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    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US20100289084A1

    公开(公告)日：2010-11-18

    申请号：US12777683

    申请日：2010-05-11

    申请人： Hong Sik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyun Jun Sim ,  Minyoung Park

    发明人： Hong Sik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyun Jun Sim ,  Minyoung Park

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/249

    摘要： Provided is a semiconductor memory device. The semiconductor memory device may include a local bitline extending in a direction substantially vertical to an upper surface of a semiconductor substrate and a local wordline intersecting the local bitline. The local bitline is electrically connected to a bitline channel pillar penetrating a gate of a bitline transistor, and the local wordline is electrically connected to a wordline channel pillar penetrating a gate of a wordline transistor.

    摘要翻译： 提供了一种半导体存储器件。 半导体存储器件可以包括在基本上垂直于半导体衬底的上表面的方向上延伸的局部位线和与局部位线相交的局部字线。 局部位线电连接到贯穿位线晶体管的栅极的位线通道柱，并且本地字线电连接到贯穿字线晶体管的栅极的字线通道柱。

    Semiconductor memory device
    5.
    发明授权
    Semiconductor memory device 有权
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US08264018B2

    公开(公告)日：2012-09-11

    申请号：US12777683

    申请日：2010-05-11

    申请人： Hong Sik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyun Jun Sim ,  Minyoung Park

    发明人： Hong Sik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyun Jun Sim ,  Minyoung Park

    IPC分类号： H01L29/80

    CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/249

    摘要： Provided is a semiconductor memory device. The semiconductor memory device may include a local bitline extending in a direction substantially vertical to an upper surface of a semiconductor substrate and a local wordline intersecting the local bitline. The local bitline is electrically connected to a bitline channel pillar penetrating a gate of a bitline transistor, and the local wordline is electrically connected to a wordline channel pillar penetrating a gate of a wordline transistor.

    摘要翻译： 提供了一种半导体存储器件。 半导体存储器件可以包括在基本上垂直于半导体衬底的上表面的方向上延伸的局部位线和与局部位线相交的局部字线。 局部位线电连接到贯穿位线晶体管的栅极的位线通道柱，并且本地字线电连接到贯穿字线晶体管的栅极的字线通道柱。

    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    6.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US20120306004A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：US13585119

    申请日：2012-08-14

    申请人： Hong Sik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyun Jun Sim ,  Minyoung Park

    发明人： Hong Sik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyun Jun Sim ,  Minyoung Park

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/249

    摘要： Provided is a semiconductor memory device. The semiconductor memory device may include a local bitline extending in a direction substantially vertical to an upper surface of a semiconductor substrate and a local wordline intersecting the local bitline. The local bitline is electrically connected to a bitline channel pillar penetrating a gate of a bitline transistor, and the local wordline is electrically connected to a wordline channel pillar penetrating a gate of a wordline transistor.

    摘要翻译： 提供了一种半导体存储器件。 半导体存储器件可以包括在基本上垂直于半导体衬底的上表面的方向上延伸的局部位线和与局部位线相交的局部字线。 局部位线电连接到贯穿位线晶体管的栅极的位线通道柱，并且本地字线电连接到贯穿字线晶体管的栅极的字线通道柱。

    NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    7.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE 有权
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20100271862A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：US12765411

    申请日：2010-04-22

    申请人： HongSik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyunjun Sim ,  Minyoung Park

    发明人： HongSik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyunjun Sim ,  Minyoung Park

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/00

    CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C8/12 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77

    摘要： A nonvolatile memory device includes resistive memory devices in a three-dimensional structure. A block select circuit generates a block select signal for selecting a memory block. In response to the block select signal, local word line selection units connected to each memory block connect global word lines connected to a word line decoder and local word lines, and local bit line selection units connected to each memory block connect global bit lines connected to a sense amplifier and local bit lines. Each memory block includes local word lines which extend in a first direction and are stacked in a second direction perpendicular to the first direction on a second plane perpendicular to a first plane. Local bit lines extend in the second direction to cross local word lines. Memory cells are formed at cross-points where local word lines and local bit lines cross one another.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括三维结构中的电阻式存储器件。 块选择电路产生用于选择存储块的块选择信号。 响应于块选择信号，连接到每个存储器块的局部字线选择单元连接连接到字线解码器和本地字线的全局字线，并且连接到每个存储器块的局部位线选择单元将连接到 一个读出放大器和本地位线。 每个存储块包括在垂直于第一平面的第二平面上沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向堆叠的局部字线。 局部位线在第二个方向上延伸以跨越局部字线。 存储单元在本地字线和局部位线交叉的交点处形成。

    Nonvolatile memory device
    9.
    发明授权
    Nonvolatile memory device 有权
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08331152B2

    公开(公告)日：2012-12-11

    申请号：US12765411

    申请日：2010-04-22

    申请人： HongSik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyunjun Sim ,  Minyoung Park

    发明人： HongSik Yoon ,  Jinshi Zhao ,  Ingyu Baek ,  Hyunjun Sim ,  Minyoung Park

    IPC分类号： G11C11/34

    CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C8/12 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77

    摘要： A nonvolatile memory device includes resistive memory devices in a three-dimensional structure. A block select circuit generates a block select signal for selecting a memory block. In response to the block select signal, local word line selection units connected to each memory block connect global word lines connected to a word line decoder and local word lines, and local bit line selection units connected to each memory block connect global bit lines connected to a sense amplifier and local bit lines. Each memory block includes local word lines which extend in a first direction and are stacked in a second direction perpendicular to the first direction on a second plane perpendicular to a first plane. Local bit lines extend in the second direction to cross local word lines. Memory cells are formed at cross-points where local word lines and local bit lines cross one another.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括三维结构中的电阻式存储器件。 块选择电路产生用于选择存储块的块选择信号。 响应于块选择信号，连接到每个存储器块的局部字线选择单元连接连接到字线解码器和本地字线的全局字线，并且连接到每个存储器块的局部位线选择单元将连接到 一个读出放大器和本地位线。 每个存储块包括在垂直于第一平面的第二平面上沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向堆叠的局部字线。 局部位线在第二个方向上延伸以跨越局部字线。 存储单元在本地字线和局部位线交叉的交点处形成。