公开(公告)号：US20070065732A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11446765

申请日：2006-06-05

申请人： Donggun Lee ,  Chanuk Jeon ,  Seongwoon Choi ,  Byunggook Kim

发明人： Donggun Lee ,  Chanuk Jeon ,  Seongwoon Choi ,  Byunggook Kim

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03C5/00 ,  G21K5/00

CPC分类号： G03F1/50 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061

摘要： An approach to correcting non-uniformity of critical dimension (CD) in a semiconductor wafer includes measuring 0th-order light transmitted through or reflected from a photomask in a plurality of regions of the photomask. The photomask is altered to equalize the 0th-order light from the photomask such that the wafer CD is uniform. The photomask can be altered such as by forming a phase grating on the back side of the photomask or by introducing shadowing elements into the photomask to alter the transmittance of the photomask.

摘要翻译： 校正半导体晶片中的关键尺寸（CD）的不均匀性的方法包括测量在光掩模的多个区域中透过光掩模或从光掩模反射的第0级光。 改变光掩模以使来自光掩模的第0 - 次光均衡，使得晶片CD是均匀的。 可以改变光掩模，例如通过在光掩模的背面上形成相位光栅，或者通过将遮蔽元件引入光掩模来改变光掩模的透射率。

公开(公告)号：US08273668B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12805432

申请日：2010-07-30

申请人： Dong Ki Yoon ,  Shiyong Yi ,  Kyoungseon Kim ,  Seongwoon Choi ,  Seokhwan Oh ,  Sang Ouk Kim ,  Seung Hak Park

发明人： Dong Ki Yoon ,  Shiyong Yi ,  Kyoungseon Kim ,  Seongwoon Choi ,  Seokhwan Oh ,  Sang Ouk Kim ,  Seung Hak Park

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

摘要： Methods of forming a pattern and methods of fabricating a semiconductor device having a pattern are provided, the methods include forming a self-assembly induction layer including a first region and a second region on a semiconductor substrate. A block copolymer layer is coated on the self-assembly induction layer. A first pattern, a second pattern and a third pattern are formed by phase separating the block copolymer. At least one of the first, second and third patterns may be removed to form a preliminary pattern. An etching process may be performed using the preliminary pattern as an etching mask. The first pattern contains the same material as that of the second pattern, and the third pattern contains a material different from that of the first pattern.

摘要翻译： 提供了形成图案的方法和制造具有图案的半导体器件的方法，所述方法包括在半导体衬底上形成包括第一区域和第二区域的自组装感应层。 在自组装感应层上涂布嵌段共聚物层。 通过相分离嵌段共聚物形成第一图案，第二图案和第三图案。 可以去除第一，第二和第三图案中的至少一个以形成初步图案。 可以使用初步图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。 第一图案包含与第二图案相同的材料，第三图案包含与第一图案不同的材料。

公开(公告)号：US08314036B2

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US12794890

申请日：2010-06-07

申请人： Seongho Moon ,  Yool Kang ,  HyoungHee Kim ,  Seokhwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seongwoon Choi

发明人： Seongho Moon ,  Yool Kang ,  HyoungHee Kim ,  Seokhwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seongwoon Choi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

摘要： A method of forming fine patterns of a semiconductor device is provided. The method includes forming plural preliminary first mask patterns, which are spaced apart from each other by a first distance in a direction parallel to a surface of a substrate, on the substrate; forming an acid solution layer on the substrate to cover the plural preliminary first mask patterns; forming plural first mask patterns which are spaced apart from each other by a second distance larger than the first distance, of which upper and side portions are surrounded by acid diffusion regions having first solubility; exposing the first acid diffusion regions by removing the acid solution layer; forming a second mask layer having second solubility lower than the first solubility in spaces between the acid diffusion regions; and forming plural second mask patterns located between the plural first mask patterns, respectively, by removing the acid diffusion regions by the dissolvent.

摘要翻译： 提供了形成半导体器件的精细图案的方法。 该方法包括在基板上形成在平行于基板的表面的方向上彼此间隔开第一距离的多个初步第一掩模图案; 在所述基板上形成酸溶液层以覆盖所述多个初步第一掩模图案; 形成彼此间隔开大于第一距离的第二距离的多个第一掩模图案，其中上侧部分和第二部分被具有第一溶解度的酸性扩散区域包围; 通过除去酸溶液层暴露第一酸扩散区; 在所述酸扩散区之间形成第二掩模层，所述第二掩模层的第二溶解度低于所述第一溶解度; 以及分别通过所述溶剂除去所述酸扩散区而形成位于所述多个第一掩模图案之间的多个第二掩模图案。

公开(公告)号：US07241539B2

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：US10775772

申请日：2004-02-09

申请人： SoonHo Kim ,  Seongyong Moon ,  Jinhong Park ,  Seongwoon Choi

发明人： SoonHo Kim ,  Seongyong Moon ,  Jinhong Park ,  Seongwoon Choi

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70191 ,  G02B5/1871 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0938 ,  G02B27/46 ,  G03F1/50

摘要： A photomask for patterning an integrated circuit device using a patterning radiation may include a transparent substrate, a pattern of radiation blocking regions, an array of radiation blocking regions, and an array of shadowing elements. The transparent substrate may have first and second opposing surfaces, and the pattern of radiation blocking regions may be on at least one of the first and/or second surfaces of the transparent substrate. Moreover, the pattern of radiation blocking regions may define a pattern to be transferred to the integrated circuit substrate. The array of shadowing elements may be provided within the transparent substrate between the first and second opposing surfaces wherein a shadowing element of the array has a light transmittance characteristic different than that of an adjacent portion of the transparent substrate. Moreover, a transmittance of the patterning radiation through a portion of the transparent substrate including the array of shadowing elements may be greater than approximately 20%. Related methods and systems are also discussed.

摘要翻译： 用于使用图案化辐射来图案化集成电路器件的光掩模可以包括透明衬底，辐射阻挡区域的图案，辐射阻挡区域阵列以及阴影元件阵列。 透明基板可以具有第一和第二相对表面，并且辐射阻挡区域的图案可以在透明基板的第一和/或第二表面中的至少一个上。 此外，辐射阻挡区域的图案可以限定要传送到集成电路基板的图案。 阴影元件阵列可以设置在第一和第二相对表面之间的透明基板内，其中阵列的阴影元件具有与透明基板的相邻部分不同的透光特性。 此外，通过包括阴影元件阵列的透明基板的一部分的图案化辐射的透射率可以大于约20％。 还讨论了相关方法和系统。

公开(公告)号：US07604927B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11668081

申请日：2007-01-29

申请人： SoonHo Kim ,  Seongyong Moon ,  Jinhong Park ,  Seongwoon Choi

发明人： SoonHo Kim ,  Seongyong Moon ,  Jinhong Park ,  Seongwoon Choi

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70191 ,  G02B5/1871 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0938 ,  G02B27/46 ,  G03F1/50

摘要： A photomask for patterning an integrated circuit device using a patterning radiation may include a transparent substrate, a pattern of radiation blocking regions, an array of radiation blocking regions, and an array of shadowing elements. The transparent substrate may have first and second opposing surfaces, and the pattern of radiation blocking regions may be on at least one of the first and/or second surfaces of the transparent substrate. Moreover, the pattern of radiation blocking regions may define a pattern to be transferred to the integrated circuit substrate. The array of shadowing elements may be provided within the transparent substrate between the first and second opposing surfaces wherein a shadowing element of the array has a light transmittance characteristic different than that of an adjacent portion of the transparent substrate. Moreover, a transmittance of the patterning radiation through a portion of the transparent substrate including the array of shadowing elements may be greater than approximately 20%. Related methods and systems are also discussed.

摘要翻译： 用于使用图案化辐射来图案化集成电路器件的光掩模可以包括透明衬底，辐射阻挡区域的图案，辐射阻挡区域阵列以及阴影元件阵列。 透明基板可以具有第一和第二相对表面，并且辐射阻挡区域的图案可以在透明基板的第一和/或第二表面中的至少一个上。 此外，辐射阻挡区域的图案可以限定要传送到集成电路基板的图案。 阴影元件阵列可以设置在第一和第二相对表面之间的透明基板内，其中阵列的阴影元件具有与透明基板的相邻部分不同的透光特性。 此外，通过包括阴影元件阵列的透明基板的一部分的图案化辐射的透射率可以大于约20％。 还讨论了相关方法和系统。

公开(公告)号：US08227149B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12656881

申请日：2010-02-18

申请人： YongJin Chun ,  Soohan Choi ,  Sangwook Kim ,  Seongwoon Choi ,  Sukjoo Lee ,  Sungwoo Lee ,  Youngchang Kim ,  SungSoo Suh ,  Jin-sun Choi

发明人： YongJin Chun ,  Soohan Choi ,  Sangwook Kim ,  Seongwoon Choi ,  Sukjoo Lee ,  Sungwoo Lee ,  Youngchang Kim ,  SungSoo Suh ,  Jin-sun Choi

IPC分类号： G03F1/70

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Methods of forming masks. According to the methods, a target pattern is set. Generation of a side lobe caused by the target pattern is verified. A preliminary target pattern and a preliminary side lobe pattern are set, in the target pattern and a region where the side lobe is generated, respectively. An interference pattern map using the preliminary target pattern and the preliminary side lobe pattern is created. At least one of regions having a phase identical or opposite to that of a position of the preliminary target pattern in the interference pattern map is set to an interference auxiliary pattern. A mask using the interference auxiliary pattern and the target pattern is formed.

摘要翻译： 形成掩模的方法 根据该方法，设定目标图案。 验证由目标图案引起的旁瓣的产生。 分别在目标图案和产生旁瓣的区域中分别设置初步目标图案和初步旁瓣图案。 创建使用初步目标图案和初步旁瓣图案的干涉图案图。 具有与干涉图案图中的预备目标图案的位置相同或相反的相位的区域中的至少一个被设置为干涉辅助图案。 形成使用干涉辅助图案和目标图案的掩模。

公开(公告)号：US20100216063A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US12656881

申请日：2010-02-18

申请人： YongJin Chun ,  Soohan Choi ,  Sangwook Kim ,  Seongwoon Choi ,  Sukjoo Lee ,  Sungwoo Lee ,  Youngchang Kim ,  SungSoo Suh ,  Jin-sun Choi

发明人： YongJin Chun ,  Soohan Choi ,  Sangwook Kim ,  Seongwoon Choi ,  Sukjoo Lee ,  Sungwoo Lee ,  Youngchang Kim ,  SungSoo Suh ,  Jin-sun Choi

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： Methods of forming masks. According to the methods, a target pattern is set. Generation of a side lobe caused by the target pattern is verified. A preliminary target pattern and a preliminary side lobe pattern are set, in the target pattern and a region where the side lobe is generated, respectively. An interference pattern map using the preliminary target pattern and the preliminary side lobe pattern is created. At least one of regions having a phase identical or opposite to that of a position of the preliminary target pattern in the interference pattern map is set to an interference auxiliary pattern. A mask using the interference auxiliary pattern and the target pattern is formed.

摘要翻译： 形成掩模的方法 根据该方法，设定目标图案。 验证由目标图案引起的旁瓣的产生。 分别在目标图案和产生旁瓣的区域中分别设置初步目标图案和初步旁瓣图案。 创建使用初步目标图案和初步旁瓣图案的干涉图案图。 具有与干涉图案图中的预备目标图案的位置相同或相反的相位的区域中的至少一个被设置为干涉辅助图案。 形成使用干涉辅助图案和目标图案的掩模。

公开(公告)号：US07605906B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11757565

申请日：2007-06-04

申请人： SoonHo Kim ,  Seongyong Moon ,  Jinhong Park ,  Seongwoon Choi

发明人： SoonHo Kim ,  Seongyong Moon ,  Jinhong Park ,  Seongwoon Choi

IPC分类号： G03B27/54 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70191 ,  G02B5/1871 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0938 ,  G02B27/46 ,  G03F1/50

摘要： A photomask for patterning an integrated circuit device using a patterning radiation may include a transparent substrate, a pattern of radiation blocking regions, an array of radiation blocking regions, and an array of shadowing elements. The transparent substrate may have first and second opposing surfaces, and the pattern of radiation blocking regions may be on at least one of the first and/or second surfaces of the transparent substrate. Moreover, the pattern of radiation blocking regions may define a pattern to be transferred to the integrated circuit substrate. The array of shadowing elements may be provided within the transparent substrate between the first and second opposing surfaces wherein a shadowing element of the array has a light transmittance characteristic different than that of an adjacent portion of the transparent substrate. Moreover, a transmittance of the patterning radiation through a portion of the transparent substrate including the array of shadowing elements may be greater than approximately 20%. Related methods and systems are also discussed.

摘要翻译： 用于使用图案化辐射来图案化集成电路器件的光掩模可以包括透明衬底，辐射阻挡区域的图案，辐射阻挡区域阵列以及阴影元件阵列。 透明基板可以具有第一和第二相对表面，并且辐射阻挡区域的图案可以在透明基板的第一和/或第二表面中的至少一个上。 此外，辐射阻挡区域的图案可以限定要传送到集成电路基板的图案。 阴影元件阵列可以设置在第一和第二相对表面之间的透明基板内，其中阵列的阴影元件具有与透明基板的相邻部分不同的透光特性。 此外，通过包括阴影元件阵列的透明基板的一部分的图案化辐射的透射率可以大于约20％。 还讨论了相关方法和系统。

公开(公告)号：US20110081777A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12805432

申请日：2010-07-30

申请人： Dong Ki Yoon ,  Shiyong Yi ,  Kyoungseon Kim ,  Seongwoon Choi ,  Seokhwan Oh ,  Sang Ouk Kim ,  Seung Hak Park

发明人： Dong Ki Yoon ,  Shiyong Yi ,  Kyoungseon Kim ,  Seongwoon Choi ,  Seokhwan Oh ,  Sang Ouk Kim ,  Seung Hak Park

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

摘要： Methods of forming a pattern and methods of fabricating a semiconductor device having a pattern are provided, the methods include forming a self-assembly induction layer including a first region and a second region on a semiconductor substrate. A block copolymer layer is coated on the self-assembly induction layer. A first pattern, a second pattern and a third pattern are formed by phase separating the block copolymer. At least one of the first, second and third patterns may be removed to form a preliminary pattern. An etching process may be performed using the preliminary pattern as an etching mask. The first pattern contains the same material as that of the second pattern, and the third pattern contains a material different from that of the first pattern.

摘要翻译： 提供了形成图案的方法和制造具有图案的半导体器件的方法，所述方法包括在半导体衬底上形成包括第一区域和第二区域的自组装感应层。 在自组装感应层上涂布嵌段共聚物层。 通过相分离嵌段共聚物形成第一图案，第二图案和第三图案。 可以去除第一，第二和第三图案中的至少一个以形成初步图案。 可以使用初步图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。 第一图案包含与第二图案相同的材料，第三图案包含与第一图案不同的材料。

公开(公告)号：US20110027993A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12794890

申请日：2010-06-07

申请人： Seongho Moon ,  Yool Kang ,  HyoungHee Kim ,  Seokhwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seongwoon Choi

发明人： Seongho Moon ,  Yool Kang ,  HyoungHee Kim ,  Seokhwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seongwoon Choi

IPC分类号： H01L21/308

CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

摘要： A method of forming fine patterns of a semiconductor device is provided. The method includes forming plural preliminary first mask patterns, which are spaced apart from each other by a first distance in a direction parallel to a surface of a substrate, on the substrate; forming an acid solution layer on the substrate to cover the plural preliminary first mask patterns; forming plural first mask patterns which are spaced apart from each other by a second distance larger than the first distance, of which upper and side portions are surrounded by acid diffusion regions having first solubility; exposing the first acid diffusion regions by removing the acid solution layer; forming a second mask layer having second solubility lower than the first solubility in spaces between the acid diffusion regions; and forming plural second mask patterns located between the plural first mask patterns, respectively, by removing the acid diffusion regions by the dissolvent.

摘要翻译： 提供了形成半导体器件的精细图案的方法。 该方法包括在基板上形成在平行于基板的表面的方向上彼此间隔开第一距离的多个初步第一掩模图案; 在所述基板上形成酸溶液层以覆盖所述多个初步第一掩模图案; 形成彼此间隔开大于第一距离的第二距离的多个第一掩模图案，其中上侧部分和第二部分被具有第一溶解度的酸性扩散区域包围; 通过除去酸溶液层暴露第一酸扩散区; 在所述酸扩散区之间形成第二掩模层，所述第二掩模层的第二溶解度低于所述第一溶解度; 以及分别通过所述溶剂除去所述酸扩散区而形成位于所述多个第一掩模图案之间的多个第二掩模图案。