公开(公告)号：US09129959B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US13591055

申请日：2012-08-21

申请人： Edward Fuergut ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Gottfried Beer

发明人： Edward Fuergut ,  Irmgard Escher-Poeppel ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/498 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/18 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A number of semiconductor chips each include a first main face and a second main face opposite from the first main face. The second main face includes at least one electrical contact element. The semiconductor chips are placed on a carrier. A material layer is applied into intermediate spaces between adjacent semiconductor chips. The carrier is removed and a first electrical contact layer is applied to the first main faces of the semiconductor chips so that the electrical contact layer is electrically connected with each one of the electrical contact elements.

摘要翻译： 多个半导体芯片各自包括与第一主面相对的第一主面和第二主面。 第二主面包括至少一个电接触元件。 将半导体芯片放置在载体上。 将材料层施加到相邻半导体芯片之间的中间空间。 移除载体并且将第一电接触层施加到半导体芯片的第一主面，使得电接触层与每个电接触元件电连接。

公开(公告)号：US08912638B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13102452

申请日：2011-05-06

申请人： Horst Theuss ,  Gottfried Beer

发明人： Horst Theuss ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  B81B7/00

CPC分类号： H01L21/568 ,  B81B7/007 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0154 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A device comprising a chip, which is held in casting compound and on which a hollow structure is arranged is disclosed.

摘要翻译： 公开了一种包括芯片的装置，该芯片保持在铸造化合物中并且布置有中空结构。

公开(公告)号：US08338936B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12179217

申请日：2008-07-24

申请人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

发明人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： G01P1/023 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0154 ,  G01L9/0042 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H04R1/04 ,  H04R2201/003 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and manufacturing method. One embodiment provides a semiconductor chip. An encapsulating material covers the semiconductor chip. A metal layer is over the semiconductor chip and the encapsulating material. At least one of a voltage generating unit and a display unit are rigidly attached to at least one of the encapsulating material and the metal layer.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 一个实施例提供一种半导体芯片。 封装材料覆盖半导体芯片。 金属层在半导体芯片和封装材料之上。 电压产生单元和显示单元中的至少一个刚性地附接到至少一个封装材料和金属层。

公开(公告)号：US08330274B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12893009

申请日：2010-09-29

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming a semiconductor structure, comprising: providing a workpiece; forming a barrier layer over the workpiece; forming a seed layer over the barrier layer; forming an inhibitor layer over the seed layer; removing a portion of said inhibitor layer to expose a portion of the seed layer; and selectively depositing a fill layer on the exposed seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供工件; 在工件上形成阻挡层; 在阻挡层上形成种子层; 在种子层上形成抑制层; 去除所述抑制剂层的一部分以暴露所述种子层的一部分; 并且在曝光的种子层上选择性地沉积填充层。

公开(公告)号：US08318540B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12122926

申请日：2008-05-19

申请人： Gottfried Beer

发明人： Gottfried Beer

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/544 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a semiconductor structure. One embodiment produces a substrate having at least two semiconductor chips embedded in a molded body. A layer is applied over at least one main surface of the substrate by using a jet printing process.

摘要翻译： 一种制造半导体结构的方法。 一个实施例产生具有嵌入模制体中的至少两个半导体芯片的基板。 通过使用喷墨印刷方法将层施加在基板的至少一个主表面上。

公开(公告)号：US08169059B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12242521

申请日：2008-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Jens Pohl ,  Gottfried Beer ,  Oliver Nagy

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Jens Pohl ,  Gottfried Beer ,  Oliver Nagy

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Structures of a system on chip and methods of forming a system on chip are disclosed. In one embodiment, the system on a chip includes an RF component disposed on a first part of a substrate, a semiconductor component disposed on a second part of the substrate, the semiconductor component and the RF component sharing a common boundary. The system on chip further includes through substrate conductors disposed in the substrate, the through substrate conductors coupled to a ground potential node, the through substrate conductors disposed around the RF component forming a fence around the RF circuit.

摘要翻译： 公开了一种片上系统的结构以及片上系统的形成方法。 在一个实施例中，芯片上的系统包括设置在基板的第一部分上的RF部件，设置在基板的第二部分上的半导体部件，共享公共边界的半导体部件和RF部件。 芯片上的系统还包括通过设置在基板中的基板导体，连接到地电位节点的贯穿基板导体，围绕RF元件设置的贯穿基板导体，围绕RF电路形成围栏。

公开(公告)号：US08148257B1

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12894190

申请日：2010-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming an electronic device, comprising: providing a workpiece; forming a first barrier layer over the workpiece; forming an intermediate conductive layer over the first barrier layer; forming a second barrier layer over the intermediate conductive layer; forming a seed layer over the second barrier layer; removing a portion of the seed layer to leave a remaining portion of the seed layer and to expose a portion of the second barrier layer; and electroplating a fill layer on the remaining portion of the seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成电子设备的方法，包括：提供工件; 在工件上形成第一阻挡层; 在所述第一阻挡层上形成中间导电层; 在所述中间导电层上形成第二阻挡层; 在所述第二阻挡层上形成种子层; 去除种子层的一部分以留下种子层的剩余部分并暴露第二阻挡层的一部分; 并在种子层的剩余部分上电镀填充层。

公开(公告)号：US20110101532A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12611609

申请日：2009-11-03

申请人： Jens Pohl ,  Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Rainer Steiner ,  Werner Robl ,  Mathias Vaupel

发明人： Jens Pohl ,  Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Rainer Steiner ,  Werner Robl ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L23/48 ,  H05K1/00 ,  C25D5/00 ,  C25D5/34

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a device includes providing a substrate including at least one contact and applying a dielectric layer over the substrate. The method includes applying a first seed layer over the dielectric layer, applying an inert layer over the seed layer, and structuring the inert layer, the first seed layer, and the dielectric layer to expose at least a portion of the contact. The method includes applying a second seed layer over exposed portions of the structured dielectric layer and the contact such that the second seed layer makes electrical contact with the structured first seed layer. The method includes electroplating a metal on the second seed layer.

摘要翻译： 一种用于制造器件的方法包括提供包括至少一个接触的衬底并在衬底上施加电介质层。 该方法包括在电介质层上施加第一种子层，在种子层上施加惰性层，以及构造惰性层，第一籽晶层和电介质层以暴露至少一部分接触。 该方法包括在结构化介电层和触点的暴露部分上施加第二种子层，使得第二籽晶层与结构化的第一籽晶层电接触。 该方法包括在第二种子层上电镀金属。

公开(公告)号：US20110057304A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12947031

申请日：2010-11-16

申请人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

发明人： Gottfried Beer ,  Irmgard Escher-Poeppel

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a semiconductor chip module and a semiconductor chip package is disclosed. One embodiment provides a first layer, a second layer, and a base layer. The first layer is disposed on the base layer, and the second layer is disposed on the first layer. A plurality of semiconductor chips is applied above the second layer, and the second layer with the applied semiconductor chips is separated from the first layer.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体芯片模块和半导体芯片封装的方法。 一个实施例提供第一层，第二层和基层。 第一层设置在基层上，第二层设置在第一层上。 多个半导体芯片被施加在第二层上方，并且具有施加的半导体芯片的第二层与第一层分离。

公开(公告)号：US20110012214A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12891288

申请日：2010-09-27

申请人： Gottfried Beer ,  Horst Theuss

发明人： Gottfried Beer ,  Horst Theuss

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： B81C1/00333 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with cavity structure and a method for producing the same. The semiconductor component has an active semiconductor chip with the microelectromechanical structure and a wiring structure on its top side. The microelectromechanical structure is surrounded by walls of at least one cavity. A covering, which covers the cavity, is arranged on the walls. The walls have a photolithographically patterned polymer. The covering has a layer with a polymer of identical type. In one case, the molecular chains of the polymer of the walls are crosslinked with the molecular chains of the polymer layer of the covering layer to form a dimensionally stable cavity housing.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有腔结构的半导体部件及其制造方法。 半导体部件具有微机电结构的有源半导体芯片及其顶侧的布线结构。 微机电结构由至少一个空腔的壁包围。 覆盖空腔的覆盖物布置在墙壁上。 墙壁具有光刻图案的聚合物。 覆盖物具有具有相同类型的聚合物的层。 在一种情况下，壁的聚合物的分子链与覆盖层的聚合物层的分子链交联以形成尺寸稳定的腔体。