公开(公告)号：US20140367859A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：US14305277

申请日：2014-06-16

申请人： Freescale Semiconductor, Inc.

发明人： Burton J. Carpenter ,  Leo M. Higgins, III ,  Varughese Mathew ,  Tu-Anh N. Tran ,  Nhat D. Vo

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

摘要： Tin-based wirebond structures and wirebonds formed thereon. In some embodiments, an electronic package includes a semiconductor die located over a substrate and a wire configured to couple a terminal of the semiconductor die to a bond pad on the substrate. A wire bond between the wire and the bond pad may include an amount of tin originated from a layer of tin alloy formed on the bond pad. In other embodiments, a wirebond structure may include a conductive layer and a layer of tin alloy located over a portion of the conductive layer. The layer of tin alloy may provide a wirebonding contact surface configured to receive a bond wire.

摘要翻译： 基于锡的引线键合结构和在其上形成的引线键。 在一些实施例中，电子封装包括位于衬底上的半导体管芯和配置成将半导体管芯的端子耦合到衬底上的接合焊盘的引线。 导线和接合焊盘之间的引线接合可以包括源自在接合焊盘上形成的锡合金层的量的量。 在其它实施例中，引线键合结构可以包括导电层和位于导电层的一部分上方的锡合金层。 锡合金层可以提供构造成接收接合线的引线接合表面。

公开(公告)号：US09368470B2

公开(公告)日：2016-06-14

申请号：US14529744

申请日：2014-10-31

申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： Chu-Chung Lee ,  Burton J. Carpenter ,  Tu-Anh N. Tran

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L21/44 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4555 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45573 ,  H01L2224/45574 ,  H01L2224/45618 ,  H01L2224/45623 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78304 ,  H01L2224/85002 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/8593 ,  H01L2224/85943 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049

摘要： A semiconductor device includes a bond formed on a bond pad. The bond is formed of a wire that includes a central core of conductive metal, a first coating over the central core of conductive metal that is more chemically active than the conductive metal, and a second coating over the central core of conductive metal that is less chemically active than the central core of conductive metal.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在接合焊盘上的键。 该键由包括导电金属的中心芯的导线形成，导电金属的中心芯上的第一涂层比导电金属更具化学活性，并且导电金属的中心芯上的第二涂层较少 比导电金属的中心芯化学活性。