公开(公告)号：US09129959B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US13591055

申请日：2012-08-21

申请人： Edward Fuergut ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Gottfried Beer

发明人： Edward Fuergut ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/498 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/18 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A number of semiconductor chips each include a first main face and a second main face opposite from the first main face. The second main face includes at least one electrical contact element. The semiconductor chips are placed on a carrier. A material layer is applied into intermediate spaces between adjacent semiconductor chips. The carrier is removed and a first electrical contact layer is applied to the first main faces of the semiconductor chips so that the electrical contact layer is electrically connected with each one of the electrical contact elements.

摘要翻译： 多个半导体芯片各自包括与第一主面相对的第一主面和第二主面。 第二主面包括至少一个电接触元件。 将半导体芯片放置在载体上。 将材料层施加到相邻半导体芯片之间的中间空间。 移除载体并且将第一电接触层施加到半导体芯片的第一主面，使得电接触层与每个电接触元件电连接。

公开(公告)号：US20110057304A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12947031

申请日：2010-11-16

申请人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

发明人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a semiconductor chip module and a semiconductor chip package is disclosed. One embodiment provides a first layer, a second layer, and a base layer. The first layer is disposed on the base layer, and the second layer is disposed on the first layer. A plurality of semiconductor chips is applied above the second layer, and the second layer with the applied semiconductor chips is separated from the first layer.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体芯片模块和半导体芯片封装的方法。 一个实施例提供第一层，第二层和基层。 第一层设置在基层上，第二层设置在第一层上。 多个半导体芯片被施加在第二层上方，并且具有施加的半导体芯片的第二层与第一层分离。

公开(公告)号：US20100178736A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12353432

申请日：2009-01-14

申请人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

发明人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/97 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： One method includes fabricating a semiconductor device including providing a dielectric layer. At least one semiconductor chip is provided defining a first surface including contact elements and a second surface opposite to the first surface. The semiconductor chip is placed onto the dielectric layer with the first surface facing the dielectric layer. An encapsulant material is applied over the second surface of the semiconductor chip in a reel-to-reel process.

摘要翻译： 一种方法包括制造包括提供介电层的半导体器件。 提供至少一个半导体芯片，其限定包括接触元件的第一表面和与第一表面相对的第二表面。 半导体芯片被放置在电介质层上，第一表面面向电介质层。 密封剂材料以卷到盘的方式施加在半导体芯片的第二表面上。

公开(公告)号：US08658468B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US13570986

申请日：2012-08-09

申请人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

发明人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a semiconductor chip module and a semiconductor chip package is disclosed. One embodiment provides a first layer, a second layer, and a base layer. The first layer is disposed on the base layer, and the second layer is disposed on the first layer. A plurality of semiconductor chips is applied above the second layer, and the second layer with the applied semiconductor chips is separated from the first layer.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体芯片模块和半导体芯片封装的方法。 一个实施例提供第一层，第二层和基层。 第一层设置在基层上，第二层设置在第一层上。 多个半导体芯片被施加在第二层上方，并且具有施加的半导体芯片的第二层与第一层分离。

公开(公告)号：US08258624B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US11837211

申请日：2007-08-10

申请人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

发明人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a semiconductor chip module and a semiconductor chip package is disclosed. One embodiment provides a first layer, a second layer, and a base layer. The first layer is disposed on the base layer, and the second layer is disposed on the first layer. A plurality of semiconductor chips is applied above the second layer, and the second layer with the applied semiconductor chips is separated from the first layer.

公开(公告)号：US08119452B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12353432

申请日：2009-01-14

申请人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

发明人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/97 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： One method includes fabricating a semiconductor device including providing a dielectric layer. At least one semiconductor chip is provided defining a first surface including contact elements and a second surface opposite to the first surface. The semiconductor chip is placed onto the dielectric layer with the first surface facing the dielectric layer. An encapsulant material is applied over the second surface of the semiconductor chip in a reel-to-reel process.

摘要翻译： 一种方法包括制造包括提供介电层的半导体器件。 提供至少一个半导体芯片，其限定包括接触元件的第一表面和与第一表面相对的第二表面。 半导体芯片被放置在电介质层上，第一表面面向电介质层。 密封剂材料以卷到盘的方式施加在半导体芯片的第二表面上。

公开(公告)号：US20090039496A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US11837211

申请日：2007-08-10

申请人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

发明人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a semiconductor chip module and a semiconductor chip package is disclosed. One embodiment provides a first layer, a second layer, and a base layer. The first layer is disposed on the base layer, and the second layer is disposed on the first layer. A plurality of semiconductor chips is applied above the second layer, and the second layer with the applied semiconductor chips is separated from the first layer.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体芯片模块和半导体芯片封装的方法。 一个实施例提供第一层，第二层和基层。 第一层设置在基层上，第二层设置在第一层上。 多个半导体芯片被施加在第二层上方，并且具有施加的半导体芯片的第二层与第一层分离。

公开(公告)号：US08492200B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13529315

申请日：2012-06-21

申请人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

发明人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a semiconductor chip module and a semiconductor chip package is disclosed. One embodiment provides a first layer, a second layer, and a base layer. The first layer is disposed on the base layer, and the second layer is disposed on the first layer. A plurality of semiconductor chips is applied above the second layer, and the second layer with the applied semiconductor chips is separated from the first layer.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体芯片模块和半导体芯片封装的方法。 一个实施例提供第一层，第二层和基层。 第一层设置在基层上，第二层设置在第一层上。 多个半导体芯片被施加在第二层上方，并且具有施加的半导体芯片的第二层与第一层分离。

公开(公告)号：US08216881B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US12947031

申请日：2010-11-16

申请人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

发明人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a semiconductor chip module and a semiconductor chip package is disclosed. One embodiment provides a first layer, a second layer, and a base layer. The first layer is disposed on the base layer, and the second layer is disposed on the first layer. A plurality of semiconductor chips is applied above the second layer, and the second layer with the applied semiconductor chips is separated from the first layer.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体芯片模块和半导体芯片封装的方法。 一个实施例提供第一层，第二层和基层。 第一层设置在基层上，第二层设置在第一层上。 多个半导体芯片被施加在第二层上方，并且具有施加的半导体芯片的第二层与第一层分离。

公开(公告)号：US20110281405A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13189998

申请日：2011-07-25

申请人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

发明人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method of fabricating a semiconductor device and semiconductor device is provided. The method provides a first layer. The first layer includes through-holes. At least one semiconductor chip is provided. The semiconductor chip includes contact elements. The semiconductor chip is placed onto the first layer with the contact elements being aligned with the through-holes. An encapsulant material is applied over the semiconductor chip.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件和半导体器件的方法。 该方法提供第一层。 第一层包括通孔。 提供至少一个半导体芯片。 半导体芯片包括接触元件。 将半导体芯片放置在第一层上，其中接触元件与通孔对齐。 在半导体芯片上施加密封材料。