公开(公告)号：US07910291B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11647323

申请日：2006-12-29

申请人： Cheol Kyu Bok ,  Hyun Sook Jun ,  Tae Seung Eom

发明人： Cheol Kyu Bok ,  Hyun Sook Jun ,  Tae Seung Eom

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/70341

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device using an immersion lithography process is disclosed. The immersion lithography process includes forming a photoresist film over an underlying layer of a semiconductor substrate; exposing the photoresist film to light without using an exposure mask; and performing an exposure process using an exposure mask. After exposure using the immersion lithography, a water mark generated from the exposure layer consumes a part of the acid of the exposure layer but the residual acid remains in the exposure layer to prevent generation of pattern defects such as T-top or pattern bridges.

摘要翻译： 公开了使用浸没式光刻工艺制造半导体器件的方法。 浸没式光刻工艺包括在半导体衬底的下层上形成光刻胶膜; 在不使用曝光掩模的情况下将光致抗蚀剂膜曝光; 并使用曝光掩模进行曝光处理。 在使用浸渍光刻曝光之后，从曝光层产生的水印消耗曝光层的酸的一部分，但残留的酸残留在曝光层中，以防止图案缺陷如T顶或图案桥的产生。

公开(公告)号：US20070264593A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11647323

申请日：2006-12-29

申请人： Cheol Kyu Bok ,  Hyun Sook Jun ,  Tae Seung Eom

发明人： Cheol Kyu Bok ,  Hyun Sook Jun ,  Tae Seung Eom

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70341

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device using an immersion lithography process is disclosed. The immersion lithography process includes forming a photoresist film over an underlying layer of a semiconductor substrate; exposing the photoresist film to light without using an exposure mask; and performing an exposure process using an exposure mask. After exposure using the immersion lithography, a water mark generated from the exposure layer consumes a part of the acid of the exposure layer but the residual acid remains in the exposure layer to prevent generation of pattern defects such as T-top or pattern bridges.

摘要翻译： 公开了一种使用浸没式光刻工艺制造半导体器件的方法。 浸没式光刻工艺包括在半导体衬底的下层上形成光刻胶膜; 在不使用曝光掩模的情况下将光致抗蚀剂膜曝光; 并使用曝光掩模进行曝光处理。 在使用浸渍光刻曝光之后，从曝光层产生的水印消耗曝光层的酸的一部分，但残留的酸残留在曝光层中，以防止图案缺陷如T顶或图案桥的产生。

公开(公告)号：US08685627B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US12266459

申请日：2008-11-06

申请人： Ki Lyoung Lee ,  Cheol Kyu Bok ,  Keum Do Ban ,  Jung Gun Heo

发明人： Ki Lyoung Lee ,  Cheol Kyu Bok ,  Keum Do Ban ,  Jung Gun Heo

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/0337

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes forming an etch-target layer over a semiconductor substrate having a lower structure, forming a first mask pattern over the etch-target layer, forming a spacer material layer with a uniform thickness over the etch-target layer including the first mask pattern, forming a second mask pattern on an indented region of the space material layer, and etching the etch-target layer with the first mask pattern and the second mask pattern as an etch mask to form a fine pattern.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法包括在具有较低结构的半导体衬底上形成蚀刻目标层，在蚀刻靶层上形成第一掩模图案，在蚀刻靶层上形成均匀厚度的间隔物材料层 包括第一掩模图案，在空间材料层的凹陷区域上形成第二掩模图案，并且用第一掩模图案和第二掩模图案蚀刻蚀刻目标层作为蚀刻掩模以形成精细图案。

公开(公告)号：US20120289051A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13347531

申请日：2012-01-10

申请人： Jae Heon KIM ,  Cheol Kyu Bok

发明人： Jae Heon KIM ,  Cheol Kyu Bok

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31144 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  H01L21/0337

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device is provided. According to an embodiment, the method includes forming a layer to be etched on a semiconductor substrate, and forming a photoresist pattern on the layer to be etched. A block copolymer including a hydrophobic radical and a hydrophilic radical is formed in the photoresist pattern, and the block copolymer is assembled to allow a polymer having the hydrophobic radical to be formed in a pillar pattern within a polymer having the hydrophilic radical. The polymer having the hydrophobic radical is then selectively removed.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 根据实施例，该方法包括在半导体衬底上形成待蚀刻的层，并在待蚀刻的层上形成光刻胶图案。 在光致抗蚀剂图案中形成包括疏水基团和亲水基团的嵌段共聚物，并且组合嵌段共聚物以允许具有疏水基团的聚合物以具有亲水基团的聚合物中的柱状图案形成。 然后选择性地除去具有疏水基团的聚合物。

公开(公告)号：US07972766B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US11962405

申请日：2007-12-21

申请人： Cheol Kyu Bok

发明人： Cheol Kyu Bok

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/091

摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device comprises: forming anti-reflection coating patterns over an underlying layer of a semiconductor substrate using an anti-reflection coating composition comprising a silicon-containing polymer; forming a photoresist pattern between the anti-reflection coating patterns using a photoresist composition comprising a silicon-containing polymer; and patterning the underlying layer using the photoresist patterns as an etching mask.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括：使用包含含硅聚合物的抗反射涂层组合物在半导体衬底的下层上形成抗反射涂层图案; 使用包含含硅聚合物的光致抗蚀剂组合物在抗反射涂层图案之间形成光致抗蚀剂图案; 并使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化底层。

公开(公告)号：US07494935B2

公开(公告)日：2009-02-24

申请号：US11679176

申请日：2007-02-26

申请人： Jae Chang Jung ,  Seung Chan Moon ,  Cheol Kyu Bok ,  Myoung Ja Min ,  Keun Do Ban ,  Hee Youl Lim

发明人： Jae Chang Jung ,  Seung Chan Moon ,  Cheol Kyu Bok ,  Myoung Ja Min ,  Keun Do Ban ,  Hee Youl Lim

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035

摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device includes forming a first photoresist film pattern over a semiconductor substrate including an underlying layer, exposing the first photoresist film pattern to generate an acid from the first photoresist film pattern, bleaching the first photoresist film pattern, and forming a second photoresist film pattern between the first photoresist patterns.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在包括下层的半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜图案，暴露第一光致抗蚀剂膜图案以从第一光致抗蚀剂膜图案产生酸，漂白第一光致抗蚀剂膜图案 并且在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US07467632B2

公开(公告)日：2008-12-23

申请号：US11650141

申请日：2007-01-04

申请人： Geun Su Lee ,  Cheol Kyu Bok

发明人： Geun Su Lee ,  Cheol Kyu Bok

IPC分类号： B08B3/04 ,  C11D3/28 ,  C11D1/00

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D1/58

摘要： A photoresist cleaning solution and method for forming photoresist patterns using the same. More specifically, disclosed are a photoresist cleaning solution comprising H2O and an ionic surfactant represented by Formula 1, and a method for forming a photoresist pattern using the same. By spraying the cleaning solution of the present invention over photoresist film before and/or after exposing step, pattern formation in an undesired region caused by ghost images can be removed.

摘要翻译： 光致抗蚀剂清洁溶液和使用其形成光致抗蚀剂图案的方法。 更具体地，公开了包含H 2 O和由式1表示的离子表面活性剂的光致抗蚀剂清洁溶液，以及使用其形成光刻胶图案的方法。 通过在曝光步骤之前和/或之后将本发明的清洁溶液喷涂在光致抗蚀剂膜上，可以除去由重影图像引起的不需要的区域中的图案形成。

公开(公告)号：US20080272467A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11964988

申请日：2007-12-27

申请人： Cheol Kyu Bok ,  Keun Do Ban

发明人： Cheol Kyu Bok ,  Keun Do Ban

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  Y10S438/952

摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device includes forming a deposition film over a substrate having an underlying layer. The deposition film includes first, second, and third mask films. The method also includes forming a photoresist pattern over the third mask film, patterning the third mask film to form a deposition pattern, and forming an amorphous carbon pattern at sidewalls of the deposition pattern. The method further includes filling a spin-on-carbon layer over the deposition pattern and the amorphous carbon pattern, polishing the spin-on-carbon layer, the amorphous carbon pattern, and the photoresist pattern to expose the third mask pattern, and performing an etching process to expose the first mask film with the amorphous carbon pattern as an etching mask. The etching process removes the third mask pattern and the exposed second mask pattern. The method also includes removing the spin-on-carbon layer and the amorphous carbon pattern, and forming a first mask pattern with the second mask pattern as an etching mask.

摘要翻译： 用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在具有下层的衬底上形成沉积膜。 沉积膜包括第一，第二和第三掩模膜。 该方法还包括在第三掩模膜上形成光致抗蚀剂图案，图案化第三掩模膜以形成沉积图案，并在沉积图案的侧壁处形成无定形碳图案。 该方法还包括在沉积图案和无定形碳图案上填充旋涂碳层，研磨自旋碳层，无定形碳图案和光致抗蚀剂图案以暴露第三掩模图案，并执行 蚀刻工艺以将无定形碳图案的第一掩模膜暴露为蚀刻掩模。 蚀刻工艺去除第三掩模图案和暴露的第二掩模图案。 该方法还包括除去碳 - 碳层和无定形碳图案，并且用第二掩模图案形成第一掩模图案作为蚀刻掩模。

公开(公告)号：US07381519B2

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：US11158965

申请日：2005-06-22

申请人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

发明人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

IPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/30 ,  G03F7/11 ,  G03F7/095

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046

摘要： Disclosed herein is a top anti-reflective coating polymer and its composition comprising the same represented by Formula 1 below: wherein R1 and R2 are independently, hydrogen, methyl or fluoromethyl; R3 and R4 are independently, a C1-10hydrocarbon or a C1-10 hydrocarbon in which the hydrogen atoms are wholly or partly replaced by fluorine atoms; and a, b, c, d and e represent the mole fraction of each monomer and are in the range between about 0.05 and about 0.9, such that the sum of a, b, c, d, and e equals one.

摘要翻译： 本文公开了顶部抗反射涂层聚合物及其组合物，其包含与下式1表示的相同的基团：其中R 1和R 2独立地为氢，甲基或氟甲基 ; R 3和R 4独立地为C 1-10烷基或C 1-10烷基，其中C 1〜 氢原子被氟原子全部或部分取代; 并且a，b，c，d和e表示各单体的摩尔分数，并且在约0.05和约0.9之间的范围内，使得a，b，c，d和e之和等于1。

公开(公告)号：US20080063985A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11679176

申请日：2007-02-26

申请人： Jae Chang JUNG ,  Seung Chan Moon ,  Cheol Kyu Bok ,  Myoung Ja Min ,  Keun Do Ban ,  Hee Youl Lim

发明人： Jae Chang JUNG ,  Seung Chan Moon ,  Cheol Kyu Bok ,  Myoung Ja Min ,  Keun Do Ban ,  Hee Youl Lim

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035

摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device includes forming a first photoresist film pattern over a semiconductor substrate including an underlying layer, exposing the first photoresist film pattern to generate an acid from the first photoresist film pattern, bleaching the first photoresist film pattern, and forming a second photoresist film pattern between the first photoresist patterns.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在包括下层的半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜图案，暴露第一光致抗蚀剂膜图案以从第一光致抗蚀剂膜图案产生酸，漂白第一光致抗蚀剂膜图案 并且在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案。