公开(公告)号：US20120294322A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13565018

申请日：2012-08-02

申请人： Chung Woh Lai ,  Xiao Hu Liu ,  Anita Madan ,  Klaus W. Schwarz ,  J. Campbell Scott

发明人： Chung Woh Lai ,  Xiao Hu Liu ,  Anita Madan ,  Klaus W. Schwarz ,  J. Campbell Scott

IPC分类号： H01S3/10

CPC分类号： H01L21/3221 ,  H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/3226 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7842

摘要： A system for manipulating dislocations on semiconductor devices, includes a moveable laser configured to generate a laser beam locally on a surface portion of the semiconductor body having a plurality of dislocations, the moveable laser being characterized as having a scan speed, the moveable laser manipulates the plurality of dislocations on the surface portion of the semiconductor body by adjusting the temperature and the scan speed of the laser beam.

摘要翻译： 一种用于操纵半导体器件上的位错的系统，包括可移动激光器，其被配置为在具有多个位错的半导体主体的表面部分局部地产生激光束，所述可移动激光器的特征在于具有扫描速度，所述可移动激光器 通过调整激光束的温度和扫描速度，半导体本体的表面部分上的多个位错。

公开(公告)号：US08138066B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12242990

申请日：2008-10-01

申请人： Chung Woh Lai ,  Xiao Hu Liu ,  Anita Madan ,  Klaus W. Schwarz ,  J. Campbell Scott

发明人： Chung Woh Lai ,  Xiao Hu Liu ,  Anita Madan ,  Klaus W. Schwarz ,  J. Campbell Scott

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： H01L21/3221 ,  H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/3226 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7842

摘要： A method for generating patterned strained regions in a semiconductor device is provided. The method includes directing a light-emitting beam locally onto a surface portion of a semiconductor body; and manipulating a plurality of dislocations located proximate to the surface portion of the semiconductor body utilizing the light-emitting beam, the light-emitting beam being characterized as having a scan speed, so as to produce the patterned strained regions.

摘要翻译： 提供了一种在半导体器件中产生图案化应变区域的方法。 该方法包括将发光束局部引导到半导体本体的表面部分上; 以及利用所述发光束操作位于所述半导体主体的表面部分附近的多个位错，所述发光束的特征在于具有扫描速度，以便产生所述图案化的应变区域。

公开(公告)号：US20100081259A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12242990

申请日：2008-10-01

申请人： Chung Woh Lai ,  Xiao Hu Liu ,  Anita Madan ,  Klaus W. Schwarz ,  J. Campbell Scott

发明人： Chung Woh Lai ,  Xiao Hu Liu ,  Anita Madan ,  Klaus W. Schwarz ,  J. Campbell Scott

IPC分类号： H01L21/22 ,  G21K5/00

CPC分类号： H01L21/3221 ,  H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/3226 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7842

摘要： A method for generating patterned strained regions in a semiconductor device is provided. The method includes directing a light-emitting beam locally onto a surface portion of a semiconductor body; and manipulating a plurality of dislocations located proximate to the surface portion of the semiconductor body utilizing the light-emitting beam, the light-emitting beam being characterized as having a scan speed, so as to produce the patterned strained regions.

摘要翻译： 提供了一种在半导体器件中产生图案化应变区域的方法。 该方法包括将发光束局部引导到半导体本体的表面部分上; 以及利用所述发光束操作位于所述半导体主体的表面部分附近的多个位错，所述发光束的特征在于具有扫描速度，以便产生所述图案化的应变区域。

公开(公告)号：US20120138823A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13372713

申请日：2012-02-14

申请人： Chung Woh Lai ,  Xiao Hi Liu ,  Anita Madan ,  Klaus Schwarz ,  J. Campbell Scott

发明人： Chung Woh Lai ,  Xiao Hi Liu ,  Anita Madan ,  Klaus Schwarz ,  J. Campbell Scott

IPC分类号： B01J19/12

CPC分类号： H01L21/3221 ,  H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/3226 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7842

摘要： A method for generating patterned strained regions in a semiconductor device is provided. The method includes directing a light-emitting beam locally onto a surface portion of a semiconductor body; and manipulating a plurality of dislocations located proximate to the surface portion of the semiconductor body utilizing the light-emitting beam, the light-emitting beam being characterized as having a scan speed, so as to produce the patterned strained regions.

摘要翻译： 提供了一种在半导体器件中产生图案化应变区域的方法。 该方法包括将发光束局部引导到半导体本体的表面部分上; 以及利用所述发光束操作位于所述半导体主体的表面部分附近的多个位错，所述发光束的特征在于具有扫描速度，以便产生所述图案化的应变区域。

公开(公告)号：US20090146181A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US11952939

申请日：2007-12-07

申请人： Chung Woh Lai ,  Oleg Gluschenkov ,  Henry K. Utomo ,  Lee Wee Teo ,  Jin Ping Liu ,  Anita Madan ,  Rainer Loesing ,  Jin-Ping Han ,  Hyung-Yoon Choi

发明人： Chung Woh Lai ,  Oleg Gluschenkov ,  Henry K. Utomo ,  Lee Wee Teo ,  Jin Ping Liu ,  Anita Madan ,  Rainer Loesing ,  Jin-Ping Han ,  Hyung-Yoon Choi

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

摘要： An integrated circuit system that includes: providing a PFET device including a doped epitaxial layer; and forming a source/drain extension by employing an energy source to diffuse a dopant from the doped epitaxial layer.

摘要翻译： 一种集成电路系统，包括：提供包括掺杂外延层的PFET器件; 以及通过使用能量源从掺杂的外延层扩散掺杂剂形成源极/漏极扩展。

公开(公告)号：US08053327B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US11614961

申请日：2006-12-21

申请人： Shailendra Mishra ,  Lee Wee Teo ,  Yong Meng Lee ,  Zhao Lun ,  Chung Woh Lai ,  Shyue Seng Tan ,  Jeffrey Chee ,  Johnny Widodo

发明人： Shailendra Mishra ,  Lee Wee Teo ,  Yong Meng Lee ,  Zhao Lun ,  Chung Woh Lai ,  Shyue Seng Tan ,  Jeffrey Chee ,  Johnny Widodo

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823481

摘要： An integrated circuit system is provided including providing a substrate, forming an isolation structure base in the substrate without removal of the substrate, and forming a first transistor in the substrate next to the isolation structure base.

摘要翻译： 提供一种集成电路系统，包括提供衬底，在衬底中形成隔离结构基底而不去除衬底，以及在隔离结构基底旁边的衬底中形成第一晶体管。

公开(公告)号：US07999325B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12241073

申请日：2008-09-30

申请人： Young Way Teh ,  Yong Meng Lee ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  John Sudijono ,  Hui Peng Koh ,  Liang Choo Hsia

发明人： Young Way Teh ,  Yong Meng Lee ,  Chung Woh Lai ,  Wenhe Lin ,  Khee Yong Lim ,  Wee Leng Tan ,  John Sudijono ,  Hui Peng Koh ,  Liang Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864

摘要： An example process to remove spacers from the gate of a NMOS transistor. A stress creating layer is formed over the NMOS and PMOS transistors and the substrate. In an embodiment, the spacers on gate are removed so that stress layer is closer to the channel of the device. The stress creating layer is preferably a tensile nitride layer. The stress creating layer is preferably a contact etch stop liner layer. In an embodiment, the gates, source and drain region have a silicide layer thereover before the stress creating layer is formed. The embodiment improves the performance of the NMOS transistors.

摘要翻译： 从NMOS晶体管的栅极去除间隔物的示例性过程。 在NMOS和PMOS晶体管和衬底上形成应力产生层。 在一个实施例中，栅极上的间隔物被去除，使得应力层更靠近器件的通道。 应力产生层优选为拉伸氮化物层。 应力产生层优选为接触蚀刻停止衬层。 在一个实施例中，在形成应力产生层之前，栅极，源极和漏极区域之前具有硅化物层。 该实施例改善了NMOS晶体管的性能。

公开(公告)号：US07935593B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12366356

申请日：2009-02-05

申请人： Jong Ho Yang ,  Jin-Ping Han ,  Chung Woh Lai ,  Henry Utomo

发明人： Jong Ho Yang ,  Jin-Ping Han ,  Chung Woh Lai ,  Henry Utomo

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： Embodiments of the present disclosure provide stress optimization during manufacturing of dual embedded epitaxially grown (EPI) semiconductor structures using just two masks, such as nFET and pFET open for embedded epitaxial using SiC and SiGe, and separated halo implantation masks for both horizontal and vertical PC

摘要翻译： 本公开的实施例在仅使用两个掩模的双嵌入式外延生长（EPI）半导体结构的制造期间提供应力优化，例如用于使用SiC和SiGe的嵌入式外延的nFET和pFET，以及用于水平和垂直PC的分离的晕圈注入掩模

公开(公告)号：US07838372B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12125238

申请日：2008-05-22

申请人： Jin-Ping Han ,  Jong Ho Yang ,  Chung Woh Lai ,  Henry Utomo

发明人： Jin-Ping Han ,  Jong Ho Yang ,  Chung Woh Lai ,  Henry Utomo

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636

摘要： Methods of manufacturing semiconductor devices and structures thereof are disclosed. In one embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes forming recesses in a first region and a second region of a workpiece. The first region of the workpiece is masked, and the recesses in the second region of the workpiece are filled with a first semiconductive material. The second region of the workpiece is masked, and the recesses in the first region of the workpiece are filled with a second semiconductive material.

摘要翻译： 公开了制造半导体器件的方法及其结构。 在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件的第一区域和第二区域中形成凹陷。 工件的第一区域被掩蔽，并且工件的第二区域中的凹部填充有第一半导体材料。 工件的第二区域被掩蔽，并且工件的第一区域中的凹部填充有第二半导体材料。

公开(公告)号：US07767577B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US12031693

申请日：2008-02-14

申请人： Johnny Widodo ,  Liang Choo Hsia ,  James Yong Meng Lee ,  Wen Zhi Gao ,  Zhao Lun ,  Huang Liu ,  Chung Woh Lai ,  Shailendra Mishra ,  Yew Tuck Chow ,  Fang Chen ,  Shiang Yang Ong

发明人： Johnny Widodo ,  Liang Choo Hsia ,  James Yong Meng Lee ,  Wen Zhi Gao ,  Zhao Lun ,  Huang Liu ,  Chung Woh Lai ,  Shailendra Mishra ,  Yew Tuck Chow ,  Fang Chen ,  Shiang Yang Ong

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/41783 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823443 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833

摘要： A processing layer, such as silicon, is formed on a metal silicide contact followed by a metal layer. The silicon and metal layers are annealed to increase the thickness of the metal silicide contact. By selectively increasing the thickness of silicide contacts, Rs of transistors in iso and nested regions can be matched.

摘要翻译： 在金属硅化物接触之后形成金属层，例如硅的处理层。 对硅和金属层进行退火以增加金属硅化物接触的厚度。 通过选择性地增加硅化物接触的厚度，可以匹配异和嵌套区域中的晶体管的Rs。