公开(公告)号：US20080304245A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US11875611

申请日：2007-10-19

申请人： Chih Ming CHOU ,  Yu Jen Wang ,  Chao Yung Wang ,  Yu Pin Lin ,  Chen Ping Su

发明人： Chih Ming CHOU ,  Yu Jen Wang ,  Chao Yung Wang ,  Yu Pin Lin ,  Chen Ping Su

IPC分类号： B23K1/20 ,  H05K7/02

CPC分类号： B23K20/004 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85148 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A method for discharging an electronic device on a substrate is provided. A metal pin mounted on a wire bonder is used to touch with a specific finger disposed on the substrate which is in electrical connection with the electronic device. As a result, the electric charge previously stored in the electronic device will be conducted to the wire bonder through the specific finger and metal pin thereby discharging the stored charge. Another method for discharging an electronic device on a substrate is also provided. A metal wire protruding out from the capillary of a wire bonder is heated to form a metal ball at the capillary. The capillary is moved to bring the metal ball into contact with the specific finger. As a result, the electric charge previously stored in the electronic device will thus can be discharged to the wire bonder. The present invention further provides a semiconductor package.

摘要翻译： 提供了一种用于在基板上排出电子器件的方法。 安装在引线接合器上的金属引脚用于与设置在与电子设备电连接的基板上的特定手指接触。 结果，先前存储在电子装置中的电荷将通过特定的手指和金属销引导到引线接合器，从而放电存储的电荷。 还提供了用于在基板上放电电子器件的另一种方法。 从引线接合器的毛细管突出的金属线被加热，以在毛细管处形成金属球。 移动毛细管使金属球与特定的手指接触。 结果，预先存储在电子设备中的电荷将被释放到引线接合器中。 本发明还提供一种半导体封装。

公开(公告)号：US08541855B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US13068398

申请日：2011-05-10

申请人： Guenole Jan ,  Witold Kula ,  Ru Ying Tong ,  Yu Jen Wang

发明人： Guenole Jan ,  Witold Kula ,  Ru Ying Tong ,  Yu Jen Wang

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/00 ,  H01L23/552 ,  H01L29/34 ,  H01L29/74 ,  H01L31/111

CPC分类号： H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A MTJ for a spintronic device is disclosed and includes a thin seed layer that enhances perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in an overlying laminated layer with a (Co/Ni)n composition or the like where n is from 2 to 30. The seed layer is preferably NiCr, NiFeCr, Hf, or a composite thereof with a thickness from 10 to 100 Angstroms. Furthermore, a magnetic layer such as CoFeB may be formed between the laminated layer and a tunnel barrier layer to serve as a transitional layer between a (111) laminate and (100) MgO tunnel barrier. There may be a Ta insertion layer between the CoFeB layer and laminated layer to promote (100) crystallization in the CoFeB layer. The laminated layer may be used as a reference layer, dipole layer, or free layer in a MTJ. Annealing between 300° C. and 400° C. may be used to further enhance PMA in the laminated layer.

摘要翻译： 公开了一种用于自旋电子器件的MTJ，并且包括薄层种子层，其通过（Co / Ni）n组合物等在上层叠层中提高垂直磁各向异性（PMA），其中n为2至30.种子层 优选为NiCr，NiFeCr，Hf，或其复合物，厚度为10〜100埃。 此外，可以在层压层和隧道势垒层之间形成诸如CoFeB的磁性层，以用作（111）层压体和（100）MgO隧道势垒之间的过渡层。 在CoFeB层和层叠层之间可以存在Ta插入层，以促进CoFeB层中的（100）结晶。 叠层可以用作MTJ中的参考层，偶极子层或自由层。 在300℃和400℃之间的退火可用于进一步增强层压层中的PMA。

公开(公告)号：US20140017820A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US14032599

申请日：2013-09-20

申请人： Guenole Jan ,  Witold Kula ,  Ru Ying Tong ,  Yu Jen Wang

发明人： Guenole Jan ,  Witold Kula ,  Ru Ying Tong ,  Yu Jen Wang

IPC分类号： H01L43/12

CPC分类号： H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A method for forming a MTJ in a spintronic device is disclosed and includes a thin seed layer that enhances perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in an overlying laminated layer with a (Co/Ni)n composition. The seed layer is preferably NiCr, NiFeCr, Hf, or a composite thereof. Furthermore, a magnetic layer such as CoFeB may be formed between the laminated layer and a tunnel barrier layer to serve as a transitional layer between a (111) laminate and (100) MgO tunnel barrier. There may be a Ta insertion layer between the CoFeB layer and laminated layer to promote (100) crystallization in the CoFeB layer. The laminated layer may be used as a reference layer, dipole layer, or free layer in a MTJ. Annealing between 300° C. and 400° C. may be used to further enhance PMA in the laminated layer.

摘要翻译： 公开了一种用于在自旋电子器件中形成MTJ的方法，并且包括在（Co / Ni）n组成的上覆层压层中增强垂直磁各向异性（PMA）的薄籽晶层。 种子层优选为NiCr，NiFeCr，Hf或其复合物。 此外，可以在层压层和隧道势垒层之间形成诸如CoFeB的磁性层，以用作（111）层压体和（100）MgO隧道势垒之间的过渡层。 在CoFeB层和层叠层之间可以存在Ta插入层，以促进CoFeB层中的（100）结晶。 叠层可以用作MTJ中的参考层，偶极子层或自由层。 在300℃和400℃之间的退火可用于进一步增强层压层中的PMA。

公开(公告)号：US20120286382A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13068398

申请日：2011-05-10

申请人： Guenole Jan ,  Witold Kula ,  Ru Ying Tong ,  Yu Jen Wang

发明人： Guenole Jan ,  Witold Kula ,  Ru Ying Tong ,  Yu Jen Wang

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A MTJ for a spintronic device is disclosed and includes a thin seed layer that enhances perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in an overlying laminated layer with a (Co/Ni)n composition or the like where n is from 2 to 30. The seed layer is preferably NiCr, NiFeCr, Hf, or a composite thereof with a thickness from 10 to 100 Angstroms. Furthermore, a magnetic layer such as CoFeB may be formed between the laminated layer and a tunnel barrier layer to serve as a transitional layer between a (111) laminate and (100) MgO tunnel barrier. There may be a Ta insertion layer between the CoFeB layer and laminated layer to promote (100) crystallization in the CoFeB layer. The laminated layer may be used as a reference layer, dipole layer, or free layer in a MTJ. Annealing between 300° C. and 400° C. may be used to further enhance PMA in the laminated layer.

摘要翻译： 公开了一种用于自旋电子器件的MTJ，并且包括薄层种子层，其通过（Co / Ni）n组合物等在上层叠层中提高垂直磁各向异性（PMA），其中n为2至30.种子层 优选为NiCr，NiFeCr，Hf，或其复合物，厚度为10〜100埃。 此外，可以在层压层和隧道势垒层之间形成诸如CoFeB的磁性层，以用作（111）层压体和（100）MgO隧道势垒之间的过渡层。 在CoFeB层和层叠层之间可以存在Ta插入层，以促进CoFeB层中的（100）结晶。 叠层可以用作MTJ中的参考层，偶极子层或自由层。 在300℃和400℃之间的退火可用于进一步增强层压层中的PMA。

公开(公告)号：US20140015079A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US14032593

申请日：2013-09-20

申请人： Guenole Jan ,  Witold Kula ,  Ru Ying Tong ,  Yu Jen Wang

发明人： Guenole Jan ,  Witold Kula ,  Ru Ying Tong ,  Yu Jen Wang

IPC分类号： H01L43/10

CPC分类号： H01L43/10 ,  G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A MTJ for a spintronic device is disclosed and includes a thin seed layer that enhances perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in an overlying laminated layer with a (Co/Ni)n composition or the like where n is from 2 to 30. The seed layer is preferably NiCr, NiFeCr, Hf, or a composite thereof with a thickness from 10 to 100 Angstroms. Furthermore, a magnetic layer such as CoFeB may be formed between the laminated layer and a tunnel barrier layer to serve as a transitional layer between a (111) laminate and (100) MgO tunnel barrier. There may be a Ta insertion layer between the CoFeB layer and laminated layer to promote (100) crystallization in the CoFeB layer. The laminated layer may be used as a reference layer, dipole layer, or free layer in a MTJ. Annealing between 300° C. and 400° C. may be used to further enhance PMA in the laminated layer.

摘要翻译： 公开了一种用于自旋电子器件的MTJ，并且包括薄层种子层，其通过（Co / Ni）n组合物等在上层叠层中提高垂直磁各向异性（PMA），其中n为2至30.种子层 优选为NiCr，NiFeCr，Hf，或其复合物，厚度为10〜100埃。 此外，可以在层压层和隧道势垒层之间形成诸如CoFeB的磁性层，以用作（111）层压体和（100）MgO隧道势垒之间的过渡层。 在CoFeB层和层叠层之间可以存在Ta插入层，以促进CoFeB层中的（100）结晶。 叠层可以用作MTJ中的参考层，偶极子层或自由层。 在300℃和400℃之间的退火可用于进一步增强层压层中的PMA。