公开(公告)号：US08378439B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US13310923

申请日：2011-12-05

申请人： Michael Beck ,  Erdem Kaltalioglu

发明人： Michael Beck ,  Erdem Kaltalioglu

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76832

摘要： Methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. A preferred embodiment comprises a method of manufacturing a semiconductor device, the method including providing a workpiece, disposing an etch stop layer over the workpiece, and disposing a material layer over the etch stop layer. The material layer includes a transition layer. The method includes patterning the material layer partially with a first pattern, and patterning the material layer partially with a second pattern. Patterning the material layer partially with the second pattern further comprises simultaneously completely patterning the material layer with the first pattern.

摘要翻译： 公开了制造半导体器件的方法。 优选实施例包括制造半导体器件的方法，该方法包括提供工件，在工件上设置蚀刻停止层，以及在蚀刻停止层上设置材料层。 材料层包括过渡层。 该方法包括以第一图案部分地图案化材料层，并以第二图案部分地图案化材料层。 用第二图案部分地对材料层进行图案化还包括用第一图案同时完全图案化材料层。

公开(公告)号：US08093150B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US11523207

申请日：2006-09-19

申请人： Michael Beck ,  Erdem Kaltalioglu

发明人： Michael Beck ,  Erdem Kaltalioglu

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76832

摘要： Methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. A preferred embodiment comprises a method of manufacturing a semiconductor device, the method including providing a workpiece, disposing an etch stop layer over the workpiece, and disposing a material layer over the etch stop layer. The material layer includes a transition layer. The method includes patterning the material layer partially with a first pattern, and patterning the material layer partially with a second pattern. Patterning the material layer partially with the second pattern further comprises simultaneously completely patterning the material layer with the first pattern.

摘要翻译： 公开了制造半导体器件的方法。 优选实施例包括制造半导体器件的方法，该方法包括提供工件，在工件上设置蚀刻停止层，以及在蚀刻停止层上设置材料层。 材料层包括过渡层。 该方法包括以第一图案部分地图案化材料层，并以第二图案部分地图案化材料层。 用第二图案部分地对材料层进行图案化还包括用第一图案同时完全图案化材料层。

公开(公告)号：US20090194850A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12024758

申请日：2008-02-01

申请人： Erdem Kaltalioglu ,  Michael Beck

发明人： Erdem Kaltalioglu ,  Michael Beck

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Crack stops for semiconductor devices, semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. In one embodiment, a barrier structure for a semiconductor device includes a plurality of substantially V-shaped regions. Each of the plurality of substantially V-shaped regions is disposed adjacent another of the plurality of substantially V-shaped regions.

摘要翻译： 公开了用于半导体器件，半导体器件和制造半导体器件的方法的裂纹停止。 在一个实施例中，用于半导体器件的阻挡结构包括多个基本上V形的区域。 多个基本V形区域中的每一个被设置成与多个基本V形区域中的另一个相邻。

公开(公告)号：US20120074536A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13310923

申请日：2011-12-05

申请人： Michael Beck ,  Erdem Kaltalioglu

发明人： Michael Beck ,  Erdem Kaltalioglu

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76832

摘要： Methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. A preferred embodiment comprises a method of manufacturing a semiconductor device, the method including providing a workpiece, disposing an etch stop layer over the workpiece, and disposing a material layer over the etch stop layer. The material layer includes a transition layer. The method includes patterning the material layer partially with a first pattern, and patterning the material layer partially with a second pattern. Patterning the material layer partially with the second pattern further comprises simultaneously completely patterning the material layer with the first pattern.

摘要翻译： 公开了制造半导体器件的方法。 优选实施例包括制造半导体器件的方法，该方法包括提供工件，在工件上设置蚀刻停止层，以及在蚀刻停止层上设置材料层。 材料层包括过渡层。 该方法包括以第一图案部分地图案化材料层，并以第二图案部分地图案化材料层。 用第二图案部分地对材料层进行图案化还包括用第一图案同时完全图案化材料层。

公开(公告)号：US20080070404A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11523207

申请日：2006-09-19

申请人： Michael Beck ,  Erdem Kaltalioglu

发明人： Michael Beck ,  Erdem Kaltalioglu

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76832

摘要： Methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. A preferred embodiment comprises a method of manufacturing a semiconductor device, the method including providing a workpiece, disposing an etch stop layer over the workpiece, and disposing a material layer over the etch stop layer. The material layer includes a transition layer. The method includes patterning the material layer partially with a first pattern, and patterning the material layer partially with a second pattern. Patterning the material layer partially with the second pattern further comprises simultaneously completely patterning the material layer with the first pattern.

摘要翻译： 公开了制造半导体器件的方法。 优选实施例包括制造半导体器件的方法，该方法包括提供工件，在工件上设置蚀刻停止层，以及在蚀刻停止层上设置材料层。 材料层包括过渡层。 该方法包括以第一图案部分地图案化材料层，并以第二图案部分地图案化材料层。 用第二图案部分地对材料层进行图案化还包括用第一图案同时完全图案化材料层。

公开(公告)号：US20110244658A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13160214

申请日：2011-06-14

申请人： Erdem Kaltalioglu ,  Michael Beck

发明人： Erdem Kaltalioglu ,  Michael Beck

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Crack stops for semiconductor devices, semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. In one embodiment, a barrier structure for a semiconductor device includes a plurality of substantially V-shaped regions. Each of the plurality of substantially V-shaped regions is disposed adjacent another of the plurality of substantially V-shaped regions.

摘要翻译： 公开了用于半导体器件，半导体器件和制造半导体器件的方法的裂纹停止。 在一个实施例中，用于半导体器件的阻挡结构包括多个基本上V形的区域。 多个基本V形区域中的每一个被设置成与多个基本V形区域中的另一个相邻。

公开(公告)号：US08309435B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US13160214

申请日：2011-06-14

申请人： Erdem Kaltalioglu ,  Michael Beck

发明人： Erdem Kaltalioglu ,  Michael Beck

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Crack stops for semiconductor devices, semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. In one embodiment, a barrier structure for a semiconductor device includes a plurality of substantially V-shaped regions. Each of the plurality of substantially V-shaped regions is disposed adjacent another of the plurality of substantially V-shaped regions.

摘要翻译： 公开了用于半导体器件，半导体器件和制造半导体器件的方法的裂纹停止。 在一个实施例中，用于半导体器件的阻挡结构包括多个基本上V形的区域。 多个基本V形区域中的每一个被设置成与多个基本V形区域中的另一个相邻。

公开(公告)号：US08008750B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12024758

申请日：2008-02-01

申请人： Erdem Kaltalioglu ,  Michael Beck

发明人： Erdem Kaltalioglu ,  Michael Beck

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Crack stops for semiconductor devices, semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor devices are disclosed. In one embodiment, a barrier structure for a semiconductor device includes a plurality of substantially V-shaped regions. Each of the plurality of substantially V-shaped regions is disposed adjacent another of the plurality of substantially V-shaped regions.

摘要翻译： 公开了用于半导体器件，半导体器件和制造半导体器件的方法的裂纹停止。 在一个实施例中，用于半导体器件的阻挡结构包括多个基本上V形的区域。 多个基本V形区域中的每一个被设置成与多个基本V形区域中的另一个相邻。

公开(公告)号：US07795615B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11268854

申请日：2005-11-08

申请人： Thomas Goebel ,  Erdem Kaltalioglu ,  Sun-Oo Kim

发明人： Thomas Goebel ,  Erdem Kaltalioglu ,  Sun-Oo Kim

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/585 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit comprises a chip including a circuit area surrounded by a peripheral area, the peripheral area extending to an edge of the chip. The integrated circuitry is disposed within the circuit area. No active circuit is disposed within the peripheral area. A barrier is disposed within the peripheral area and surrounds the circuit area. The barrier includes a capacitor structure integrated therein.

摘要翻译： 集成电路包括芯片，该芯片包括由周边区域包围的电路区域，该周边区域延伸到芯片的边缘。 集成电路设置在电路区域内。 外围区域内没有设置有源电路。 屏障设置在外围区域内并且围绕电路区域。 屏障包括集成在其中的电容器结构。

公开(公告)号：US20100022085A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12572905

申请日：2009-10-02

申请人： Thomas Goebel ,  Erdem Kaltalioglu ,  Sun-Oo Kim

发明人： Thomas Goebel ,  Erdem Kaltalioglu ,  Sun-Oo Kim

IPC分类号： H01L21/768 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2224/05599

摘要： Support structures for semiconductor devices and methods of manufacturing thereof are disclosed. In some embodiments, the support structures include a plurality of support members that is formed in a substantially annular shape beneath a wire bond region. The central region inside the substantially annular shape of the plurality of support members may be used to route functional conductive lines for making electrical contact to active areas of the semiconductor device. Dummy support structures may optionally be formed between the functional conductive lines. The support structures may be formed in one or more conductive line layers and semiconductive material layers of a semiconductor device. In other embodiments, support members are not formed in an annular shape, and are formed in insulating layers that do not comprise low dielectric constant (k) materials.

摘要翻译： 公开了半导体器件的支撑结构及其制造方法。 在一些实施例中，支撑结构包括在线接合区域下方形成为大致环形的多个支撑构件。 多个支撑构件的大致环形形状内的中心区域可以用于路由功能导电线，用于与半导体器件的有源区电接触。 可选地，在功能导电线之间形成虚拟支撑结构。 支撑结构可以形成在半导体器件的一个或多个导电层和半导体材料层中。 在其它实施例中，支撑构件不形成为环形，并且形成为不包括低介电常数（k）材料的绝缘层。