且与栅极绝缘层面对栅极的沟道层，接触沟道层的端部的源极; 以及与沟道层的另一端接触的漏极，其中，所述沟道层为非晶氧化物半导体层，所述源极和漏极中的每一个为包含氧化物半导体中具有导电杂质的氧化物半导体层的导电氧化物层 层。 源极和漏极可以进一步包含低电阻金属层。 平板显示器的单位像素的驱动电路包括TFT。