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    Process for forming fine patterns
    5.
    发明授权
    Process for forming fine patterns 失效
    形成精细图案的过程

    公开(公告)号：US4502916A

    公开(公告)日：1985-03-05

    申请号：US607000

    申请日：1984-05-03

    申请人： Hiroshi Umezaki ,  Naoki Koyama ,  Yoozi Maruyama ,  Yutaka Sugita

    发明人： Hiroshi Umezaki ,  Naoki Koyama ,  Yoozi Maruyama ,  Yutaka Sugita

    IPC分类号： G03F7/09 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  B44C1/22 ,  B29C17/08 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

    CPC分类号： H01L21/302 ,  G03F7/094

    摘要： Fine patterns are formed by a process wherein a workpiece is spin coated with a heat-resistant resin layer, this resin layer is spin coated with an organotitanium or titanium oxide layer, a resist pattern is formed on the organotitanium or titanium oxide layer, the organotitanium or titanium oxide layer is etched by ion etching with the resist pattern as a mask, and finally, the resin layer is etched by using the etched organotitanium or titanium oxide layer as a mask.

    摘要翻译： 通过其中用耐热树脂层旋涂工件的方法形成精细图案，该树脂层用有机钛或氧化钛层旋涂，在有机钛或氧化钛层上形成抗蚀剂图案，有机钛 或氧化钛层通过用抗蚀剂图案作为掩模的离子蚀刻来蚀刻，最后，通过使用蚀刻的有机钛或氧化钛层作为掩模来蚀刻树脂层。

    Magnetic bubble memory device
    6.
    发明授权
    Magnetic bubble memory device 失效
    磁性气泡记忆装置

    公开(公告)号：US4503517A

    公开(公告)日：1985-03-05

    申请号：US543422

    申请日：1983-10-19

    申请人： Hiroshi Umezaki ,  Naoki Koyama ,  Yooji Maruyama ,  Yutaka Sugita

    发明人： Hiroshi Umezaki ,  Naoki Koyama ,  Yooji Maruyama ,  Yutaka Sugita

    IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/08 ,  H01F10/06 ,  H01F41/34

    CPC分类号： G11C19/0891 ,  H01F10/06 ,  H01F41/34

    摘要： A magnetic bubble memory device comprises an ion-implanted region for information storage formed in a surface of a magnetic material layer and a permalloy transfer path formed near an ion implantation transfer path defined by the edge of the ion-implanted region for reading information from the ion implantation transfer path or writing information in the ion implantation transfer path. The ion implantation depth in a portion of the ion-implanted region near the permalloy transfer path is continuously changed to provide an inclined edge of the ion-implanted region.

    摘要翻译： 磁性气泡存储装置包括用于信息存储的离子注入区，形成在磁性材料层表面上的离子注入区和由离子注入区的边缘限定的离子注入传输路径附近形成的坡莫合金传输路径，用于从 离子注入传输路径或在离子注入传输路径中写入信息。 在坡莫合金转移路径附近的离子注入区域的一部分中的离子注入深度连续地变化以提供离子注入区域的倾斜边缘。

    Magneto-optical recording medium
    10.
    发明授权
    Magneto-optical recording medium 失效
    磁光记录介质

    公开(公告)号：US4923765A

    公开(公告)日：1990-05-08

    申请号：US294941

    申请日：1989-01-06

    申请人： Shinji Takayama ,  Toshio Niihara ,  Katsuhiro Kaneko ,  Yutaka Sugita

    发明人： Shinji Takayama ,  Toshio Niihara ,  Katsuhiro Kaneko ,  Yutaka Sugita

    IPC分类号： G03G5/16 ,  G11B11/105

    CPC分类号： G11B11/10586 ,  G03G5/16 ,  G11B11/10591 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/12951

    摘要： A magneto-optical recording medium made of a rare-earth-transition metal amorphous film provides a compensation temperature Tcomp of 50.degree.-200.degree. C. or 0.degree. C. or less. This compensation temperature decreases a saturation magnetization Ms during recording, thereby preventing the provision of inverted magnetic domains at the centers of recording domains resulting from the demagnetizing field generated by the strength distribution of laser light, and so improving a carrier-to-noise ratio during reading. In the case of using a Tb-Fe-Co system amorphous film, Tcomp of 50.degree.-200.degree. C. may be give by the composition comprising Tb of 24-30 atomic %, Co of 7-20 atomic % and Fe of the rest, and Tcomp of 0.degree. C. or less may be given by the composition comprising Tb of 18-21.5 atomic %, Co of 8-10 atomic % and Fe of the rest.

    摘要翻译： 由稀土 - 过渡金属非晶膜制成的磁光记录介质的补偿温度Tcomp为50〜200℃或0℃以下。 该补偿温度在记录期间降低饱和磁化强度Ms，从而防止在由激光的强度分布产生的消磁场产生的记录域的中心处提供反向磁畴，并且因此提高了载波噪声比 读。 在使用Tb-Fe-Co系非晶膜的情况下，可以通过包含Tb为24〜30原子％，Co为7〜20原子％的Tb的组成和50〜200℃的Fe 可以由包含18-21.5原子％的Tb，8-10原子％的Co和其余的Fe的组合物给出0℃或更低的Tcomp。