公开(公告)号：US06764864B1

公开(公告)日：2004-07-20

申请号：US10418372

申请日：2003-04-17

申请人： Hao Li ,  Jeffrey M. Finder ,  Yong Liang ,  Corey Overgaard

发明人： Hao Li ,  Jeffrey M. Finder ,  Yong Liang ,  Corey Overgaard

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/32105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/32 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/7624

摘要： An exemplary system and method for providing a microwave regime, frequency-agile device is disclosed as comprising inter alia: a low-loss, insulating substrate (200); a layer of SiO2 (210) over the surface of said substrate; and a layer of BST (220) deposited over the SiO2 layer (210). Disclosed features and specifications may be variously controlled, configured, adapted or otherwise optionally modified to further improve or otherwise optimize frequency response or other material characteristics. Exemplary embodiments of the present invention representatively provide for integrated high-efficiency, low-loss microwave components that may be readily incorporated with existing technologies for the improvement of frequency response, device package form factors, weights and/or other manufacturing, device or material performance metrics.

摘要翻译： 公开了一种用于提供微波状态的频率敏捷装置的示例性系统和方法，其特别包括：低损耗绝缘基板（200）; 在所述衬底的表面上的SiO 2层（210）; 以及沉积在SiO 2层（210）上的BST（220）层。 公开的特征和规范可以被不同地控制，配置，适配或以其他方式任意地修改，以进一步改进或以其它方式优化频率响应或其他材料特性。 本发明的示例性实施例代表性地提供了集成的高效率低损耗微波部件，其可以容易地与用于改进频率响应，装置包装形状因子，重量和/或其他制造，装置或材料性能的现有技术结合 指标

公开(公告)号：US06667196B2

公开(公告)日：2003-12-23

申请号：US09911507

申请日：2001-07-25

申请人： Zhiyi Yu ,  Ravindranath Droopad ,  Corey Overgaard

发明人： Zhiyi Yu ,  Ravindranath Droopad ,  Corey Overgaard

IPC分类号： H01L21335

CPC分类号： H01L22/26 ,  C30B23/002 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/8258 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/80001

摘要： High quality epitaxial layers of monocrystalline oxide materials (24) are grown overlying monocrystalline substrates such as large silicon wafers (22) using RHEED information to monitor the growth rate of the growing film. The monocrystalline oxide layer (24) may be used to form a compliant substrate for monocrystalline growth of additional layers. One way to achieve the formation of a compliant substrate includes first growing an accommodating buffer layer (24) on a silicon wafer (22) spaced apart from the silicon wafer (22) by an amorphous interface layer of silicon oxide (28). The amorphous interface layer (28) dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer (24).

摘要翻译： 使用RHEED信息生长单晶氧化物材料（24）的高质量外延层覆盖单晶衬底，例如大硅晶片（22），以监测生长膜的生长速率。 单晶氧化物层（24）可以用于形成用于附加层的单晶生长的柔顺衬底。 实现顺应性衬底的形成的一种方法包括首先通过氧化硅（28）的非晶界面层在与硅晶片（22）间隔开的硅晶片（22）上生长容纳缓冲层（24）。 非晶界面层（28）耗散应变并允许高质量单晶氧化物容纳缓冲层（24）的生长。