公开(公告)号：US20140239292A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：US14127690

申请日：2011-11-22

申请人： Hyun Jae Kim ,  Hyun Soo Shin ,  You Seung Rim

发明人： Hyun Jae Kim ,  Hyun Soo Shin ,  You Seung Rim

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： Provided are a method of forming an oxide thin film and an electrical device and thin film transistor using the method. The method includes forming an oxide thin film on a substrate by applying a precursor solution; and performing a thermal treatment process on the substrate under a pressurized atmosphere using a gas at about 100° C. to about 400° C.

摘要翻译： 提供了使用该方法形成氧化物薄膜的方法和电子器件和薄膜晶体管。 该方法包括通过施加前体溶液在衬底上形成氧化物薄膜; 并且在加压气氛下使用约100℃至约400℃的气体在基板上进行热处理过程。

公开(公告)号：US09362116B2

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：US14127690

申请日：2011-11-22

申请人： Hyun Jae Kim ,  Hyun Soo Shin ,  You Seung Rim

发明人： Hyun Jae Kim ,  Hyun Soo Shin ,  You Seung Rim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/58 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： Provided are a method of forming an oxide thin film and an electrical device and thin film transistor using the method. The method includes forming an oxide thin film on a substrate by applying a precursor solution; and performing a thermal treatment process on the substrate under a pressurized atmosphere using a gas at about 100° C. to about 400° C.

摘要翻译： 提供了使用该方法形成氧化物薄膜的方法和电子器件和薄膜晶体管。 该方法包括通过施加前体溶液在衬底上形成氧化物薄膜; 并且在加压气氛下使用约100℃至约400℃的气体在基板上进行热处理过程。

公开(公告)号：US08765028B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13114353

申请日：2011-05-24

申请人： Hyun Jae Kim ,  You Seung Rim ,  Dong Lim Kim

发明人： Hyun Jae Kim ,  You Seung Rim ,  Dong Lim Kim

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/66969

摘要： Provided are a composition for an oxide semiconductor, a method of preparing the composition, methods of forming an oxide semiconductor thin film and an electronic device using the composition. The composition for an oxide semiconductor includes a tin compound, a zinc compound, and a low electronegativity metal compound containing a metal with an electronegativity lower than zinc.

摘要翻译： 提供一种氧化物半导体的组合物，该组合物的制备方法，形成氧化物半导体薄膜的方法和使用该组合物的电子器件。 用于氧化物半导体的组合物包括锡化合物，锌化合物和含有电负性低于锌的金属的低电负性金属化合物。

公开(公告)号：US08859331B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13523978

申请日：2012-06-15

申请人： Hyun Jae Kim ,  Dong Lim Kim ,  Joohye Jung ,  You Seung Rim

发明人： Hyun Jae Kim ,  Dong Lim Kim ,  Joohye Jung ,  You Seung Rim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/08 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628

摘要： Methods of forming an oxide material layer are provided. The method includes mixing a precursor material with a peroxide material to form a precursor solution, coating the precursor solution on a substrate, and baking the coated precursor solution.

摘要翻译： 提供形成氧化物层的方法。 该方法包括将前体材料与过氧化物材料混合以形成前体溶液，将前体溶液涂覆在基材上，并烘烤涂覆的前体溶液。

公开(公告)号：US20120313096A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13343013

申请日：2012-01-04

申请人： Hyun Jae KIM ,  You Seung Rim ,  Hyun Soo Lim ,  Dong Lim Kim

发明人： Hyun Jae KIM ,  You Seung Rim ,  Hyun Soo Lim ,  Dong Lim Kim

IPC分类号： H01L29/786 ,  G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L21/02628 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/0043 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

摘要： Provided are an oxide semiconductor composition, a preparation method thereof, an oxide semiconductor thin film using the composition, and a method of forming an electronic device. The oxide semiconductor composition includes a photosensitive material and an oxide semiconductor precursor.

摘要翻译： 提供一种氧化物半导体组合物，其制备方法，使用该组合物的氧化物半导体薄膜以及形成电子器件的方法。 氧化物半导体组合物包括感光材料和氧化物半导体前体。