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    Method of forming a wiring having carbon nanotube
    4.
    发明申请
    Method of forming a wiring having carbon nanotube 有权
    形成具有碳纳米管的布线的方法

    公开(公告)号：US20090271982A1

    公开(公告)日：2009-11-05

    申请号：US12387299

    申请日：2009-04-29

    申请人： Sun-Woo Lee ,  Seong-Ho Moon ,  Dong-Woo Kim ,  Jung-Hyeon Kim ,  Hong-Sik Yoon

    发明人： Sun-Woo Lee ,  Seong-Ho Moon ,  Dong-Woo Kim ,  Jung-Hyeon Kim ,  Hong-Sik Yoon

    IPC分类号： H05K3/10

    CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

    摘要： In a method of forming a wiring having a carbon nanotube, a lower wiring is formed on a substrate, and a catalyst layer is formed on the lower wiring. An insulating interlayer is formed on the substrate to cover the catalyst layer, and an opening is formed through the insulating interlayer to expose an upper face of the catalyst layer. A carbon nanotube wiring is formed in the opening, and an upper wiring is formed on the carbon nanotube wiring and the insulating interlayer to be electrically connected to the carbon nanotube wiring. A thermal stress is generated between the carbon nanotube wiring and the upper wiring to produce a dielectric breakdown of a native oxide layer formed on a surface of the carbon nanotube wiring. A wiring having a reduced electrical resistance between the carbon nanotube wiring and the upper wiring may be obtained.

    摘要翻译： 在形成具有碳纳米管的布线的方法中，在基板上形成下布线，并且在下布线上形成催化剂层。 在衬底上形成绝缘中间层以覆盖催化剂层，并且通过绝缘中间层形成开口以暴露催化剂层的上表面。 在开口部形成有碳纳米管布线，在碳纳米管布线和绝缘中间层上形成上部配线，与碳纳米管配线电连接。 在碳纳米管布线和上布线之间产生热应力，以产生形成在碳纳米管布线表面上的天然氧化物层的电介质击穿。 可以获得碳纳米管布线和上布线之间的电阻降低的布线。

    Test pattern selection method for OPC model calibration
    5.
    发明授权
    Test pattern selection method for OPC model calibration 有权
    OPC模型校准的测试模式选择方法

    公开(公告)号：US08677288B2

    公开(公告)日：2014-03-18

    申请号：US13594492

    申请日：2012-08-24

    申请人： Dmitry Vengertsev ,  Seong-Ho Moon ,  Artem Shamsuarov ,  Seung-Hune Yang ,  Moon-Gyu Jeong

    发明人： Dmitry Vengertsev ,  Seong-Ho Moon ,  Artem Shamsuarov ,  Seung-Hune Yang ,  Moon-Gyu Jeong

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F1/36

    摘要： A block management method for OPC model calibration includes calculating differences in several different optical functions between first patterns of a first mask and patterns of a second mask corresponding to the first patterns but differing therefrom by a predetermined bias, selecting one or more of the optical functions based on the calculated differences, clustering data of variations in the values of the calculated differences in the selected ones of the optical functions, selecting respective ones of the first patterns in consideration of how the data clusters, and designating the selected first patterns as test patterns.

    摘要翻译： 用于OPC模型校准的块管理方法包括：计算第一掩模的第一图案与对应于第一图案但与之不同的第二掩模的图案之间的若干不同光学功能的差异，并且通过预定偏置不同，选择光学功能中的一个或多个 基于所计算出的差异，对所选择的光学功能中计算出的差异的值的变化进行聚类数据，考虑数据簇的选择并选择所选择的第一图案作为测试图案 。

    METHOD OF FORMING A MASK PATTERN, METHOD OF FORMING A MINUTE PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
    6.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A MASK PATTERN, METHOD OF FORMING A MINUTE PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME 有权
    形成掩模图案的方法，形成分钟图案的方法和使用其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20110053362A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：US12873574

    申请日：2010-09-01

    申请人： Hyoung-Hee KIM ,  Yool Kang ,  Seong-Ho Moon ,  Seok-Hwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seong-Woon Choi

    发明人： Hyoung-Hee KIM ,  Yool Kang ,  Seong-Ho Moon ,  Seok-Hwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seong-Woon Choi

    IPC分类号： H01L21/28 ,  G03F7/20

    CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

    摘要： A method of forming a mask pattern, a method of forming a minute pattern, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same, the method of forming the mask pattern including forming first mask patterns on a substrate; forming first preliminary capping layers on the first mask patterns; irradiating energy to the first preliminary capping patterns to form second preliminary capping layers ionically bonded with the first mask patterns; applying an acid to the second preliminary capping layers to form capping layers; forming a second mask layer between the capping layers, the second mask layer having a solubility lower than that of the capping layers; and removing the capping layers to form second mask patterns.

    摘要翻译： 形成掩模图案的方法，形成微小图案的方法以及使用其形成半导体器件的方法，所述掩模图案的形成方法包括在基板上形成第一掩模图案; 在第一掩模图案上形成第一初步封盖层; 向第一初步封盖图案照射能量以形成与第一掩模图案离子键合的第二初步封盖层; 向第二初步封盖层施加酸以形成封盖层; 在所述封盖层之间形成第二掩模层，所述第二掩模层的溶解度低于所述封盖层的溶解度; 并去除覆盖层以形成第二掩模图案。

    Method of forming a mask pattern, method of forming a minute pattern, and method of manufacturing a semiconductor device using the same
    8.
    发明授权
    Method of forming a mask pattern, method of forming a minute pattern, and method of manufacturing a semiconductor device using the same 有权
    形成掩模图案的方法，形成微小图案的方法以及使用其形成半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08227349B2

    公开(公告)日：2012-07-24

    申请号：US12873574

    申请日：2010-09-01

    申请人： Hyoung-Hee Kim ,  Yool Kang ,  Seong-Ho Moon ,  Seok-Hwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seong-Woon Choi

    发明人： Hyoung-Hee Kim ,  Yool Kang ,  Seong-Ho Moon ,  Seok-Hwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seong-Woon Choi

    IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302 ,  H01L21/469 ,  H01L21/3205

    CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

    摘要： A method of forming a mask pattern, a method of forming a minute pattern, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same, the method of forming the mask pattern including forming first mask patterns on a substrate; forming first preliminary capping layers on the first mask patterns; irradiating energy to the first preliminary capping patterns to form second preliminary capping layers ionically bonded with the first mask patterns; applying an acid to the second preliminary capping layers to form capping layers; forming a second mask layer between the capping layers, the second mask layer having a solubility lower than that of the capping layers; and removing the capping layers to form second mask patterns.

    摘要翻译： 形成掩模图案的方法，形成微小图案的方法以及使用其形成半导体器件的方法，所述掩模图案的形成方法包括在基板上形成第一掩模图案; 在第一掩模图案上形成第一初步封盖层; 向第一初步封盖图案照射能量以形成与第一掩模图案离子键合的第二初步封盖层; 向第二初步封盖层施加酸以形成封盖层; 在所述封盖层之间形成第二掩模层，所述第二掩模层的溶解度低于所述封盖层的溶解度; 并去除覆盖层以形成第二掩模图案。

    Method of forming a wiring having carbon nanotube
    10.
    发明授权
    Method of forming a wiring having carbon nanotube 有权
    形成具有碳纳米管的布线的方法

    公开(公告)号：US07877865B2

    公开(公告)日：2011-02-01

    申请号：US12387299

    申请日：2009-04-29

    申请人： Sun-Woo Lee ,  Seong-Ho Moon ,  Dong-Woo Kim ,  Jung-Hyeon Kim ,  Hong-Sik Yoon

    发明人： Sun-Woo Lee ,  Seong-Ho Moon ,  Dong-Woo Kim ,  Jung-Hyeon Kim ,  Hong-Sik Yoon

    IPC分类号： H01R43/00 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

    摘要： In a method of forming a wiring having a carbon nanotube, a lower wiring is formed on a substrate, and a catalyst layer is formed on the lower wiring. An insulating interlayer is formed on the substrate to cover the catalyst layer, and an opening is formed through the insulating interlayer to expose an upper face of the catalyst layer. A carbon nanotube wiring is formed in the opening, and an upper wiring is formed on the carbon nanotube wiring and the insulating interlayer to be electrically connected to the carbon nanotube wiring. A thermal stress is generated between the carbon nanotube wiring and the upper wiring to produce a dielectric breakdown of a native oxide layer formed on a surface of the carbon nanotube wiring. A wiring having a reduced electrical resistance between the carbon nanotube wiring and the upper wiring may be obtained.

    摘要翻译： 在形成具有碳纳米管的布线的方法中，在基板上形成下布线，并且在下布线上形成催化剂层。 在衬底上形成绝缘中间层以覆盖催化剂层，并且通过绝缘中间层形成开口以暴露催化剂层的上表面。 在开口部形成有碳纳米管布线，在碳纳米管布线和绝缘中间层上形成上部配线，与碳纳米管配线电连接。 在碳纳米管布线和上布线之间产生热应力，以产生形成在碳纳米管布线表面上的天然氧化物层的电介质击穿。 可以获得碳纳米管布线和上布线之间的电阻降低的布线。