公开(公告)号：US20100252774A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12749934

申请日：2010-03-30

申请人： Hirotaka SHIDA ,  Akihiro Takemura ,  Taichi Abe

发明人： Hirotaka SHIDA ,  Akihiro Takemura ,  Taichi Abe

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09K3/1409

摘要： A chemical mechanical polishing aqueous dispersion that is used to polish a polishing target that includes a wiring layer that contains tungsten, the chemical mechanical polishing aqueous dispersion including: (A) a cationic water-soluble polymer; (B) an iron (III) compound; and (C) colloidal silica having an average particle diameter calculated from a specific surface area determined by the BET method of 10 to 60 nm, the content (MA) (mass %) of the cationic water-soluble polymer (A) and the content (MC) (mass %) of the colloidal silica (C) satisfying the relationship “MA/MC=0.0001 to 0.003”, and the chemical mechanical polishing aqueous dispersion having a pH of 1 to 3.

摘要翻译： 一种化学机械抛光水性分散体，其用于抛光包括含有钨的布线层的抛光对象，所述化学机械抛光水分散体包括：（A）阳离子水溶性聚合物; （B）铁（III）化合物; 和（C）由BET法测定的比表面积为10〜60nm，阳离子型水溶性聚合物（A）的含量（质量％）（质量％）和含量 （C）的胶体二氧化硅（C）的质量％（MC）（质量％），pH为1〜3的化学机械研磨用水系分散体。

公开(公告)号：US20070128874A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11563414

申请日：2006-11-27

申请人： Hirotaka SHIDA ,  Yukiteru MATSUI ,  Atsushi SHIGETA ,  Shinichi HIRASAWA ,  Hirokazu KATO ,  Masako KINOSHITA ,  Takeshi NISHIOKA ,  Hiroyuki YANO

发明人： Hirotaka SHIDA ,  Yukiteru MATSUI ,  Atsushi SHIGETA ,  Shinichi HIRASAWA ,  Hirokazu KATO ,  Masako KINOSHITA ,  Takeshi NISHIOKA ,  Hiroyuki YANO

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/7681 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76835

摘要： A chemical mechanical polishing method comprises polishing an organic film using a slurry including polymer particles having a surface functional group and a water-soluble polymer.

摘要翻译： 化学机械抛光方法包括使用包含具有表面官能团的聚合物颗粒和水溶性聚合物的浆料来抛光有机膜。

公开(公告)号：US20080318427A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12127334

申请日：2008-05-27

申请人： Eiichirou KUNITANI ,  Hirotaka SHIDA ,  Kazuhito UCHIKURA

发明人： Eiichirou KUNITANI ,  Hirotaka SHIDA ,  Kazuhito UCHIKURA

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/3212

摘要： A chemical mechanical polishing aqueous dispersion preparation set including: a first composition which includes colloidal silica having an average primary particle diameter of 15 to 40 nm and a basic compound and has a pH of 8.0 to 11.0; and a second composition which includes poly(meth)acrylic acid and an organic acid having two or more carbonyl groups other than the poly(meth)acrylic acid and has a pH of 1.0 to 5.0.

摘要翻译： 一种化学机械抛光水性分散体制剂组，包括：第一组合物，其包含平均一次粒径为15〜40nm的胶体二氧化硅和碱性化合物，pH为8.0〜11.0; 以及第二组合物，其包含聚（甲基）丙烯酸和除聚（甲基）丙烯酸以外具有两个或更多个羰基并且具有1.0至5.0的pH的有机酸。

公开(公告)号：US20080274620A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US12164320

申请日：2008-06-30

申请人： Hirotaka SHIDA ,  Tomohisa Konno ,  Masayuki Hattori ,  Nobuo Kawahashi

发明人： Hirotaka SHIDA ,  Tomohisa Konno ,  Masayuki Hattori ,  Nobuo Kawahashi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： A chemical mechanical polishing method of the present invention comprises conducting polishing by the use of a chemical mechanical polishing aqueous dispersion (A) containing abrasive grains and then conducting polishing by the use of a chemical mechanical polishing aqueous composition (B) containing at least one organic compound having a heterocyclic ring in addition to the chemical mechanical polishing aqueous dispersion (A). Also A chemical mechanical polishing agent kit of the present invention comprises the chemical mechanical polishing aqueous dispersion (A) and the chemical mechanical polishing aqueous composition (B). The polishing method and the polishing agent kit can prevent an increase of dishing and corrosion of wiring portion to enhance the yield.

摘要翻译： 本发明的化学机械抛光方法包括通过使用含有磨粒的化学机械抛光水分散体（A）进行抛光，然后通过使用含有至少一种有机物的化学机械抛光含水组合物（B）进行抛光 除了化学机械研磨水分散体（A）之外还具有杂环的化合物。 本发明的化学机械研磨剂试剂盒也包括化学机械研磨用水分散体（A）和化学机械研磨用水性组合物（B）。 抛光方法和抛光剂套件可以防止布线部分的凹陷和腐蚀增加以提高产量。