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    Phase-shift masked zone plate array lithography
    2.
    发明申请
    Phase-shift masked zone plate array lithography 审中-公开
    相移屏蔽区板阵列光刻

    公开(公告)号：US20060186355A1

    公开(公告)日：2006-08-24

    申请号：US11347138

    申请日：2006-02-03

    申请人： Henry Smith ,  George Barbastathis ,  Rajesh Menon

    发明人： Henry Smith ,  George Barbastathis ,  Rajesh Menon

    IPC分类号： G21K5/10

    CPC分类号： G03F7/70291 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70358

    摘要： A lithography system includes a source of radiation energy and a zone plate array to focus the radiation energy to create an array of images in order to produce a permanent pattern on a substrate. A phase-shift mask is optically located between the source of radiation energy and the zone plate array. The modulated wavefront produced by the phase-shift mask alters the field diffracted by the zone plate array, and the center lobe of the point-spread function narrows as a result.

    摘要翻译： 光刻系统包括辐射能量源和区板阵列，以聚焦辐射能量以产生图像阵列，以便在衬底上产生永久性图案。 相移掩模光学地位于辐射能源和区板阵列之间。 由相移掩模产生的调制波前改变由区域阵列衍射的场，结点是扩散函数的中心波瓣变窄。

    System and method for proximity effect correction in imaging systems
    3.
    发明申请
    System and method for proximity effect correction in imaging systems 失效
    成像系统中邻近效应校正的系统和方法

    公开(公告)号：US20050224725A1

    公开(公告)日：2005-10-13

    申请号：US10823458

    申请日：2004-04-13

    申请人： Rajesh Menon ,  Dario Gil ,  George Barbastathis ,  Henry Smith

    发明人： Rajesh Menon ,  Dario Gil ,  George Barbastathis ,  Henry Smith

    IPC分类号： G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01J37/304

    CPC分类号： H01J37/304 ,  G03F1/78 ,  G03F7/70383 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70558 ,  H01J2237/31769

    摘要： A system and method are disclosed for providing error correction in an imaging system. The system includes an error determination unit for determining an amount of error associated with a spot at (x,y) in a binary pattern to be imaged, a determination unit for determining the location of a nearest exposed spot at (xi, yi) for each spot at (x,y), and a dose modification unit for modifying an exposure dose at the nearest exposed spot at (xi, yi) for each spot at (x,y).

    摘要翻译： 公开了一种用于在成像系统中提供纠错的系统和方法。 该系统包括：误差确定单元，用于确定与待成像的二进制图案中的（x，y）处的斑点相关联的误差量;确定单元，用于确定最近的曝光光斑在（x i）处的位置， （x，y）处的每个斑点的剂量修改单元，以及用于修改在（x，y）处最近的曝光点的曝光剂量的剂量修改单元 （x，y）的每个点的平均值。

    System and method for proximity effect correction in imaging systems
    5.
    发明授权
    System and method for proximity effect correction in imaging systems 失效
    成像系统中邻近效应校正的系统和方法

    公开(公告)号：US07148496B2

    公开(公告)日：2006-12-12

    申请号：US10823458

    申请日：2004-04-13

    申请人： Rajesh Menon ,  Dario Gil ,  George Barbastathis ,  Henry I. Smith

    发明人： Rajesh Menon ,  Dario Gil ,  George Barbastathis ,  Henry I. Smith

    IPC分类号： H01J37/304

    CPC分类号： H01J37/304 ,  G03F1/78 ,  G03F7/70383 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70558 ,  H01J2237/31769

    摘要： A system and method are disclosed for providing error correction in an imaging system. The system includes an error determination unit for determining an amount of error associated with a spot at (x,y) in a binary pattern to be imaged, a determination unit for determining the location of a nearest exposed spot at (xi, yi) for each spot at (x,y), and a dose modification unit for modifying an exposure dose at the nearest exposed spot at (xi, yi) for each spot at (x,y).

    摘要翻译： 公开了一种用于在成像系统中提供纠错的系统和方法。 该系统包括：误差确定单元，用于确定与待成像的二进制图案中的（x，y）处的斑点相关联的误差量;确定单元，用于确定最近的曝光光斑在（x i）处的位置， （x，y）处的每个斑点的剂量修改单元，以及用于修改在（x，y）处最近的曝光点的曝光剂量的剂量修改单元 （x，y）的每个点的平均值。

    System and method for holographic fabrication and replication of diffractive optical elements for maskless lithography
    9.
    发明授权
    System and method for holographic fabrication and replication of diffractive optical elements for maskless lithography 有权
    用于无掩模光刻的衍射光学元件的全息制造和复制的系统和方法

    公开(公告)号：US07160673B2

    公开(公告)日：2007-01-09

    申请号：US10677804

    申请日：2003-10-02

    申请人： Rajesh Menon ,  Dario Gil ,  David J. Carter ,  George Barbastathis ,  Henry I. Smith

    发明人： Rajesh Menon ,  Dario Gil ,  David J. Carter ,  George Barbastathis ,  Henry I. Smith

    IPC分类号： G02B3/08

    CPC分类号： G03F7/70291 ,  G03F7/0005 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/70275

    摘要： A method is disclosed for forming an array of focusing elements for use in a lithography system. In accordance with an embodiment, the method includes the steps of providing a master element that includes at least one diffractive pattern at a first location with respect to a target surface, illuminating the master element to produce a first diffractive pattern on the target surface at the first location, moving the master element with respect to the target surface to a second location with respect to the target surface, and illuminating the master element to produce a second diffractive pattern on the target surface at the second location.

    摘要翻译： 公开了一种用于形成用于光刻系统的聚焦元件阵列的方法。 根据实施例，该方法包括以下步骤：提供在相对于目标表面的第一位置处包括至少一个衍射图案的主元件，照亮主元件以在目标表面上产生第一衍射图案 第一位置，将主元件相对于目标表面移动到相对于目标表面的第二位置，并且照亮主元件以在第二位置处在目标表面上产生第二衍射图案。