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    Methods of forming a pattern of a semiconductor device
    1.
    发明授权
    Methods of forming a pattern of a semiconductor device 失效
    形成半导体器件的图案的方法

    公开(公告)号：US07964332B2

    公开(公告)日：2011-06-21

    申请号：US12339863

    申请日：2008-12-19

    申请人： Hyo-Jin Yun ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Ji-Man Park ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Hee Choi

    发明人： Hyo-Jin Yun ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Ji-Man Park ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Hee Choi

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

    摘要： In polymers for an anti-reflective coating, compositions for an anti-reflective coating and methods of forming a pattern of a semiconductor device using the same, the compositions for an anti-reflective coating include a polymer that includes a first repeating unit having a basic side group, a second repeating unit having a light-absorbing group, and a third repeating unit having a cross-linkable group; a photoacid generator; a cross-linking agent; and a solvent. The polymer for the anti-reflective coating, which may have a basic side group chemically bound to a backbone of the polymer, may properly adjust diffusion of an acid in an anti-reflective coating layer to improve the profile of a pattern.

    摘要翻译： 在用于抗反射涂层的聚合物中，用于抗反射涂层的组合物和使用其形成半导体器件的图案的方法，用于抗反射涂层的组合物包括聚合物，其包括具有碱性 具有光吸收基团的第二重复单元和具有可交联基团的第三重复单元; 光致酸发生器; 交联剂; 和溶剂。 用于抗反射涂层的聚合物可以具有与聚合物的骨架化学结合的碱性侧基，可以适当地调节抗反射涂层中的酸的扩散以改善图案的轮廓。

    METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
    2.
    发明申请
    METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
    形成半导体器件图案的方法

    公开(公告)号：US20090162796A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：US12339863

    申请日：2008-12-19

    申请人： Hyo-Jin YUN ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Ji-Man Park ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Hee Choi

    发明人： Hyo-Jin YUN ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Ji-Man Park ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Hee Choi

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

    摘要： In polymers for an anti-reflective coating, compositions for an anti-reflective coating and methods of forming a pattern of a semiconductor device using the same, the compositions for an anti-reflective coating include a polymer that includes a first repeating unit having a basic side group, a second repeating unit having a light-absorbing group, and a third repeating unit having a cross-linkable group; a photoacid generator; a cross-linking agent; and a solvent. The polymer for the anti-reflective coating, which may have a basic side group chemically bound to a backbone of the polymer, may properly adjust diffusion of an acid in an anti-reflective coating layer to improve the profile of a pattern.

    摘要翻译： 在用于抗反射涂层的聚合物中，用于抗反射涂层的组合物和使用其形成半导体器件的图案的方法，用于抗反射涂层的组合物包括聚合物，其包括具有碱性 具有光吸收基团的第二重复单元和具有可交联基团的第三重复单元; 光致酸发生器; 交联剂; 和溶剂。 用于抗反射涂层的聚合物可以具有与聚合物的骨架化学结合的碱性侧基，可以适当地调节抗反射涂层中的酸的扩散以改善图案的轮廓。

    Photoresist composition and method of forming a photoresist pattern using the same
    10.
    发明授权
    Photoresist composition and method of forming a photoresist pattern using the same 有权
    光致抗蚀剂组合物及其形成方法

    公开(公告)号：US07442489B2

    公开(公告)日：2008-10-28

    申请号：US11334200

    申请日：2006-01-17

    申请人： Boo-Deuk Kim ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Kyoung-Mi Kim

    发明人： Boo-Deuk Kim ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Kyoung-Mi Kim

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/118

    摘要： In a photoresist composition for a semiconductor manufacturing process and a method of forming a photoresist pattern using the photoresist composition, the photoresist composition includes an organic dispersing agent for dispersing acid (H+). The photoresist film may have enough spaces among photosensitive polymers so that acid may be dispersed sufficiently in an exposure process. Thus, a photoresist pattern may be easily formed in a defocus region. Defects in a semiconductor device may be reduced and a productivity of the semiconductor manufacturing process may be enhanced.

    摘要翻译： 在用于半导体制造方法的光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂图案的方法中，光致抗蚀剂组合物包括用于分散酸（H +）的有机分散剂。 光致抗蚀剂膜可以在光敏聚合物中具有足够的空间，使得酸可以在曝光过程中充分分散。 因此，可以在散焦区域中容易地形成光致抗蚀剂图案。 可以减少半导体器件中的缺陷，并且可以提高半导体制造工艺的生产率。