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    FETs with Hybrid Channel Materials
    1.
    发明申请
    FETs with Hybrid Channel Materials 有权
    混合通道材料的FET

    公开(公告)号：US20130153964A1

    公开(公告)日：2013-06-20

    申请号：US13326825

    申请日：2011-12-15

    申请人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Edward William Kiewra ,  Kuen-Ting Shiu

    发明人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Edward William Kiewra ,  Kuen-Ting Shiu

    IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

    CPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0605

    摘要： Techniques for employing different channel materials within the same CMOS circuit are provided. In one aspect, a method of fabricating a CMOS circuit includes the following steps. A wafer is provided having a first semiconductor layer on an insulator. STI is used to divide the first semiconductor layer into a first active region and a second active region. The first semiconductor layer is recessed in the first active region. A second semiconductor layer is epitaxially grown on the first semiconductor layer, wherein the second semiconductor layer comprises a material having at least one group III element and at least one group V element. An n-FET is formed in the first active region using the second semiconductor layer as a channel material for the n-FET. A p-FET is formed in the second active region using the first semiconductor layer as a channel material for the p-FET.

    摘要翻译： 提供在同一CMOS电路内采用不同通道材料的技术。 一方面，制造CMOS电路的方法包括以下步骤。 提供了在绝缘体上具有第一半导体层的晶片。 STI用于将第一半导体层分成第一有源区和第二有源区。 第一半导体层凹入第一有源区。 第二半导体层在第一半导体层上外延生长，其中第二半导体层包括具有至少一个III族元素和至少一个V族元素的材料。 使用第二半导体层作为n-FET的沟道材料，在第一有源区中形成n-FET。 使用第一半导体层作为p-FET的沟道材料，在第二有源区中形成p-FET。

    FETs with hybrid channel materials
    2.
    发明授权
    FETs with hybrid channel materials 有权
    具有混合通道材料的FET

    公开(公告)号：US08610172B2

    公开(公告)日：2013-12-17

    申请号：US13326825

    申请日：2011-12-15

    申请人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Edward William Kiewra ,  Kuen-Ting Shiu

    发明人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Edward William Kiewra ,  Kuen-Ting Shiu

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0605

    摘要： Techniques for employing different channel materials within the same CMOS circuit are provided. In one aspect, a method of fabricating a CMOS circuit includes the following steps. A wafer is provided having a first semiconductor layer on an insulator. STI is used to divide the first semiconductor layer into a first active region and a second active region. The first semiconductor layer is recessed in the first active region. A second semiconductor layer is epitaxially grown on the first semiconductor layer, wherein the second semiconductor layer comprises a material having at least one group III element and at least one group V element. An n-FET is formed in the first active region using the second semiconductor layer as a channel material for the n-FET. A p-FET is formed in the second active region using the first semiconductor layer as a channel material for the p-FET.

    摘要翻译： 提供在同一CMOS电路内采用不同通道材料的技术。 一方面，制造CMOS电路的方法包括以下步骤。 提供了在绝缘体上具有第一半导体层的晶片。 STI用于将第一半导体层分成第一有源区和第二有源区。 第一半导体层凹入第一有源区。 第二半导体层在第一半导体层上外延生长，其中第二半导体层包括具有至少一个III族元素和至少一个V族元素的材料。 使用第二半导体层作为n-FET的沟道材料，在第一有源区中形成n-FET。 使用第一半导体层作为p-FET的沟道材料，在第二有源区中形成p-FET。

    Self-aligned III-V MOSFET fabrication with in-situ III-V epitaxy and in-situ metal epitaxy and contact formation
    3.
    发明申请
    Self-aligned III-V MOSFET fabrication with in-situ III-V epitaxy and in-situ metal epitaxy and contact formation 审中-公开
    自对准III-V MOSFET制造，具有原位III-V外延和原位金属外延和接触形成

    公开(公告)号：US20120187505A1

    公开(公告)日：2012-07-26

    申请号：US13013206

    申请日：2011-01-25

    申请人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Jeehwan Kim ,  Kuen-Ting Shiu

    发明人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Jeehwan Kim ,  Kuen-Ting Shiu

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/78

    摘要： A method for forming a transistor includes providing a patterned gate stack disposed on a III-V substrate and having sidewall spacers formed on sides of the patterned gate stack, the III-V substrate including source/drain regions adjacent to the sidewall spacers and field oxide regions formed adjacent to the source/drain regions. The method includes growing raised source/drain regions on the source/drain regions, the grown raised source/drain regions including III-V semiconductor material, and growing metal contacts on the grown raised source/drain regions. Another method for forming a transistor includes providing a patterned gate stack disposed on a III-V substrate and having sidewall spacers formed on sides of the patterned gate stack, the III-V substrate including source/drain regions adjacent to the sidewall spacers and field oxide regions formed adjacent to the source/drain regions. The method includes growing metal contacts on the source/drain regions. Transistors and computer program products are also disclosed.

    摘要翻译： 一种用于形成晶体管的方法，包括提供设置在III-V衬底上并且具有形成在图案化栅极堆叠的侧面上的侧壁间隔物的图案化栅极堆叠，所述III-V衬底包括与侧壁间隔物相邻的源极/漏极区域和场氧化物 与源/漏区相邻形成的区域。 该方法包括在源极/漏极区域上生长凸起的源极/漏极区域，生长的升高的源极/漏极区域包括III-V半导体材料，以及在生长的升高的源极/漏极区域上生长的金属接触。 形成晶体管的另一种方法包括提供设置在III-V衬底上并且具有形成在图案化栅极堆叠的侧面上的侧壁间隔物的图案化栅极堆叠，所述III-V衬底包括与侧壁间隔物相邻的源极/漏极区域和场氧化物 与源/漏区相邻形成的区域。 该方法包括在源/漏区上生长金属接触。 还公开了晶体管和计算机程序产品。

    Field effect transistor device and fabrication
    9.
    发明授权
    Field effect transistor device and fabrication 有权
    场效应晶体管器件和制造

    公开(公告)号：US08742475B2

    公开(公告)日：2014-06-03

    申请号：US13554294

    申请日：2012-07-20

    申请人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Chung-Hsun Lin ,  Yanfeng Wang

    发明人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Chung-Hsun Lin ,  Yanfeng Wang

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L29/42368 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/66477

    摘要： In one aspect of the present invention, a field effect transistor (FET) device includes a first FET including a dielectric layer disposed on a substrate, a first portion of a first metal layer disposed on the dielectric layer, and a second metal layer disposed on the first metal layer, a second FET including a second portion of the first metal layer disposed on the dielectric layer, and a boundary region separating the first FET from the second FET.

    摘要翻译： 在本发明的一个方面中，场效应晶体管（FET）器件包括：第一FET，其包括设置在基板上的电介质层，设置在电介质层上的第一金属层的第一部分和设置在电介质层上的第二金属层 第一金属层，包括设置在电介质层上的第一金属层的第二部分的第二FET以及将第一FET与第二FET分离的边界区域。

    Structure and process for metal fill in replacement metal gate integration
    10.
    发明授权
    Structure and process for metal fill in replacement metal gate integration 有权
    金属填充金属栅极整合的结构和工艺

    公开(公告)号：US08519454B2

    公开(公告)日：2013-08-27

    申请号：US13075443

    申请日：2011-03-30

    申请人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Jun Yuan

    发明人： Dechao Guo ,  Shu-Jen Han ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Jun Yuan

    IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/338 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843

    摘要： Processes for metal fill in replacement metal gate integration schemes and resultant devices are provided herein. The method includes forming a dummy gate on a semiconductor substrate. The dummy gate includes forming a metal layer between a first material and a second material. The method further includes partially removing the dummy gate to form an opening bounded by a spacer material. The method further includes forming a recess in the spacer material to widen a portion of the opening. The method further includes removing a remaining portion of the dummy gate through the opening to form a trench having the recess forming an upper portion thereof. The method further includes filling the trench and the recess with a replacement metal gate stack.

    摘要翻译： 本文提供了用于替换金属栅极集成方案和所得器件的金属填充工艺。 该方法包括在半导体衬底上形成虚拟栅极。 虚拟门包括在第一材料和第二材料之间形成金属层。 该方法还包括部分地去除伪栅极以形成由间隔物材料限定的开口。 该方法还包括在间隔物材料中形成凹槽以加宽开口的一部分。 该方法还包括通过开口去除虚拟栅极的剩余部分以形成具有形成其上部的凹部的沟槽。 该方法还包括用替换的金属栅极堆叠填充沟槽和凹部。