公开(公告)号：US08253125B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12275536

申请日：2008-11-21

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Ten Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Ten Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

摘要： There is provided a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device. A method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to an aspect of the invention may include: nitriding a surface of an m-plane sapphire substrate; forming a high-temperature buffer layer on the m-plane sapphire substrate; depositing a semi-polar (11-22) plane nitride thin film on the high-temperature buffer layer; and forming a light emitting structure including a first nitride semiconductor layer, an active layer, and a second nitride semiconductor layer on the semi-polar (11-22) plane nitride thin film.

摘要翻译： 提供了一种制造氮化物半导体发光器件的方法。 根据本发明的一个方面的制造氮化物半导体发光器件的方法可以包括：氮化m面蓝宝石衬底的表面; 在m面蓝宝石衬底上形成高温缓冲层; 在高温缓冲层上沉积半极（11-22）面氮化物薄膜; 以及在所述半极性（11-22）面氮化物薄膜上形成包括第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构。

公开(公告)号：US20090134410A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12275536

申请日：2008-11-21

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Tan Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Tan Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

摘要： There is provided a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device. A method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to an aspect of the invention may include: nitriding a surface of an m-plane sapphire substrate; forming a high-temperature buffer layer on the m-plane sapphire substrate; depositing a semi-polar (11-22) plane nitride thin film on the high-temperature buffer layer; and forming a light emitting structure including a first nitride semiconductor layer, an active layer, and a second nitride semiconductor layer on the semi-polar (11-22) plane nitride thin film.

摘要翻译： 提供了一种制造氮化物半导体发光器件的方法。 根据本发明的一个方面的制造氮化物半导体发光器件的方法可以包括：氮化m面蓝宝石衬底的表面; 在m面蓝宝石衬底上形成高温缓冲层; 在高温缓冲层上沉积半极（11-22）面氮化物薄膜; 以及在所述半极性（11-22）面氮化物薄膜上形成包括第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构。

公开(公告)号：US20090298214A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12263873

申请日：2008-11-03

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12

摘要： There is provided a method of growing a nitride single crystal. A method of growing a nitride single crystal according to an aspect of the invention may include: growing a first nitride single crystal layer on a substrate; forming a dielectric pattern having an open area on the first nitride single crystal layer, the open area exposing a part of an upper surface of the first nitride single crystal layer; and growing a second nitride single crystal layer on the first nitride single crystal layer through the open area while the second nitride single crystal layer grows to be equal to or larger than a height of the dielectric pattern, wherein the height of the dielectric pattern is greater than a width of the open area so that dislocations in the second nitride single crystal layer move laterally, collide with side walls of the dielectric pattern, and are terminated.

摘要翻译： 提供了生长氮化物单晶的方法。 根据本发明的一个方面的生长氮化物单晶的方法可以包括：在衬底上生长第一氮化物单晶层; 在所述第一氮化物单晶层上形成具有开放区域的电介质图案，所述开放区域露出所述第一氮化物单晶层的上表面的一部分; 以及通过所述开放区域在所述第一氮化物单晶层上生长第二氮化物单晶层，而所述第二氮化物单晶层生长至等于或大于所述电介质图案的高度，其中所述电介质图案的高度较大 比第二氮化物单晶层的位错横向移动，与介质图案的侧壁碰撞而终止。

公开(公告)号：US08148178B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12263873

申请日：2008-11-03

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12

摘要： There is provided a method of growing a nitride single crystal. A method of growing a nitride single crystal according to an aspect of the invention may include: growing a first nitride single crystal layer on a substrate; forming a dielectric pattern having an open area on the first nitride single crystal layer, the open area exposing a part of an upper surface of the first nitride single crystal layer; and growing a second nitride single crystal layer on the first nitride single crystal layer through the open area while the second nitride single crystal layer grows to be equal to or larger than a height of the dielectric pattern, wherein the height of the dielectric pattern is greater than a width of the open area so that dislocations in the second nitride single crystal layer move laterally, collide with side walls of the dielectric pattern, and are terminated.

摘要翻译： 提供了生长氮化物单晶的方法。 根据本发明的一个方面的生长氮化物单晶的方法可以包括：在衬底上生长第一氮化物单晶层; 在所述第一氮化物单晶层上形成具有开放区域的电介质图案，所述开放区域露出所述第一氮化物单晶层的上表面的一部分; 以及通过所述开放区域在所述第一氮化物单晶层上生长第二氮化物单晶层，而所述第二氮化物单晶层生长至等于或大于所述电介质图案的高度，其中所述电介质图案的高度较大 比第二氮化物单晶层的位错横向移动，与介质图案的侧壁碰撞而终止。

公开(公告)号：US20090155947A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12246594

申请日：2008-10-07

申请人： Ho Sun Paek ,  Jeong Wook Lee ,  Youn Joon Sung

发明人： Ho Sun Paek ,  Jeong Wook Lee ,  Youn Joon Sung

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

摘要： A method of growing a semi-polar nitride single crystal thin film. The method includes forming a semi-polar nitride single crystal base layer on an m-plane hexagonal system single crystal substrate, forming a dielectric pattern layer on the semi-polar nitride single crystal base layer, and growing the semi-polar nitride single crystal thin film on the semi-polar nitride single crystal base layer having the dielectric pattern layer in a lateral direction. The growing of the semi-polar nitride single crystal thin film in a lateral direction includes primarily growing the semi-polar nitride single crystal thin film in the lateral direction such that part of a growth plane on the semi-polar nitride single crystal base layer has an a-plane, and secondarily growing the semi-polar nitride single crystal thin film in the lateral direction such that sidewalls of the primarily grown semi-polar nitride single crystal thin film are combined to have a (11 22) plane.

摘要翻译： 生长半极性氮化物单晶薄膜的方法。 该方法包括在m面六方晶系单晶衬底上形成半极化氮化物单晶基底层，在半极化氮化物单晶基底层上形成电介质图案层，并生长半极化氮化物单晶薄膜 在具有横向方向上具有电介质图案层的半极性氮化物单晶基底层上的膜。 半极性氮化物单晶薄膜在横向上的生长包括主要在横向上生长半极性氮化物单晶薄膜，使得半极性氮化物单晶基底层上的生长面的一部分具有 a平面，并且在横向上二次生长半极性氮化物单晶薄膜，使得主要生长的半极性氮化物单晶薄膜的侧壁被组合成具有（11 22）飞机。

公开(公告)号：US07790584B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US12246594

申请日：2008-10-07

申请人： Ho Sun Paek ,  Jeong Wook Lee ,  Youn Joon Sung

发明人： Ho Sun Paek ,  Jeong Wook Lee ,  Youn Joon Sung

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

摘要： A method of growing a semi-polar nitride single crystal thin film. The method includes forming a semi-polar nitride single crystal base layer on an m-plane hexagonal system single crystal substrate, forming a dielectric pattern layer on the semi-polar nitride single crystal base layer, and growing the semi-polar nitride single crystal thin film on the semi-polar nitride single crystal base layer having the dielectric pattern layer in a lateral direction. The growing of the semi-polar nitride single crystal thin film in a lateral direction includes primarily growing the semi-polar nitride single crystal thin film in the lateral direction such that part of a growth plane on the semi-polar nitride single crystal base layer has an a-plane, and secondarily growing the semi-polar nitride single crystal thin film in the lateral direction such that sidewalls of the primarily grown semi-polar nitride single crystal thin film are combined to have a (11 22) plane.

摘要翻译： 生长半极性氮化物单晶薄膜的方法。 该方法包括在m面六方晶系单晶衬底上形成半极化氮化物单晶基底层，在半极化氮化物单晶基底层上形成电介质图案层，并生长半极化氮化物单晶薄膜 在具有横向方向上具有电介质图案层的半极性氮化物单晶基底层上的膜。 半极性氮化物单晶薄膜在横向上的生长包括主要在横向上生长半极性氮化物单晶薄膜，使得半极性氮化物单晶基底层上的生长面的一部分具有 a平面，并且在横向上二次生长半极性氮化物单晶薄膜，使得主要生长的半极性氮化物单晶薄膜的侧壁被组合成具有（1122）面。

公开(公告)号：US08163579B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12073293

申请日：2008-03-04

申请人： Youn Joon Sung ,  Ho Sun Paek

发明人： Youn Joon Sung ,  Ho Sun Paek

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202

摘要： Provided is a method of manufacturing a semiconductor laser diode. The method includes the steps of: preparing a GaN substrate having an a-plane or m-plane GaN layer formed thereon; forming a plurality of laser diode structures on the GaN layer; etching the GaN substrate such that a cutting reference line is formed in a groove shape along the crystal surface of the a-plane or m-plane, not a main plane; and cutting the GaN substrate along the cutting reference line so as to form a mirror surface of the semiconductor laser diode, the mirror surface coinciding with the crystal surface of the a-plane or m-plane, not the main plane.

摘要翻译： 提供一种制造半导体激光二极管的方法。 该方法包括以下步骤：制备其上形成有a面或m面GaN层的GaN衬底; 在所述GaN层上形成多个激光二极管结构; 蚀刻GaN衬底，使得切割参考线沿着a面或m面的晶体表面而不是主平面形成为沟槽形状; 并且沿着切割参考线切割GaN衬底以形成半导体激光二极管的镜面，镜面与a面或m面的晶体表面重合，而不是主平面。

公开(公告)号：US20090155945A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12073293

申请日：2008-03-04

申请人： Youn Joon Sung ,  Ho Sun Paek

发明人： Youn Joon Sung ,  Ho Sun Paek

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202

摘要： Provided is a method of manufacturing a semiconductor laser diode. The method includes the steps of: preparing a GaN substrate having an a-plane or m-plane GaN layer formed thereon; forming a plurality of laser diode structures on the GaN layer; etching the GaN substrate such that a cutting reference line is formed in a groove shape along the crystal surface of the a-plane or m-plane, not a main plane; and cutting the GaN substrate along the cutting reference line so as to form a mirror surface of the semiconductor laser diode, the mirror surface coinciding with the crystal surface of the a-plane or m-plane, not the main plane.

摘要翻译： 提供一种制造半导体激光二极管的方法。 该方法包括以下步骤：制备其上形成有a面或m面GaN层的GaN衬底; 在所述GaN层上形成多个激光二极管结构; 蚀刻GaN衬底，使得切割参考线沿着a面或m面的晶体表面而不是主平面形成为沟槽形状; 并且沿着切割参考线切割GaN衬底以形成半导体激光二极管的镜面，镜面与a面或m面的晶体表面重合，而不是主平面。

公开(公告)号：US07973303B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12580152

申请日：2009-10-15

申请人： Tan Sakong ,  Youn Joon Sung ,  Jeong Wook Lee

发明人： Tan Sakong ,  Youn Joon Sung ,  Jeong Wook Lee

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12

摘要： A nitride semiconductor device includes n-type and p-type nitride semiconductor layers, an active layer, the active layer having a lamination of quantum barrier layers and quantum well layers, a thermal stress control layer disposed between the n-type nitride semiconductor layer and the active layer, and formed of a material having a smaller thermal expansion coefficient than the n-type and p-type nitride semiconductor layers, and a lattice stress control layer disposed between the thermal stress control layer and the active layer, and including a first layer and a second layer.

摘要翻译： 氮化物半导体器件包括n型和p型氮化物半导体层，有源层，具有量子势垒层和量子阱层叠层的有源层，设置在n型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层之间的热应力控制层 所述活性层由具有比n型和p型氮化物半导体层更小的热膨胀系数的材料形成，以及布置在所述热应力控制层和所述有源层之间的晶格应力控制层，并且包括第一 层和第二层。

公开(公告)号：US08993993B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13104487

申请日：2011-05-10

申请人： Hyung Duk Ko ,  Jung Ja Yang ,  Yu Seung Kim ,  Youn Joon Sung ,  Soo Jin Jung ,  Dae Cheon Kim ,  Byung Kwun Lee

发明人： Hyung Duk Ko ,  Jung Ja Yang ,  Yu Seung Kim ,  Youn Joon Sung ,  Soo Jin Jung ,  Dae Cheon Kim ,  Byung Kwun Lee

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0091

摘要： Provided are a semiconductor light emitting device and a method for fabricating the same. The semiconductor light emitting device includes a light emitting structure and a pattern. The light emitting structure includes a first-conductivity-type semiconductor layer, an active layer, and a second-conductivity-type semiconductor layer. The pattern is formed on at least one light emitting surface among the surfaces of the light emitting structure. The pattern has a plurality of convex or concave parts that are similar in shape. The light emitting surface with the pattern formed thereon has a plurality of virtual reference regions that are equal in size and are arranged in a regular manner. The convex or concave part is disposed in the reference regions such that a part of the edge thereof is in contact with the outline of one of the plurality of virtual reference regions.

摘要翻译： 提供一种半导体发光器件及其制造方法。 半导体发光器件包括发光结构和图案。 发光结构包括第一导电型半导体层，有源层和第二导电型半导体层。 该图案形成在发光结构的表面中的至少一个发光表面上。 该图案具有形状相似的多个凸部或凹部。 具有形成在其上的图案的发光面具有多个尺寸相等并以规则排列的虚拟参考区域。 凸部或凹部设置在参考区域中，使得其边缘的一部分与多个虚拟参考区域之一的轮廓接触。