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    Apparatus and method for multi-phase transformers
    6.
    发明授权
    Apparatus and method for multi-phase transformers 有权
    多相变压器的装置及方法

    公开(公告)号：US07315463B2

    公开(公告)日：2008-01-01

    申请号：US10956192

    申请日：2004-09-30

    申请人： Gerhard Schrom ,  Peter Hazucha ,  Donald S. Gardner ,  Vivek K. De ,  Tanay Karnik

    发明人： Gerhard Schrom ,  Peter Hazucha ,  Donald S. Gardner ,  Vivek K. De ,  Tanay Karnik

    IPC分类号： H02M5/00

    CPC分类号： H02M3/1584 ,  H01F27/38 ,  H01F27/42 ,  H01F37/00 ,  H01F2038/026

    摘要： A method and apparatus for multi-phase transformers are described. In one embodiment, a coupled inductor topology for the multi-phase transformers comprising N primary inductors. In one embodiment, each primary inductor is coupled to one of N input nodes and a common output node. The transformer further includes N−1 secondary inductors coupled in series between one input node and the common output node. In one embodiment, the N−1 secondary inductors are arranged to couple energy from N−1 of the primary inductors to provide a common node voltage as an average of N input node voltages, wherein N is an integer greater than two. Other embodiments are described and claimed.

    摘要翻译： 描述了用于多相变压器的方法和装置。 在一个实施例中，用于包括N个初级电感器的多相变压器的耦合电感器拓扑。 在一个实施例中，每个主电感器耦合到N个输入节点和公共输出节点之一。 变压器还包括串联耦合在一个输入节点和公共输出节点之间的N-1个次级电感器。 在一个实施例中，N-1次级电感器被布置成耦合来自初级电感器的N-1的能量，以提供公共节点电压作为N个输入节点电压的平均值，其中N是大于2的整数。 描述和要求保护其他实施例。

    Forming inductor and transformer structures with magnetic materials using damascene processing for integrated circuits
    7.
    发明授权
    Forming inductor and transformer structures with magnetic materials using damascene processing for integrated circuits 有权
    使用集成电路的镶嵌处理形成具有磁性材料的电感器和变压器结构

    公开(公告)号：US08513750B2

    公开(公告)日：2013-08-20

    申请号：US12882529

    申请日：2010-09-15

    申请人： Donald S. Gardner ,  Gerhard Schrom ,  Peter Hazucha ,  Fabrice Paillet ,  Tanay Karnik

    发明人： Donald S. Gardner ,  Gerhard Schrom ,  Peter Hazucha ,  Fabrice Paillet ,  Tanay Karnik

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/425 ,  H01L21/469

    CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Methods and associated structures of forming microelectronic devices are described. Those methods may include forming a first layer of magnetic material and at least one via structure disposed in a first dielectric layer, forming a second dielectric layer disposed on the first magnetic layer, forming at least one conductive structure disposed in the second dielectric layer, forming a third layer of dielectric material disposed on the conductive structure, forming a second layer of magnetic material disposed in the third layer of dielectric material and in the second layer of dielectric material, wherein the first and second layers of the magnetic material are coupled to one another.

    摘要翻译： 描述形成微电子器件的方法和相关结构。 这些方法可以包括形成磁性材料的第一层和设置在第一介电层中的至少一个通孔结构，形成设置在第一磁性层上的第二介电层，形成设置在第二介电层中的至少一个导电结构，形成 设置在所述导电结构上的第三层电介质材料，形成设置在所述第三介电材料层中和所述第二介电材料层中的第二层磁性材料，其中所述磁性材料的第一和第二层与一个 另一个。