公开(公告)号：US20130065386A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13596621

申请日：2012-08-28

申请人： Hyo-Jung Kim ,  Dae-Hong Eom ,  Jong-Heun Lim ,  Myung-Jung Pyo ,  Byoung-Moon Yoon ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Hyo-Jung Kim ,  Dae-Hong Eom ,  Jong-Heun Lim ,  Myung-Jung Pyo ,  Byoung-Moon Yoon ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/7926

摘要： A first insulating interlayer is formed on a substrate including first and second regions. The first insulating interlayer has top surface, a height of which is greater in the first region than in the second region. A first planarization stop layer and a second insulating interlayer are formed. The second insulating interlayer is planarized until the first planarization stop layer is exposed. The first planarization stop layer and the first and second insulating interlayers in the second region are removed to expose the substrate. A lower mold structure including first insulation layer patterns, first sacrificial layer patterns and a second planarization stop layer pattern is formed. The first insulation layer patterns and the first sacrificial layer patterns are alternately and repeatedly formed on the substrate, and a second planarization stop layer pattern is formed on the first insulation layer pattern.

摘要翻译： 在包括第一和第二区域的基板上形成第一绝缘中间层。 第一绝缘中间层具有顶表面，其高度在第一区域中大于在第二区域中的高度。 形成第一平坦化停止层和第二绝缘夹层。 平面化第二绝缘层，直到第一平坦化停止层露出。 去除第二区域中的第一平坦化停止层和第一和第二绝缘夹层以露出衬底。 形成包括第一绝缘层图案，第一牺牲层图案和第二平坦化停止层图案的下模具结构。 第一绝缘层图案和第一牺牲层图案在基板上交替重复地形成，并且在第一绝缘层图案上形成第二平坦化停止层图案。

公开(公告)号：US08664101B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13596621

申请日：2012-08-28

申请人： Hyo-Jung Kim ,  Dae-Hong Eom ,  Jong-Heun Lim ,  Myung-Jung Pyo ,  Byoung-Moon Yoon ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Hyo-Jung Kim ,  Dae-Hong Eom ,  Jong-Heun Lim ,  Myung-Jung Pyo ,  Byoung-Moon Yoon ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/7926

摘要： A first insulating interlayer is formed on a substrate including first and second regions. The first insulating interlayer has top surface, a height of which is greater in the first region than in the second region. A first planarization stop layer and a second insulating interlayer are formed. The second insulating interlayer is planarized until the first planarization stop layer is exposed. The first planarization stop layer and the first and second insulating interlayers in the second region are removed to expose the substrate. A lower mold structure including first insulation layer patterns, first sacrificial layer patterns and a second planarization stop layer pattern is formed. The first insulation layer patterns and the first sacrificial layer patterns are alternately and repeatedly formed on the substrate, and a second planarization stop layer pattern is formed on the first insulation layer pattern.

摘要翻译： 在包括第一和第二区域的基板上形成第一绝缘中间层。 第一绝缘中间层具有顶表面，其高度在第一区域中大于在第二区域中的高度。 形成第一平坦化停止层和第二绝缘夹层。 平面化第二绝缘层，直到第一平坦化停止层露出。 去除第二区域中的第一平坦化停止层和第一和第二绝缘夹层以露出衬底。 形成包括第一绝缘层图案，第一牺牲层图案和第二平坦化停止层图案的下模具结构。 第一绝缘层图案和第一牺牲层图案在基板上交替重复地形成，并且在第一绝缘层图案上形成第二平坦化停止层图案。

公开(公告)号：US20090280641A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12437390

申请日：2009-05-07

申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Young-Hoo Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Jae-Dong Lee ,  Dae-Hong Eom ,  Jeong-Nam Han

发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Young-Hoo Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Jae-Dong Lee ,  Dae-Hong Eom ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L27/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： An insulation layer may be formed on an object having a contact region. The insulation layer may be partially etched to form an opening exposing the contact region. A material layer including silicon and oxygen may be formed on the exposed contact region. A metal layer may be formed on the material layer including silicon and oxygen. The material layer including silicon and oxygen may be reacted with the metal layer to form a metal oxide silicide layer at least on the contact region. A conductive layer may be formed on the metal oxide silicide layer to fill up the opening.

摘要翻译： 可以在具有接触区域的物体上形成绝缘层。 绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区域的开口。 可以在暴露的接触区域上形成包括硅和氧的材料层。 可以在包括硅和氧的材料层上形成金属层。 包括硅和氧的材料层可以与金属层反应，以至少在接触区域上形成金属氧化物硅化物层。 可以在金属氧化物硅化物层上形成导电层以填充开口。

公开(公告)号：US20090025755A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12219562

申请日：2008-07-24

申请人： Dae-Hong Eom ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim ,  Young-Ok Kim

发明人： Dae-Hong Eom ,  Chang-Ki Hong ,  Woo-Gwan Shim ,  Young-Ok Kim

IPC分类号： B08B3/10

CPC分类号： B08B3/04 ,  B08B3/10 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

摘要： Example embodiments relate to a method of treating a substrate after performing a cleaning step with a liquid chemical in a single substrate spin cleaner. A method of treating a substrate according to example embodiments may include forming a film of deionized water on a surface of the substrate during rinsing, and drying the substrate by supplying a drying gas to the water film on the surface of the substrate. When rinsing the substrate, the rotating speed of the substrate may be reduced to about 50 rpm or less to form a film of water on the surface of the substrate. The film of water may shield the surface of the substrate from direct exposure to atmospheric air. The film of water may be maintained on the surface of the substrate when commencing the supply of the drying gas. Consequently, the number of water marks on the dried substrate may be reduced or prevented.

摘要翻译： 示例性实施方案涉及在单个底物旋转清洁剂中用液体化学品进行清洁步骤之后处理基材的方法。 根据示例性实施方案的处理基材的方法可以包括在漂洗期间在基材的表面上形成去离子水膜，并通过向基材表面上的水膜供应干燥气体来干燥基材。 当冲洗基板时，基板的旋转速度可以降低到约50rpm或更小，以在基板的表面上形成水膜。 水膜可以屏蔽衬底表面直接暴露于大气中。 当开始供应干燥气体时，水膜可以保持在基板的表面上。 因此，可以减少或防止干燥的基板上的水痕的数量。

公开(公告)号：US08110499B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12437390

申请日：2009-05-07

申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Young-Hoo Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Jae-Dong Lee ,  Dae-Hong Eom ,  Jeong-Nam Han

发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Young-Hoo Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Jae-Dong Lee ,  Dae-Hong Eom ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L27/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： An insulation layer may be formed on an object having a contact region. The insulation layer may be partially etched to form an opening exposing the contact region. A material layer including silicon and oxygen may be formed on the exposed contact region. A metal layer may be formed on the material layer including silicon and oxygen. The material layer including silicon and oxygen may be reacted with the metal layer to form a metal oxide silicide layer at least on the contact region. A conductive layer may be formed on the metal oxide silicide layer to fill up the opening.

摘要翻译： 可以在具有接触区域的物体上形成绝缘层。 绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区域的开口。 可以在暴露的接触区域上形成包括硅和氧的材料层。 可以在包括硅和氧的材料层上形成金属层。 包括硅和氧的材料层可以与金属层反应，以至少在接触区域上形成金属氧化物硅化物层。 可以在金属氧化物硅化物层上形成导电层以填充开口。

公开(公告)号：US20110287625A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US13079202

申请日：2011-04-04

申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hong Eom ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han

发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hong Eom ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/40114

摘要： A method of forming a pattern in a semiconductor device includes forming an etching object layer on a substrate, the etching object layer is an oxide that is substantially free of impurities. A mask is formed on the etching object layer, the mask is an oxide that includes impurities. The etching object layer is patterned using the mask as an etching mask and then the mask is removed. The mask is removed using an etchant having an etching selectivity to an oxide that is substantially free of impurities and an oxide that includes impurities during removing of the mask to limit damage to the patterned etching object layer during removal of the mask.

摘要翻译： 在半导体器件中形成图案的方法包括在基板上形成蚀刻对象层，蚀刻对象层是基本上不含杂质的氧化物。 在蚀刻对象层上形成掩模，掩模是包含杂质的氧化物。 使用掩模将蚀刻对象层图案化为蚀刻掩模，然后去除掩模。 使用具有对基本上不含杂质的氧化物的蚀刻选择性的蚀刻剂去除掩模，以及在除去掩模期间包括杂质的氧化物，以限制在去除掩模期间对图案化的蚀刻对象层的损伤。