公开(公告)号：US08654110B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US12737185

申请日：2009-04-30

申请人： Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Shinya Tanaka

发明人： Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Shinya Tanaka

IPC分类号： G06F3/038 ,  G09G5/00 ,  G09G3/36

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G01J1/46 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13338 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0876

摘要： A matrix type display device including: a photosensor, provided in a display region, for outputting a signal corresponding to an intensity of light emitted to the photosensor; a TFT of n-channel type, the TFT serving as a source follower including a gate to which the signal is inputted; and light intensity detecting means for detecting the intensity of the light by detecting an output of the source follower, which is the TFT. In at least one embodiment, the TFT includes a drain to which a first pulse signal (Vpulse2) having a first pulse is inputted, the first pulse rising from a low level to a high level in a state where the signal is inputted to the gate of the TFT.

摘要翻译： 一种矩阵式显示装置，包括：光电传感器，设置在显示区域中，用于输出对应于发射到光电传感器的光的强度的信号; 作为n沟道型的TFT，作为源极跟随器的TFT包括输入信号的栅极; 以及光强度检测装置，用于通过检测作为TFT的源极跟随器的输出来检测光的强度。 在至少一个实施例中，TFT包括输入具有第一脉冲的第一脉冲信号（Vpulse2）的漏极，在信号输入到门的状态下，第一脉冲从低电平上升到高电平 的TFT。

公开(公告)号：US20130092927A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13639138

申请日：2011-01-17

申请人： Atsuhito Murai ,  Shinya Tanaka ,  Hideki Kitagawa ,  Hajime Imai ,  Mitsunori Imade ,  Tetsuo Kikuchi ,  Kazunori Morimoto ,  Junya Shimada ,  Jun Nishimura

发明人： Atsuhito Murai ,  Shinya Tanaka ,  Hideki Kitagawa ,  Hajime Imai ,  Mitsunori Imade ,  Tetsuo Kikuchi ,  Kazunori Morimoto ,  Junya Shimada ,  Jun Nishimura

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L27/15 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

摘要： The circuit board (1) of the present invention includes a plurality of transistor elements provided on a single insulating substrate (2) for respective pixels that are two-dimensionally arranged or respective pixels in a group of a predetermined number of the pixels. At least one of the plurality of transistor elements is an oxide TFT (10) having a channel layer (11) formed by an oxide semiconductor, and at least another of the plurality of transistor elements is an a-Si TFT (20) having a channel layer (21) formed by, for example, an amorphous silicon semiconductor. Each of the oxide TFT (10) and the a-Si TFT (20) is a bottom-gate transistor.

摘要翻译： 本发明的电路板（1）包括设置在单个绝缘基板（2）上的多个晶体管元件，用于各个像素的二维排列或者在一组预定数量的像素中的各个像素。 多个晶体管元件中的至少一个是具有由氧化物半导体形成的沟道层（11）的氧化物TFT（10），并且多个晶体管元件中的至少另一个是具有 沟道层（21）由例如非晶硅半导体形成。 氧化物TFT（10）和a-Si TFT（20）中的每一个都是底栅晶体管。

公开(公告)号：US20110090193A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12737185

申请日：2009-04-30

申请人： Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Shinya Tanaka

发明人： Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Shinya Tanaka

IPC分类号： G09G5/00

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G01J1/46 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13338 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0876

摘要： A matrix type display device including: a photosensor, provided in a display region, for outputting a signal corresponding to an intensity of light emitted to the photosensor; a TFT of n-channel type, the TFT serving as a source follower including a gate to which the signal is inputted; and light intensity detecting means for detecting the intensity of the light by detecting an output of the source follower, which is the TFT. In at least one embodiment, the TFT includes a drain to which a first pulse signal (Vpulse2) having a first pulse is inputted, the first pulse rising from a low level to a high level in a state where the signal is inputted to the gate of the TFT.

摘要翻译： 一种矩阵式显示装置，包括：光电传感器，设置在显示区域中，用于输出对应于发射到光电传感器的光的强度的信号; 作为n沟道型的TFT，作为源极跟随器的TFT包括输入信号的栅极; 以及光强度检测装置，用于通过检测作为TFT的源极跟随器的输出来检测光的强度。 在至少一个实施例中，TFT包括输入具有第一脉冲的第一脉冲信号（Vpulse2）的漏极，在信号输入到门的状态下，第一脉冲从低电平上升到高电平 的TFT。

公开(公告)号：US20110012880A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12736222

申请日：2009-01-27

申请人： Shinya Tanaka ,  Tetsuo Kikuchi ,  Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Yoshiharu Kataoka

发明人： Shinya Tanaka ,  Tetsuo Kikuchi ,  Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Yoshiharu Kataoka

IPC分类号： G06F3/038 ,  H01L29/94 ,  H01L21/326 ,  G11C19/00

CPC分类号： H01L27/12 ,  G09G3/3677 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L28/86

摘要： In at least one embodiment, a TFT includes: a first capacitor formed of a first capacitor electrode connected to a source electrode and a second capacitor electrode; a second capacitor formed of a third capacitor electrode and a fourth capacitor electrode; a first lead-out line; a second lead-out line connected to a gate electrode; a third lead-out line; a fourth lead-out line; a first interconnection; and a second interconnection. This realizes a TFT which can be easily saved from being a defective product even if leakage occurs in a capacitor connected to a TFT body section.

摘要翻译： 在至少一个实施例中，TFT包括：由连接到源电极和第二电容器电极的第一电容器电极形成的第一电容器; 由第三电容器电极和第四电容器电极形成的第二电容器; 第一个引出线; 连接到栅电极的第二引出线; 第三个引出线; 第四个引出线; 第一个互连; 和第二互连。 这实现了即使在连接到TFT主体部分的电容器中发生泄漏，也可以容易地将其从劣质产品中保存下来。

公开(公告)号：US08946719B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US12736222

申请日：2009-01-27

申请人： Shinya Tanaka ,  Tetsuo Kikuchi ,  Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Yoshiharu Kataoka

发明人： Shinya Tanaka ,  Tetsuo Kikuchi ,  Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Yoshiharu Kataoka

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L49/02 ,  H01L27/13

CPC分类号： H01L27/12 ,  G09G3/3677 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L28/86

摘要： In at least one embodiment, a TFT includes: a first capacitor formed of a first capacitor electrode connected to a source electrode and a second capacitor electrode; a second capacitor formed of a third capacitor electrode and a fourth capacitor electrode; a first lead-out line; a second lead-out line connected to a gate electrode; a third lead-out line; a fourth lead-out line; a first interconnection; and a second interconnection. This realizes a TFT which can be easily saved from being a defective product even if leakage occurs in a capacitor connected to a TFT body section.

摘要翻译： 在至少一个实施例中，TFT包括：由连接到源电极和第二电容器电极的第一电容器电极形成的第一电容器; 由第三电容器电极和第四电容器电极形成的第二电容器; 第一个引出线; 连接到栅电极的第二引出线; 第三个引出线; 第四个引出线; 第一个互连; 和第二互连。 这实现了即使在连接到TFT主体部分的电容器中发生泄漏，也可以容易地将其从劣质产品中保存下来。

公开(公告)号：US08581257B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13639138

申请日：2011-01-17

申请人： Atsuhito Murai ,  Shinya Tanaka ,  Hideki Kitagawa ,  Hajime Imai ,  Mitsunori Imade ,  Tetsuo Kikuchi ,  Kazunori Morimoto ,  Junya Shimada ,  Jun Nishimura

发明人： Atsuhito Murai ,  Shinya Tanaka ,  Hideki Kitagawa ,  Hajime Imai ,  Mitsunori Imade ,  Tetsuo Kikuchi ,  Kazunori Morimoto ,  Junya Shimada ,  Jun Nishimura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L27/15 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

摘要： The circuit board (1) of the present invention includes a plurality of transistor elements provided on a single insulating substrate (2) for respective pixels that are two-dimensionally arranged or respective pixels in a group of a predetermined number of the pixels. At least one of the plurality of transistor elements is an oxide TFT (10) having a channel layer (11) formed by an oxide semiconductor, and at least another of the plurality of transistor elements is an a-Si TFT (20) having a channel layer (21) formed by, for example, an amorphous silicon semiconductor. Each of the oxide TFT (10) and the a-Si TFT (20) is a bottom-gate transistor.

摘要翻译： 本发明的电路板（1）包括设置在单个绝缘基板（2）上的多个晶体管元件，用于各个像素的二维排列或者在一组预定数量的像素中的各个像素。 多个晶体管元件中的至少一个是具有由氧化物半导体形成的沟道层（11）的氧化物TFT（10），并且多个晶体管元件中的至少另一个是具有 沟道层（21）由例如非晶硅半导体形成。 氧化物TFT（10）和a-Si TFT（20）中的每一个都是底栅晶体管。

公开(公告)号：US20110007049A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12736158

申请日：2009-01-30

申请人： Tetsuo Kikuchi ,  Shinya Tanaka ,  Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Chikao Yamasaki ,  Yoshiharu Kataoka

发明人： Tetsuo Kikuchi ,  Shinya Tanaka ,  Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Chikao Yamasaki ,  Yoshiharu Kataoka

IPC分类号： G09G5/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  H01L27/1255

摘要： A TFT includes, in at least one embodiment, a capacitor formed: so as to have a region where a first capacitor electrode connected to a source electrode and a second capacitor electrode connected to a gate electrode are arranged to be stacked in a thickness direction and mutually opposed across a first dielectric layer therebetween; and so as to have a region where the first capacitor electrode and a third capacitor electrode connected to the gate electrode are arranged to be stacked in the thickness direction and mutually opposed across a second dielectric layer therebetween with a coupling between the first capacitor electrode and the third capacitor electrode and a coupling between the first capacitor electrode and the second capacitor electrode formed over mutually opposite faces of the first capacitor electrode. This realizes a TFT which can save a footprint of a capacitor connected to a TFT body section.

摘要翻译： 在至少一个实施例中，TFT包括形成的电容器，以便具有连接到源电极的第一电容器电极和连接到栅电极的第二电容器电极被布置成在厚度方向上堆叠的区域， 在它们之间的第一电介质层彼此相对; 并且具有第一电容器电极和连接到栅电极的第三电容器电极被布置成在厚度方向上堆叠并且在其间的第二介电层相互相对的区域，其中第一电容器电极和第一电容器电极之间的耦合 第三电容器电极以及在第一电容器电极的彼此相对的面上形成的第一电容器电极和第二电容器电极之间的耦合。 这实现了TFT，其可以节省连接到TFT主体部分的电容器的占位面积。

公开(公告)号：US08963152B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US12867510

申请日：2008-10-09

申请人： Shinya Tanaka ,  Tetsuo Kikuchi ,  Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Yoshiharu Kataoka

发明人： Shinya Tanaka ,  Tetsuo Kikuchi ,  Hajime Imai ,  Hideki Kitagawa ,  Yoshiharu Kataoka

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L27/12 ,  G09G3/36

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G02F2201/124 ,  G09G3/3648 ,  G09G2310/0297 ,  H01L27/124

摘要： A distance (d1) from an edge of a first region (R) at places (D) where branch electrodes (4b) extending, which branch off from an electrode line (4a) of a second source/drain electrode (4), start to overlap with a first region (R) to the electrode line (4a) is 5 μm or more. This realizes a TFT including a comb-shaped source/drain structure that enables easy repair of a source-drain leakage.

摘要翻译： 在从第二源极/漏极（4）的电极线（4a）延伸的分支电极（4b）延伸的位置（D）处的第一区域（R）的边缘的距离（d1）开始 与电极线（4a）的第一区域（R）重叠为5μm以上。 这实现了包括梳状源极/漏极结构的TFT，其能够容易地修复源极漏极泄漏。

公开(公告)号：US20130146866A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13643652

申请日：2011-03-02

申请人： Hideki Kitagawa ,  Shinya Tanaka ,  Hajime Imai ,  Atsuhito Murai ,  Mitsunori Imade ,  Tetsuo Kikuchi ,  Kazunori Morimoto ,  Junya Shimada ,  Jun Nishimura

发明人： Hideki Kitagawa ,  Shinya Tanaka ,  Hajime Imai ,  Atsuhito Murai ,  Mitsunori Imade ,  Tetsuo Kikuchi ,  Kazunori Morimoto ,  Junya Shimada ,  Jun Nishimura

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1251 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14678

摘要： A circuit board (1) includes a plurality of transistor elements on an insulating substrate (2). At least one of the plurality of transistor elements is an oxide TFT (10) including, as a channel layer (11), an oxide semiconductor. At least one of the plurality of transistor elements is an a-SiTFT (20) (i) being different from the oxide TFT (10) in functions as circuit components and (ii) including, as a channel layer (21), an amorphous silicon semiconductor. The oxide TFT (10) is a top gate transistor, and the a-SiTFT (20) is a bottom gate transistor. This provides: a configuration that can (a) enhance the performance of the circuit board equipped with the TFTs differing in their respective functions as circuit components and (b) reduce the area necessary for mounting the TFTs; and a method for producing the circuit board.

摘要翻译： 电路板（1）在绝缘基板（2）上包括多个晶体管元件。 多个晶体管元件中的至少一个是氧化物TFT（10），其包括作为沟道层（11）的氧化物半导体。 多个晶体管元件中的至少一个是与作为电路元件的功能的氧化物TFT（10）不同的a-SiTFT（20）（i），（ii）包括作为沟道层（21）的无定形 硅半导体。 氧化物TFT（10）是顶栅晶体管，并且a-SiTFT（20）是底栅晶体管。 这提供：一种配置，其可以（a）增强配备有作为电路部件的各自功能不同的TFT的电路板的性能，（b）减小安装TFT所需的面积; 以及电路基板的制造方法。

公开(公告)号：US09111810B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US13643652

申请日：2011-03-02

申请人： Hideki Kitagawa ,  Shinya Tanaka ,  Hajime Imai ,  Atsuhito Murai ,  Mitsunori Imade ,  Tetsuo Kikuchi ,  Kazunori Morimoto ,  Junya Shimada ,  Jun Nishimura

发明人： Hideki Kitagawa ,  Shinya Tanaka ,  Hajime Imai ,  Atsuhito Murai ,  Mitsunori Imade ,  Tetsuo Kikuchi ,  Kazunori Morimoto ,  Junya Shimada ,  Jun Nishimura

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L27/12 ,  H01L27/146 ,  H01L27/144

CPC分类号： H01L27/1251 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14678

摘要： A circuit board (1) includes a plurality of transistor elements on an insulating substrate (2). At least one of the plurality of transistor elements is an oxide TFT (10) including, as a channel layer (11), an oxide semiconductor. At least one of the plurality of transistor elements is an a-SiTFT (20) (i) being different from the oxide TFT (10) in functions as circuit components and (ii) including, as a channel layer (21), an amorphous silicon semiconductor. The oxide TFT (10) is a top gate transistor, and the a-SiTFT (20) is a bottom gate transistor. This provides: a configuration that can (a) enhance the performance of the circuit board equipped with the TFTs differing in their respective functions as circuit components and (b) reduce the area necessary for mounting the TFTs; and a method for producing the circuit board.

摘要翻译： 电路板（1）在绝缘基板（2）上包括多个晶体管元件。 多个晶体管元件中的至少一个是氧化物TFT（10），其包括作为沟道层（11）的氧化物半导体。 多个晶体管元件中的至少一个是与作为电路元件的功能的氧化物TFT（10）不同的a-SiTFT（20）（i），（ii）包括作为沟道层（21）的无定形 硅半导体。 氧化物TFT（10）是顶栅晶体管，并且a-SiTFT（20）是底栅晶体管。 这提供：一种配置，其可以（a）增强配备有作为电路部件的各自功能不同的TFT的电路板的性能，（b）减小安装TFT所需的面积; 以及电路基板的制造方法。