公开(公告)号：US20090311606A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12484898

申请日：2009-06-15

申请人： Hirofumi FUKUOKA ,  Koichiro Watanabe ,  Meguru Kashida ,  Satoru Miyawaki ,  Toshio Ohba

发明人： Hirofumi FUKUOKA ,  Koichiro Watanabe ,  Meguru Kashida ,  Satoru Miyawaki ,  Toshio Ohba

IPC分类号： H01M4/58 ,  H01G9/04

CPC分类号： H01M4/134 ,  H01M4/48 ,  H01M10/0525

摘要： A conductive powder is provided in which particles having silicon crystallites dispersed in a silicon compound are coated on their surface with carbon. The conductive powder develops a diffraction peak assigned to Si(111) around 2θ=28.4° on x-ray diffractometry (Cu—Kα) using copper as the counter cathode, the peak having a half width of at least 1.0°, and has a specific resistance of up to 50 mΩ. The powder is used as a negative electrode material to construct a non-aqueous electrolyte secondary battery, which has a high charge/discharge capacity and improved cycle performance.

摘要翻译： 提供了一种导电粉末，其中具有分散在硅化合物中的硅微晶的颗粒在其表面上涂覆有碳。 使用铜作为对阴极，导电粉末在x射线衍射（Cu-Kalpha）上形成分配给Si（111）约2θ= 28.4°的衍射峰，该峰具有至少1.0°的半宽度，并且具有 比电阻高达50 mOmega。 该粉末用作负极材料，以构建具有高充电/放电容量和改进的循环性能的非水电解质二次电池。

公开(公告)号：US20110287313A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US13103173

申请日：2011-05-09

申请人： Hirofumi FUKUOKA ,  Meguru KASHIDA ,  Satoru MIYAWAKI ,  Toshio OHBA

发明人： Hirofumi FUKUOKA ,  Meguru KASHIDA ,  Satoru MIYAWAKI ,  Toshio OHBA

IPC分类号： H01M4/131 ,  H01M4/88 ,  H01M10/02 ,  H01G9/15

CPC分类号： H01M4/134 ,  C01B33/113 ,  C01B33/183 ,  C01B33/184 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  H01G11/04 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/485 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/13

摘要： A silicon oxide material is obtained by cooling and precipitating a gaseous mixture of SiO gas and silicon-containing gas and has an oxygen content of 20-35 wt %. Using the silicon oxide material as a negative electrode active material, a nonaqueous electrolyte secondary battery is constructed that exhibits a high 1st cycle charge/discharge efficiency and improved cycle performance while maintaining the high battery capacity and low volume expansion of silicon oxide.

摘要翻译： 通过冷却和沉淀出一氧化硅气体和含硅气体的气体混合物并具有20-35重量％的氧含量获得氧化硅材料。 使用氧化硅材料作为负极活性物质，构造出在保持高电池容量和低氧化硅体积膨胀的同时表现出高的第一循环充放电效率和改进的循环性能的非水电解质二次电池。

公开(公告)号：US20090202911A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12367245

申请日：2009-02-06

申请人： Hirofumi FUKUOKA ,  Meguru Kashida ,  Satoru Miyawaki ,  Toshio Ohba

发明人： Hirofumi FUKUOKA ,  Meguru Kashida ,  Satoru Miyawaki ,  Toshio Ohba

IPC分类号： H01M4/58 ,  B05D5/12 ,  H01G9/042

CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/4417 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/131 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/587 ,  H01M10/052

摘要： A negative electrode material comprises a conductive powder of particles of a lithium ion-occluding and releasing material coated on their surface with a graphite coating. The graphite coating, on Raman spectroscopy analysis, develops broad peaks having an intensity I1330 and I1580 at 1330 cm−1 and 1580 cm−1 Raman shift, an intensity ratio I1330/I1580 being 1.5

摘要翻译： 负极材料包括用石墨涂层涂覆在其表面上的锂离子封闭和释放材料的颗粒的导电粉末。 通过拉曼光谱分析，石墨涂层在1330cm -1和1580cm -1拉曼位移下产生强度为I1330和I1580的宽峰，强度比I1330 / I1580为1.5

公开(公告)号：US20110159303A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US13040838

申请日：2011-03-04

申请人： Hirofumi FUKUOKA ,  Meguru KASHIDA ,  Toshio OHBA

发明人： Hirofumi FUKUOKA ,  Meguru KASHIDA ,  Toshio OHBA

IPC分类号： B32B27/06

CPC分类号： C23C14/10 ,  C23C14/24 ,  Y10T428/31667

摘要： A sintered silicon oxide for film vapor deposition having a density of 1.0 to 2.0 g/cm3, three-point flexural strength of at least 50 g/mm2, and a BET specific surface area of 0.1 to 20 m2/g is provided. When this sintered silicon oxide is used for evaporation source of a film, pin holes and other defects of the film caused by the problematic splash phenomenon can be reliably prevented and stable production of a reliable package material having excellent gas barrier property is been enabled. This invention also provides a method for producing such sintered silicon oxide, and this method can be used in a large scale production without requiring any special technology, and therefore, this method is capable of supplying the market with the sintered silicon oxide at reduced cost.

摘要翻译： 提供密度为1.0〜2.0g / cm 3，三点弯曲强度为至少50g / mm 2，BET比表面积为0.1〜20m 2 / g的薄膜蒸镀烧结二氧化硅。 当该烧结氧化硅用于膜的蒸发源时，可以可靠地防止由有问题的溅射现象引起的针孔和其它缺陷，并且能够稳定地生产具有优异阻气性的可靠的封装材料。 本发明还提供了一种制造这种烧结氧化硅的方法，并且该方法可以大规模生产而不需要任何特殊技术，因此该方法能够以降低的成本为市场提供烧结氧化硅。

公开(公告)号：US20090232721A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12399590

申请日：2009-03-06

申请人： Hirofumi FUKUOKA ,  Meguru Kashida ,  Toshio Ohba

发明人： Hirofumi FUKUOKA ,  Meguru Kashida ,  Toshio Ohba

IPC分类号： C01B33/113 ,  C23C16/40

CPC分类号： C23C14/10 ,  C23C14/24 ,  Y10T428/31667

摘要： A sintered silicon oxide for film vapor deposition having a density of 1.0 to 2.0 g/cm3, three-point flexural strength of at least 50 g/mm2, and a BET specific surface area of 0.1 to 20 m2/g is provided. When this sintered silicon oxide is used for evaporation source of a film, pin holes and other defects of the film caused by the problematic splash phenomenon can be reliably prevented and stable production of a reliable package material having excellent gas barrier property is been enabled. This invention also provides a method for producing such sintered silicon oxide, and this method can be used in a large scale production without requiring any special technology, and therefore, this method is capable of supplying the market with the sintered silicon oxide at reduced cost.

摘要翻译： 提供密度为1.0〜2.0g / cm 3，三点弯曲强度为至少50g / mm 2，BET比表面积为0.1〜20m 2 / g的薄膜蒸镀烧结二氧化硅。 当该烧结氧化硅用于膜的蒸发源时，可以可靠地防止由有问题的溅射现象引起的针孔和其它缺陷，并且能够稳定地生产具有优异阻气性的可靠的封装材料。 本发明还提供了一种制造这种烧结氧化硅的方法，并且该方法可以大规模生产而不需要任何特殊技术，因此该方法能够以降低的成本为市场提供烧结氧化硅。

公开(公告)号：US20080254287A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US12050769

申请日：2008-03-18

申请人： Hirofumi FUKUOKA ,  Susumu Ueno ,  Toshio Okada ,  Meguru Kashida

发明人： Hirofumi FUKUOKA ,  Susumu Ueno ,  Toshio Okada ,  Meguru Kashida

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/52

CPC分类号： C04B35/83 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  Y10T428/292

摘要： A silicon carbide-silicon carbide fiber composite consists of silicon carbide particles and silicon carbide fibers. The composite has excellent oxidation resistance and finds a wide range of application as heat resistant material. The silicon carbide conversion method is simple and consistent enough to ensure production of silicon carbide-silicon carbide fiber composites with minimized variation in quality.

摘要翻译： 碳化硅 - 碳化硅纤维复合材料由碳化硅颗粒和碳化硅纤维组成。 该复合材料具有优异的抗氧化性，可广泛应用于耐热材料。 碳化硅转换方法简单和一致，足以确保碳化硅 - 碳化硅纤维复合材料的生产，质量变化最小化。

公开(公告)号：US20100179049A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12726181

申请日：2010-03-17

申请人： Hirofumi FUKUOKA ,  Susumu Ueno ,  Toshio Okada ,  Meguru Kashida

发明人： Hirofumi FUKUOKA ,  Susumu Ueno ,  Toshio Okada ,  Meguru Kashida

IPC分类号： C04B35/577

CPC分类号： C04B35/83 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  Y10T428/292

摘要： A silicon carbide-silicon carbide fiber composite consists of silicon carbide particles and silicon carbide fibers. The composite has excellent oxidation resistance and finds a wide range of application as heat resistant material. The silicon carbide conversion method is simple and consistent enough to ensure production of silicon carbide-silicon carbide fiber composites with minimized variation in quality.

摘要翻译： 碳化硅 - 碳化硅纤维复合材料由碳化硅颗粒和碳化硅纤维组成。 该复合材料具有优异的抗氧化性，可广泛应用于耐热材料。 碳化硅转换方法简单和一致，足以确保碳化硅 - 碳化硅纤维复合材料的生产，质量变化最小化。

公开(公告)号：US20100112231A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12684645

申请日：2010-01-08

申请人： Hirofumi FUKUOKA ,  Susumu Ueno ,  Mikio Aramata ,  Toshio Okada ,  Noriaki Hamaya ,  Takao Maeda

发明人： Hirofumi FUKUOKA ,  Susumu Ueno ,  Mikio Aramata ,  Toshio Okada ,  Noriaki Hamaya ,  Takao Maeda

IPC分类号： C23C4/10

CPC分类号： C04B35/573 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9684 ,  Y10T428/24421 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4515 ,  C04B41/4527 ,  C04B41/4556 ,  C04B35/83

摘要： A graphite-silicon carbide composite comprises a graphite substrate and a silicon carbide layer formed thereon and comprising silicon carbide particles in fused and contact bonded state. The composite has excellent oxidation resistance and finds a wide range of application as heat resistant material. The method of forming a silicon carbide layer on graphite surface is simple and consistent.

摘要翻译： 石墨 - 碳化硅复合材料包括在其上形成的石墨基底和碳化硅层，并且包括熔融和接触键合状态的碳化硅颗粒。 该复合材料具有优异的抗氧化性，可广泛应用于耐热材料。 在石墨表面形成碳化硅层的方法简单一致。