公开(公告)号：US07459748B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11549770

申请日：2006-10-16

申请人： Riichiro Shirota ,  Fumitaka Arai ,  Toshiyuki Enda ,  Hiroyoshi Tanimoto ,  Naoki Kusunoki ,  Nobutoshi Aoki ,  Makoto Mizukami ,  Kiyotaka Miyano ,  Ichiro Mizushima

发明人： Riichiro Shirota ,  Fumitaka Arai ,  Toshiyuki Enda ,  Hiroyoshi Tanimoto ,  Naoki Kusunoki ,  Nobutoshi Aoki ,  Makoto Mizukami ,  Kiyotaka Miyano ,  Ichiro Mizushima

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

摘要： A semiconductor memory device includes: a semiconductor substrate; a semiconductor layer formed on the semiconductor substrate with an insulating film interposed therebetween, the semiconductor layer being in contact with the semiconductor substrate via an opening formed in the insulating film; and a NAND cell unit formed on the semiconductor layer with a plurality of electrically rewritable and non-volatile memory cells connected in series and first and second select gate transistors disposed at both ends thereof.

摘要翻译： 半导体存储器件包括：半导体衬底; 在半导体衬底上形成有绝缘膜的半导体层，所述半导体层经由形成在所述绝缘膜中的开口与所述半导体衬底接触; 以及在半导体层上形成有串联连接的多个电可重写和非易失性存储单元的NAND单元单元，以及设置在其两端的第一和第二选择栅晶体管。

公开(公告)号：US20110024827A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12904231

申请日：2010-10-14

申请人： Fumitaka ARAI ,  Ichiro Mizushima ,  Makoto Mizukami

发明人： Fumitaka ARAI ,  Ichiro Mizushima ,  Makoto Mizukami

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile semiconductor memory according to an aspect of the invention comprises a semiconductor substrate which has an SOI region and an epitaxial region at its surface, a buried oxide film arranged on the semiconductor substrate in the SOI region, an SOI layer arranged on the buried oxide film, a plurality of memory cells arranged on the SOI layer, an epitaxial layer arranged in the epitaxial region, and a select gate transistor arranged on the epitaxial layer, wherein the SOI layer is made of a microcrystalline layer.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面的非易失性半导体存储器包括：在其表面具有SOI区域和外延区域的半导体衬底，设置在SOI区域中的半导体衬底上的掩埋氧化膜，布置在掩埋氧化物上的SOI层 膜，布置在SOI层上的多个存储单元，布置在外延区中的外延层和布置在外延层上的选择栅极晶体管，其中SOI层由微晶层制成。

公开(公告)号：US08269267B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12904231

申请日：2010-10-14

申请人： Fumitaka Arai ,  Ichiro Mizushima ,  Makoto Mizukami

发明人： Fumitaka Arai ,  Ichiro Mizushima ,  Makoto Mizukami

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile semiconductor memory according to an aspect of the invention comprises a semiconductor substrate which has an SOI region and an epitaxial region at its surface, a buried oxide film arranged on the semiconductor substrate in the SOI region, an SOI layer arranged on the buried oxide film, a plurality of memory cells arranged on the SOI layer, an epitaxial layer arranged in the epitaxial region, and a select gate transistor arranged on the epitaxial layer, wherein the SOI layer is made of a microcrystalline layer.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面的非易失性半导体存储器包括：在其表面具有SOI区域和外延区域的半导体衬底，设置在SOI区域中的半导体衬底上的掩埋氧化膜，布置在掩埋氧化物上的SOI层 膜，布置在SOI层上的多个存储单元，布置在外延区中的外延层和布置在外延层上的选择栅极晶体管，其中SOI层由微晶层制成。

公开(公告)号：US20070102749A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11549770

申请日：2006-10-16

申请人： Riichiro Shirota ,  Fumitaka Arai ,  Toshiyuki Enda ,  Hiroyoshi Tanimoto ,  Naoki Kusunokii ,  Nobutoshi Aoki ,  Makoto Mizukami ,  Kiyotaka Miyano ,  Ichiro Mizushima

发明人： Riichiro Shirota ,  Fumitaka Arai ,  Toshiyuki Enda ,  Hiroyoshi Tanimoto ,  Naoki Kusunokii ,  Nobutoshi Aoki ,  Makoto Mizukami ,  Kiyotaka Miyano ,  Ichiro Mizushima

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

摘要： A semiconductor memory device includes: a semiconductor substrate; a semiconductor layer formed on the semiconductor substrate with an insulating film interposed therebetween, the semiconductor layer being in contact with the semiconductor substrate via an opening formed in the insulating film; and a NAND cell unit formed on the semiconductor layer with a plurality of electrically rewritable and non-volatile memory cells connected in series and first and second select gate transistors disposed at both ends thereof.

摘要翻译： 半导体存储器件包括：半导体衬底; 在半导体衬底上形成有绝缘膜的半导体层，所述半导体层经由形成在所述绝缘膜中的开口与所述半导体衬底接触; 以及在半导体层上形成有串联连接的多个电可重写和非易失性存储单元的NAND单元单元，以及设置在其两端的第一和第二选择栅晶体管。

公开(公告)号：US07829948B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11963046

申请日：2007-12-21

申请人： Fumitaka Arai ,  Ichiro Mizushima ,  Makoto Mizukami

发明人： Fumitaka Arai ,  Ichiro Mizushima ,  Makoto Mizukami

IPC分类号： H01L27/11

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile semiconductor memory according to an aspect of the invention comprises a semiconductor substrate which has an SOI region and an epitaxial region at its surface, a buried oxide film arranged on the semiconductor substrate in the SOI region, an SOI layer arranged on the buried oxide film, a plurality of memory cells arranged on the SOI layer, an epitaxial layer arranged in the epitaxial region, and a select gate transistor arranged on the epitaxial layer, wherein the SOI layer is made of a microcrystalline layer.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面的非易失性半导体存储器包括：在其表面具有SOI区域和外延区域的半导体衬底，设置在SOI区域中的半导体衬底上的掩埋氧化膜，布置在掩埋氧化物上的SOI层 膜，布置在SOI层上的多个存储单元，布置在外延区中的外延层和布置在外延层上的选择栅极晶体管，其中SOI层由微晶层制成。

公开(公告)号：US20080157092A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11963046

申请日：2007-12-21

申请人： Fumitaka Arai ,  Ichiro Mizushima ,  Makoto Mizukami

发明人： Fumitaka Arai ,  Ichiro Mizushima ,  Makoto Mizukami

IPC分类号： H01L27/11

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile semiconductor memory according to an aspect of the invention comprises a semiconductor substrate which has an SOI region and an epitaxial region at its surface, a buried oxide film arranged on the semiconductor substrate in the SOI region, an SOI layer arranged on the buried oxide film, a plurality of memory cells arranged on the SOI layer, an epitaxial layer arranged in the epitaxial region, and a select gate transistor arranged on the epitaxial layer, wherein the SOI layer is made of a microcrystalline layer.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面的非易失性半导体存储器包括：在其表面具有SOI区域和外延区域的半导体衬底，设置在SOI区域中的半导体衬底上的掩埋氧化膜，布置在掩埋氧化物上的SOI层 膜，布置在SOI层上的多个存储单元，布置在外延区中的外延层和布置在外延层上的选择栅极晶体管，其中SOI层由微晶层制成。

公开(公告)号：US20110108905A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US13007258

申请日：2011-01-14

申请人： Masayuki ICHIGE ,  Fumitaka Arai ,  Riichiro Shirota ,  Toshitake Yaegashi ,  Yoshio Ozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ichiro Mizushima ,  Yoshihiko Saito

发明人： Masayuki ICHIGE ,  Fumitaka Arai ,  Riichiro Shirota ,  Toshitake Yaegashi ,  Yoshio Ozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ichiro Mizushima ,  Yoshihiko Saito

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/42336 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

摘要： A nonvolatile semiconductor memory includes first and second memory cells having a floating gate and a control gate. The floating gate of the first and second memory cells is comprised a first part, and a second part arranged on the first part, and a width of the second part in an extending direction of the control gate is narrower than that of the first part. A first space between the first parts of the first and second memory cells is filled with one kind of an insulator. The control gate is arranged at a second space between the second parts of the first and second memory cells.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器包括具有浮动栅极和控制栅极的第一和第二存储单元。 第一和第二存储单元的浮动栅极包括第一部分和布置在第一部分上的第二部分，并且第二部分在控制栅极的延伸方向上的宽度比第一部分的宽度窄。 第一和第二存储单元的第一部分之间的第一空间填充有一种绝缘体。 控制栅极被布置在第一和第二存储单元的第二部分之间的第二空间处。

公开(公告)号：US20080012061A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11687758

申请日：2007-03-19

申请人： Masayuki Ichige ,  Fumitaka Arai ,  Riichiro Shirota ,  Toshitake Yaegashi ,  Yoshio Ozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ichiro Mizushima ,  Yoshihiko Saito

发明人： Masayuki Ichige ,  Fumitaka Arai ,  Riichiro Shirota ,  Toshitake Yaegashi ,  Yoshio Ozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ichiro Mizushima ,  Yoshihiko Saito

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/42336 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

摘要： A nonvolatile semiconductor memory includes first and second memory cells having a floating gate and a control gate. The floating gate of the first and second memory cells is comprised a first part, and a second part arranged on the first part, and a width of the second part in an extending direction of the control gate is narrower than that of the first part. A first space between the first parts of the first and second memory cells is filled with one kind of an insulator. The control gate is arranged at a second space between the second parts of the first and second memory cells.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器包括具有浮动栅极和控制栅极的第一和第二存储单元。 第一和第二存储单元的浮置栅极包括第一部分和布置在第一部分上的第二部分，并且第二部分在控制栅极的延伸方向上的宽度比第一部分的宽度窄。 第一和第二存储单元的第一部分之间的第一空间填充有一种绝缘体。 控制栅极被布置在第一和第二存储单元的第二部分之间的第二空间处。

公开(公告)号：US08637915B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13007258

申请日：2011-01-14

申请人： Masayuki Ichige ,  Fumitaka Arai ,  Riichiro Shirota ,  Toshitake Yaegashi ,  Yoshio Ozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ichiro Mizushima ,  Yoshihiko Saito

发明人： Masayuki Ichige ,  Fumitaka Arai ,  Riichiro Shirota ,  Toshitake Yaegashi ,  Yoshio Ozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ichiro Mizushima ,  Yoshihiko Saito

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/42336 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

摘要： A nonvolatile semiconductor memory includes first and second memory cells having a floating gate and a control gate. The floating gate of the first and second memory cells is comprised a first part, and a second part arranged on the first part, and a width of the second part in an extending direction of the control gate is narrower than that of the first part. A first space between the first parts of the first and second memory cells is filled with one kind of an insulator. The control gate is arranged at a second space between the second parts of the first and second memory cells.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器包括具有浮动栅极和控制栅极的第一和第二存储单元。 第一和第二存储单元的浮动栅极包括第一部分和布置在第一部分上的第二部分，并且第二部分在控制栅极的延伸方向上的宽度比第一部分的宽度窄。 第一和第二存储单元的第一部分之间的第一空间填充有一种绝缘体。 控制栅极被布置在第一和第二存储单元的第二部分之间的第二空间处。

公开(公告)号：US08324679B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US13430153

申请日：2012-03-26

申请人： Masayuki Ichige ,  Fumitaka Arai ,  Riichiro Shirota ,  Toshitake Yaegashi ,  Yoshio Ozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ichiro Mizushima ,  Yoshihiko Saito

发明人： Masayuki Ichige ,  Fumitaka Arai ,  Riichiro Shirota ,  Toshitake Yaegashi ,  Yoshio Ozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ichiro Mizushima ,  Yoshihiko Saito

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/42336 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

摘要： A nonvolatile semiconductor memory includes first and second memory cells having a floating gate and a control gate. The floating gate of the first and second memory cells is comprised a first part, and a second part arranged on the first part, and a width of the second part in an extending direction of the control gate is narrower than that of the first part. A first space between the first parts of the first and second memory cells is filled with one kind of an insulator. The control gate is arranged at a second space between the second parts of the first and second memory cells.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器包括具有浮动栅极和控制栅极的第一和第二存储单元。 第一和第二存储单元的浮动栅极包括第一部分和布置在第一部分上的第二部分，并且第二部分在控制栅极的延伸方向上的宽度比第一部分的宽度窄。 第一和第二存储单元的第一部分之间的第一空间填充有一种绝缘体。 控制栅极被布置在第一和第二存储单元的第二部分之间的第二空间处。