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    Magnetic bubble memory device
    6.
    发明授权
    Magnetic bubble memory device 失效
    磁性气泡记忆装置

    公开(公告)号：US4503517A

    公开(公告)日：1985-03-05

    申请号：US543422

    申请日：1983-10-19

    申请人： Hiroshi Umezaki ,  Naoki Koyama ,  Yooji Maruyama ,  Yutaka Sugita

    发明人： Hiroshi Umezaki ,  Naoki Koyama ,  Yooji Maruyama ,  Yutaka Sugita

    IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/08 ,  H01F10/06 ,  H01F41/34

    CPC分类号： G11C19/0891 ,  H01F10/06 ,  H01F41/34

    摘要： A magnetic bubble memory device comprises an ion-implanted region for information storage formed in a surface of a magnetic material layer and a permalloy transfer path formed near an ion implantation transfer path defined by the edge of the ion-implanted region for reading information from the ion implantation transfer path or writing information in the ion implantation transfer path. The ion implantation depth in a portion of the ion-implanted region near the permalloy transfer path is continuously changed to provide an inclined edge of the ion-implanted region.

    摘要翻译： 磁性气泡存储装置包括用于信息存储的离子注入区，形成在磁性材料层表面上的离子注入区和由离子注入区的边缘限定的离子注入传输路径附近形成的坡莫合金传输路径，用于从 离子注入传输路径或在离子注入传输路径中写入信息。 在坡莫合金转移路径附近的离子注入区域的一部分中的离子注入深度连续地变化以提供离子注入区域的倾斜边缘。

    Process for forming fine patterns
    8.
    发明授权
    Process for forming fine patterns 失效
    形成精细图案的过程

    公开(公告)号：US4502916A

    公开(公告)日：1985-03-05

    申请号：US607000

    申请日：1984-05-03

    申请人： Hiroshi Umezaki ,  Naoki Koyama ,  Yoozi Maruyama ,  Yutaka Sugita

    发明人： Hiroshi Umezaki ,  Naoki Koyama ,  Yoozi Maruyama ,  Yutaka Sugita

    IPC分类号： G03F7/09 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  B44C1/22 ,  B29C17/08 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

    CPC分类号： H01L21/302 ,  G03F7/094

    摘要： Fine patterns are formed by a process wherein a workpiece is spin coated with a heat-resistant resin layer, this resin layer is spin coated with an organotitanium or titanium oxide layer, a resist pattern is formed on the organotitanium or titanium oxide layer, the organotitanium or titanium oxide layer is etched by ion etching with the resist pattern as a mask, and finally, the resin layer is etched by using the etched organotitanium or titanium oxide layer as a mask.

    摘要翻译： 通过其中用耐热树脂层旋涂工件的方法形成精细图案，该树脂层用有机钛或氧化钛层旋涂，在有机钛或氧化钛层上形成抗蚀剂图案，有机钛 或氧化钛层通过用抗蚀剂图案作为掩模的离子蚀刻来蚀刻，最后，通过使用蚀刻的有机钛或氧化钛层作为掩模来蚀刻树脂层。

    Non-volatile memory device
    10.
    发明授权
    Non-volatile memory device 有权
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US07511981B2

    公开(公告)日：2009-03-31

    申请号：US11876607

    申请日：2007-10-22

    申请人： Hideo Asano ,  Koji Kitamura ,  Hisatada Miyatake ,  Kohki Noda ,  Toshio Sunaga ,  Hiroshi Umezaki

    发明人： Hideo Asano ,  Koji Kitamura ,  Hisatada Miyatake ,  Kohki Noda ,  Toshio Sunaga ,  Hiroshi Umezaki

    IPC分类号： G11C5/08

    CPC分类号： G11C11/16

    摘要： A non-volatile memory device according to one embodiment comprises a plurality of memory cells each comprising a magneto resistive element and a selection transistor; wherein at least some of the memory cells are arranged into a two dimensional array; a first interconnect line extending in a first direction of the memory array and functioning as a gate electrode of a selection transistor included in each memory cell; a second interconnect line extending in the first direction of the memory array; a third interconnect line extending in a second direction; wherein the magneto resistive element of at least some of the memory cells is sandwiched between the second and third interconnect lines, wherein the second interconnect line extends at least partially along all magneto resistive elements in a particular one of the memory cells.

    摘要翻译： 根据一个实施例的非易失性存储器件包括多个存储单元，每个存储单元包括磁阻元件和选择晶体管; 其中所述存储器单元中的至少一些被布置成二维阵列; 第一互连线，沿着所述存储器阵列的第一方向延伸并且用作包含在每个存储单元中的选择晶体管的栅电极; 在存储器阵列的第一方向上延伸的第二互连线; 第三互连线，沿第二方向延伸; 其中所述存储器单元中的至少一些的所述磁阻元件夹在所述第二和第三互连线之间，其中所述第二互连线至少部分地沿着所述存储器单元中的特定一个的所有磁阻元件延伸。