公开(公告)号：US08253125B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12275536

申请日：2008-11-21

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Ten Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Ten Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

摘要： There is provided a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device. A method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to an aspect of the invention may include: nitriding a surface of an m-plane sapphire substrate; forming a high-temperature buffer layer on the m-plane sapphire substrate; depositing a semi-polar (11-22) plane nitride thin film on the high-temperature buffer layer; and forming a light emitting structure including a first nitride semiconductor layer, an active layer, and a second nitride semiconductor layer on the semi-polar (11-22) plane nitride thin film.

摘要翻译： 提供了一种制造氮化物半导体发光器件的方法。 根据本发明的一个方面的制造氮化物半导体发光器件的方法可以包括：氮化m面蓝宝石衬底的表面; 在m面蓝宝石衬底上形成高温缓冲层; 在高温缓冲层上沉积半极（11-22）面氮化物薄膜; 以及在所述半极性（11-22）面氮化物薄膜上形成包括第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构。

公开(公告)号：US20090134410A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12275536

申请日：2008-11-21

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Tan Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Tan Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

摘要： There is provided a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device. A method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to an aspect of the invention may include: nitriding a surface of an m-plane sapphire substrate; forming a high-temperature buffer layer on the m-plane sapphire substrate; depositing a semi-polar (11-22) plane nitride thin film on the high-temperature buffer layer; and forming a light emitting structure including a first nitride semiconductor layer, an active layer, and a second nitride semiconductor layer on the semi-polar (11-22) plane nitride thin film.

摘要翻译： 提供了一种制造氮化物半导体发光器件的方法。 根据本发明的一个方面的制造氮化物半导体发光器件的方法可以包括：氮化m面蓝宝石衬底的表面; 在m面蓝宝石衬底上形成高温缓冲层; 在高温缓冲层上沉积半极（11-22）面氮化物薄膜; 以及在所述半极性（11-22）面氮化物薄膜上形成包括第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构。

公开(公告)号：US20090298214A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12263873

申请日：2008-11-03

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12

摘要： There is provided a method of growing a nitride single crystal. A method of growing a nitride single crystal according to an aspect of the invention may include: growing a first nitride single crystal layer on a substrate; forming a dielectric pattern having an open area on the first nitride single crystal layer, the open area exposing a part of an upper surface of the first nitride single crystal layer; and growing a second nitride single crystal layer on the first nitride single crystal layer through the open area while the second nitride single crystal layer grows to be equal to or larger than a height of the dielectric pattern, wherein the height of the dielectric pattern is greater than a width of the open area so that dislocations in the second nitride single crystal layer move laterally, collide with side walls of the dielectric pattern, and are terminated.

摘要翻译： 提供了生长氮化物单晶的方法。 根据本发明的一个方面的生长氮化物单晶的方法可以包括：在衬底上生长第一氮化物单晶层; 在所述第一氮化物单晶层上形成具有开放区域的电介质图案，所述开放区域露出所述第一氮化物单晶层的上表面的一部分; 以及通过所述开放区域在所述第一氮化物单晶层上生长第二氮化物单晶层，而所述第二氮化物单晶层生长至等于或大于所述电介质图案的高度，其中所述电介质图案的高度较大 比第二氮化物单晶层的位错横向移动，与介质图案的侧壁碰撞而终止。

公开(公告)号：US08148178B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12263873

申请日：2008-11-03

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12

摘要： There is provided a method of growing a nitride single crystal. A method of growing a nitride single crystal according to an aspect of the invention may include: growing a first nitride single crystal layer on a substrate; forming a dielectric pattern having an open area on the first nitride single crystal layer, the open area exposing a part of an upper surface of the first nitride single crystal layer; and growing a second nitride single crystal layer on the first nitride single crystal layer through the open area while the second nitride single crystal layer grows to be equal to or larger than a height of the dielectric pattern, wherein the height of the dielectric pattern is greater than a width of the open area so that dislocations in the second nitride single crystal layer move laterally, collide with side walls of the dielectric pattern, and are terminated.

摘要翻译： 提供了生长氮化物单晶的方法。 根据本发明的一个方面的生长氮化物单晶的方法可以包括：在衬底上生长第一氮化物单晶层; 在所述第一氮化物单晶层上形成具有开放区域的电介质图案，所述开放区域露出所述第一氮化物单晶层的上表面的一部分; 以及通过所述开放区域在所述第一氮化物单晶层上生长第二氮化物单晶层，而所述第二氮化物单晶层生长至等于或大于所述电介质图案的高度，其中所述电介质图案的高度较大 比第二氮化物单晶层的位错横向移动，与介质图案的侧壁碰撞而终止。