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    Method of fabricating metal oxide semiconductor transistor
    1.
    发明申请
    Method of fabricating metal oxide semiconductor transistor 有权
    制造金属氧化物半导体晶体管的方法

    公开(公告)号：US20100227445A1

    公开(公告)日：2010-09-09

    申请号：US12781826

    申请日：2010-05-18

    申请人： Chu-Yin Tseng ,  Shih-Chieh Hsu ,  Chih-Chiang Wu ,  Shyh-Fann Ting ,  Po-Lun Cheng ,  Hsuan-Hsu Chen

    发明人： Chu-Yin Tseng ,  Shih-Chieh Hsu ,  Chih-Chiang Wu ,  Shyh-Fann Ting ,  Po-Lun Cheng ,  Hsuan-Hsu Chen

    IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

    摘要： A method of fabricating a MOS transistor is disclosed. The method includes the steps of: providing a semiconductor substrate; forming at least a gate on the semiconductor substrate; forming a protective layer on the semiconductor substrate, and the protective layer covering the surface of the gate; forming at least a recess within the semiconductor substrate adjacent to the gate; forming an epitaxial layer in the recess, wherein the top surface of the epitaxial layer is above the surface of the semiconductor substrate; and forming a spacer on the sidewall of the gate and on a portion of the epitaxial layer, wherein a contact surface of the epitaxial layer and the spacer is above the surface of the semiconductor substrate.

    摘要翻译： 公开了制造MOS晶体管的方法。 该方法包括以下步骤：提供半导体衬底; 在所述半导体衬底上形成至少栅极; 在所述半导体衬底上形成保护层，所述保护层覆盖所述栅极表面; 在所述半导体衬底内至少形成与所述栅极相邻的凹部; 在所述凹部中形成外延层，其中所述外延层的顶表面在所述半导体衬底的表面之上; 以及在所述栅极的侧壁和所述外延层的一部分上形成间隔物，其中所述外延层和所述间隔物的接触表面在所述半导体衬底的表面之上。

    Method of fabricating metal oxide semiconductor transistor
    3.
    发明授权
    Method of fabricating metal oxide semiconductor transistor 有权
    制造金属氧化物半导体晶体管的方法

    公开(公告)号：US08076194B2

    公开(公告)日：2011-12-13

    申请号：US12781826

    申请日：2010-05-18

    申请人： Chu-Yin Tseng ,  Shih-Chieh Hsu ,  Chih-Chiang Wu ,  Shyh-Fann Ting ,  Po-Lun Cheng ,  Hsuan-Hsu Chen

    发明人： Chu-Yin Tseng ,  Shih-Chieh Hsu ,  Chih-Chiang Wu ,  Shyh-Fann Ting ,  Po-Lun Cheng ,  Hsuan-Hsu Chen

    IPC分类号： H01L21/8238

    CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

    摘要： A method of fabricating a MOS transistor is disclosed. The method includes the steps of: providing a semiconductor substrate; forming at least a gate on the semiconductor substrate; forming a protective layer on the semiconductor substrate, and the protective layer covering the surface of the gate; forming at least a recess within the semiconductor substrate adjacent to the gate; forming an epitaxial layer in the recess, wherein the top surface of the epitaxial layer is above the surface of the semiconductor substrate; and forming a spacer on the sidewall of the gate and on a portion of the epitaxial layer, wherein a contact surface of the epitaxial layer and the spacer is above the surface of the semiconductor substrate.

    摘要翻译： 公开了制造MOS晶体管的方法。 该方法包括以下步骤：提供半导体衬底; 在所述半导体衬底上形成至少栅极; 在所述半导体衬底上形成保护层，所述保护层覆盖所述栅极表面; 在所述半导体衬底内至少形成与所述栅极相邻的凹部; 在所述凹部中形成外延层，其中所述外延层的顶表面在所述半导体衬底的表面之上; 以及在所述栅极的侧壁和所述外延层的一部分上形成间隔物，其中所述外延层和所述间隔物的接触表面在所述半导体衬底的表面之上。

    Method for fabricating a patterned structure of a semiconductor device
    5.
    发明授权
    Method for fabricating a patterned structure of a semiconductor device 有权
    用于制造半导体器件的图案化结构的方法

    公开(公告)号：US08524608B1

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13456245

    申请日：2012-04-26

    申请人： Lung-En Kuo ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Hsuan-Hsu Chen ,  Meng-Chun Lee

    发明人： Lung-En Kuo ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Hsuan-Hsu Chen ,  Meng-Chun Lee

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

    摘要： The present invention provides a method for fabricating a patterned structure in a semiconductor device, which includes the following processes. First, a target layer, a first mask and a first patterned mask are sequentially formed on a substrate. Then, a first etching process is performed to form a plurality of characteristic structures on the substrate, wherein each of the characteristic structures comprises a patterned first mask and a patterned target layer. A second patterned mask is formed on the substrate, wherein the second patterned mask covers a portion of the characteristic structures and exposes a predetermined region. A second etching process is performed to fully eliminate the characteristic structures within the predetermined region. Finally, a third etching process is performed to fully eliminate the target layer not covered by the patterned first mask.

    摘要翻译： 本发明提供一种在半导体器件中制造图案化结构的方法，其包括以下处理。 首先，在基板上依次形成目标层，第一掩模和第一图案化掩模。 然后，执行第一蚀刻工艺以在衬底上形成多个特征结构，其中每个特征结构包括图案化的第一掩模和图案化目标层。 第二图案化掩模形成在衬底上，其中第二图案化掩模覆盖特征结构的一部分并暴露预定区域。 执行第二蚀刻处理以完全消除预定区域内的特征结构。 最后，执行第三蚀刻处理以完全消除未被图案化的第一掩模覆盖的目标层。

    Process for fabricating micro-display
    6.
    发明授权
    Process for fabricating micro-display 有权
    微显示器制造工艺

    公开(公告)号：US07598023B2

    公开(公告)日：2009-10-06

    申请号：US11162909

    申请日：2005-09-28

    申请人： Yi-Tyng Wu ,  Shih-Hung Chen ,  Huai-Hsuan Tsai ,  Chih-Hung Cheng ,  Chien-Hua Tsai ,  Hsuan-Hsu Chen

    发明人： Yi-Tyng Wu ,  Shih-Hung Chen ,  Huai-Hsuan Tsai ,  Chih-Hung Cheng ,  Chien-Hua Tsai ,  Hsuan-Hsu Chen

    IPC分类号： G03F7/00

    CPC分类号： G02F1/133502 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136277 ,  Y10S430/151

    摘要： A process for fabricating a micro-display is provided. First, a wafer having a driving circuit thereon is provided. Then, a metallic reflective layer is formed on the wafer. Thereafter, an anti-reflection layer and a patterned photoresist layer are sequentially formed on the metallic reflective layer. Using the patterned photoresist layer as an etching mask, the anti-reflection layer and the metallic reflective layer are etched to form a trench pattern that exposes the surface of the wafer. After that, the patterned photoresist layer is removed. A dielectric layer is formed to cover the anti-reflection layer and fill the trench pattern. Then, a portion of the dielectric layer and the anti-reflection layer are removed to expose the surface of the metallic reflective layer.

    摘要翻译： 提供一种制造微型显示器的方法。 首先，提供其上具有驱动电路的晶片。 然后，在晶片上形成金属反射层。 此后，在金属反射层上依次形成抗反射层和图案化的光致抗蚀剂层。 使用图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，对抗反射层和金属反射层进行蚀刻以形成暴露晶片表面的沟槽图案。 之后，去除图案化的光致抗蚀剂层。 形成介电层以覆盖抗反射层并填充沟槽图案。 然后，去除电介质层和抗反射层的一部分以露出金属反射层的表面。

    PROCESS FOR FABRICATING MICRO-DISPLAY
    7.
    发明申请
    PROCESS FOR FABRICATING MICRO-DISPLAY 有权
    制作微型显示的方法

    公开(公告)号：US20070072130A1

    公开(公告)日：2007-03-29

    申请号：US11162909

    申请日：2005-09-28

    申请人： Yi-Tyng Wu ,  Shih-Hung Chen ,  Huai-Hsuan Tsai ,  Chih-Hung Cheng ,  Chien-Hua Tsai ,  Hsuan-Hsu Chen

    发明人： Yi-Tyng Wu ,  Shih-Hung Chen ,  Huai-Hsuan Tsai ,  Chih-Hung Cheng ,  Chien-Hua Tsai ,  Hsuan-Hsu Chen

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： G02F1/133502 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136277 ,  Y10S430/151

    摘要： A process for fabricating a micro-display is provided. First, a wafer having a driving circuit thereon is provided. Then, a metallic reflective layer is formed on the wafer. Thereafter, an anti-reflection layer and a patterned photoresist layer are sequentially formed on the metallic reflective layer. Using the patterned photoresist layer as an etching mask, the anti-reflection layer and the metallic reflective layer are etched to form a trench pattern that exposes the surface of the wafer. After that, the patterned photoresist layer is removed. A dielectric layer is formed to cover the anti-reflection layer and fill the trench pattern. Then, a portion of the dielectric layer and the anti-reflection layer are removed to expose the surface of the metallic reflective layer.

    摘要翻译： 提供一种制造微型显示器的方法。 首先，提供其上具有驱动电路的晶片。 然后，在晶片上形成金属反射层。 此后，在金属反射层上依次形成抗反射层和图案化的光致抗蚀剂层。 使用图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，对抗反射层和金属反射层进行蚀刻以形成暴露晶片表面的沟槽图案。 之后，去除图案化的光致抗蚀剂层。 形成介电层以覆盖抗反射层并填充沟槽图案。 然后，去除电介质层和抗反射层的一部分以露出金属反射层的表面。

    Semiconductor process
    8.
    发明授权
    Semiconductor process 有权
    半导体工艺

    公开(公告)号：US08691652B2

    公开(公告)日：2014-04-08

    申请号：US13463809

    申请日：2012-05-03

    申请人： Lung-En Kuo ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Hsuan-Hsu Chen

    发明人： Lung-En Kuo ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Hsuan-Hsu Chen

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/66795

    摘要： A semiconductor process includes the following steps. A fin-shaped structure is formed on a substrate. A gate structure and a cap layer are formed, wherein the gate structure is disposed across parts of the fin-shaped structure and parts of the substrate, the cap layer is on the gate structure, and the cap layer includes a first cap layer on the gate structure and a second cap layer on the first cap layer. A spacer material is formed to entirely cover the second cap layer, the fin-shaped structure and the substrate. The spacer material is etched, so that the sidewalls of the second cap layer are exposed and a spacer is formed beside the gate structure. The second cap layer is removed.

    摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 在基板上形成翅片状结构。 形成栅极结构和盖层，其中栅极结构设置在鳍状结构的一部分和基板的一部分之间，盖层在栅极结构上，并且盖层包括第一盖层 栅极结构和第一盖层上的第二盖层。 形成间隔材料以完全覆盖第二盖层，鳍状结构和基底。 间隔物材料被蚀刻，使得第二盖层的侧壁被暴露，并且在栅极结构旁边形成间隔物。 第二盖层被去除。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTERCONNECT STRUCTURE
    9.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTERCONNECT STRUCTURE 审中-公开
    半导体器件和互连结构

    公开(公告)号：US20080111160A1

    公开(公告)日：2008-05-15

    申请号：US11954182

    申请日：2007-12-11

    申请人： Yuan-Sheng Chiang ,  Hsuan-Hsu Chen

    发明人： Yuan-Sheng Chiang ,  Hsuan-Hsu Chen

    IPC分类号： H01L27/148

    CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L21/76804

    摘要： A semiconductor device is described, including a substrate, a transistor, a hard mask layer and an anti-reflection layer. The substrate includes a first area and a second area, wherein the second area includes a photosensing area. The transistor is disposed on the substrate in the first area and the hard mask layer over the substrate in the second area. The anti-reflection layer is disposed between the hard mask layer and the substrate.

    摘要翻译： 描述了一种半导体器件，包括衬底，晶体管，硬掩模层和抗反射层。 衬底包括第一区域和第二区域，其中第二区域包括光敏区域。 晶体管设置在第一区域的基板上，第二区域中设置在基板上的硬掩模层。 防反射层设置在硬掩模层和基板之间。

    SEMICONDUCTOR PROCESS
    10.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR PROCESS 有权
    半导体工艺

    公开(公告)号：US20130295738A1

    公开(公告)日：2013-11-07

    申请号：US13463809

    申请日：2012-05-03

    申请人： Lung-En Kuo ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Hsuan-Hsu Chen

    发明人： Lung-En Kuo ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Hsuan-Hsu Chen

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/66795

    摘要： A semiconductor process includes the following steps. A fin-shaped structure is formed on a substrate. A gate structure and a cap layer are formed, wherein the gate structure is disposed across parts of the fin-shaped structure and parts of the substrate, the cap layer is on the gate structure, and the cap layer includes a first cap layer on the gate structure and a second cap layer on the first cap layer. A spacer material is formed to entirely cover the second cap layer, the fin-shaped structure and the substrate. The spacer material is etched, so that the sidewalls of the second cap layer are exposed and a spacer is formed beside the gate structure. The second cap layer is removed.

    摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 在基板上形成翅片状结构。 形成栅极结构和盖层，其中栅极结构设置在鳍状结构的一部分和基板的一部分之间，盖层在栅极结构上，并且盖层包括第一盖层 栅极结构和第一盖层上的第二盖层。 形成间隔材料以完全覆盖第二盖层，鳍状结构和基底。 间隔物材料被蚀刻，使得第二盖层的侧壁被暴露，并且在栅极结构旁边形成间隔物。 第二盖层被去除。