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    METHOD OF FORMING A TITANIUM ALUMINUM NITRIDE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME
    2.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A TITANIUM ALUMINUM NITRIDE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME 审中-公开
    形成钛酸铝层的方法和使用其制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20080194106A1

    公开(公告)日：2008-08-14

    申请号：US12030662

    申请日：2008-02-13

    申请人： Gyu-Hwan OH ,  In-Sun PARK ,  Hyun-Seok LIM ,  Nak-Hyun LIM

    发明人： Gyu-Hwan OH ,  In-Sun PARK ,  Hyun-Seok LIM ,  Nak-Hyun LIM

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

    摘要： In a method of forming a titanium aluminum nitride layer, a first reactant is formed on a substrate by reacting a first source including titanium and a second source including nitrogen. A second reactant is formed by providing a third source including aluminum onto the substrate having the first reactant thereon and reacting the third source with the first reactant. A third reactant is formed by providing a fourth source including nitrogen onto the substrate having the second reactant thereon and reacting the fourth source with the second reactant. The titanium aluminum nitride layer having a good step coverage is formed on the substrate. Processes of forming the titanium aluminum nitride layer are simplified and deposition rate is improved. Therefore, a phase-change memory device using the titanium aluminum nitride layer as a lower electrode may have an improved throughput.

    摘要翻译： 在形成氮化铝钛层的方法中，通过使包括钛的第一源和包括氮的第二源反应，在基板上形成第一反应物。 通过在其上具有第一反应物的基底上提供包括铝的第三源，并使第三源与第一反应物反应形成第二反应物。 通过在其上具有第二反应物的衬底上提供包括氮的第四源，并使第四源与第二反应物反应形成第三反应物。 在基板上形成具有良好阶梯覆盖的氮化铝钛层。 形成氮化铝钛层的工艺简化，沉积速率提高。 因此，使用氮化铝钛层作为下电极的相变存储器件可以具有提高的生产量。

    METHOD OF FORMING A BARRIER METAL LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
    3.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A BARRIER METAL LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    形成半导体器件的栅极金属层的方法

    公开(公告)号：US20080003815A1

    公开(公告)日：2008-01-03

    申请号：US11770619

    申请日：2007-06-28

    申请人： Hyun-Suk LEE ,  Hyun-Seok LIM ,  Rak-Hwan KIM ,  In-Sun PARK

    发明人： Hyun-Suk LEE ,  Hyun-Seok LIM ,  Rak-Hwan KIM ,  In-Sun PARK

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/7687 ,  H01L21/28556 ,  H01L27/24

    摘要： Provided is a method of forming a barrier metal layer of a semiconductor device. In the method, a barrier metal layer is formed on a top surface of a semiconductor substrate and then an electrode layer is formed on the semiconductor substrate. Forming the barrier metal layer includes performing a cyclic process repeatedly at least twice. The cyclic process includes depositing a titanium layer and nitriding the deposited titanium layer.

    摘要翻译： 提供一种形成半导体器件的阻挡金属层的方法。 在该方法中，在半导体衬底的顶表面上形成阻挡金属层，然后在半导体衬底上形成电极层。 形成阻挡金属层包括重复执行循环过程至少两次。 循环过程包括沉积钛层并氮化沉积的钛层。

    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
    半导体存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20070272950A1

    公开(公告)日：2007-11-29

    申请号：US11753291

    申请日：2007-05-24

    申请人： Rak-Hwan KIM ,  Kyung-Chang RYOO ,  In-Sun PARK ,  Yoon-Jong SONG ,  Hyeon-Deok LEE ,  Hyun-Seok LIM

    发明人： Rak-Hwan KIM ,  Kyung-Chang RYOO ,  In-Sun PARK ,  Yoon-Jong SONG ,  Hyeon-Deok LEE ,  Hyun-Seok LIM

    IPC分类号： H01L27/10

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

    摘要： A method of fabricating a semiconductor memory device includes forming a first insulating layer and a sacrificial layer on a substrate. The first insulating layer and the sacrificial layer have an opening therein. A first conductive layer is formed in the opening and on the sacrificial layer. A second insulating layer is formed on the first conductive layer. The second insulating layer, the first conductive layer and the sacrificial layer are then planarized until the first insulating layer is exposed, thereby forming a first conductive pattern and a second insulating layer pattern in the opening. A phase change material layer is formed on the first conductive pattern, the first insulating layer and the second insulating layer pattern. A second conductive pattern is formed on the phase change material layer. A semiconductor memory device and a data processing system adopting the semiconductor memory device are also provided.

    摘要翻译： 制造半导体存储器件的方法包括在衬底上形成第一绝缘层和牺牲层。 第一绝缘层和牺牲层在其中具有开口。 在开口和牺牲层上形成第一导电层。 在第一导电层上形成第二绝缘层。 然后将第二绝缘层，第一导电层和牺牲层平坦化直到第一绝缘层露出，从而在开口中形成第一导电图案和第二绝缘层图案。 在第一导电图案，第一绝缘层和第二绝缘层图案上形成相变材料层。 在相变材料层上形成第二导电图案。 还提供了半导体存储器件和采用半导体存储器件的数据处理系统。

    CAPACITOR FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
    5.
    发明申请
    CAPACITOR FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME 有权
    用于半导体器件的电容器及其形成方法

    公开(公告)号：US20090039404A1

    公开(公告)日：2009-02-12

    申请号：US12251352

    申请日：2008-10-14

    申请人： Young-Joo CHO ,  Hyun-Seok LIM ,  Rak-Hwan KIM ,  Jung-Wook KIM ,  Hyun-Suk LEE

    发明人： Young-Joo CHO ,  Hyun-Seok LIM ,  Rak-Hwan KIM ,  Jung-Wook KIM ,  Hyun-Suk LEE

    IPC分类号： H01L29/94

    CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

    摘要： In a capacitor having a high dielectric constant, the capacitor includes a cylindrical lower electrode, a dielectric layer and an upper electrode. A metal oxide layer is formed on inner, top and outer surfaces of the lower electrode as the dielectric layer. A first sub-electrode is formed on a surface of the dielectric layer along the profile of the lower electrode and a second sub-electrode is continuously formed on the first sub-electrode corresponding to the top surface of the lower electrode, so an opening portion of the lower electrode is covered with the second sub-electrode. The first and second sub-electrodes include first and second metal nitride layers in which first and second stresses are applied, respectively. Directions of the first and second stresses are opposite to each other. Accordingly, cracking is minimized in the upper electrode with the high dielectric constant, thereby reducing current leakage.

    摘要翻译： 在具有高介电常数的电容器中，电容器包括圆柱形下电极，电介质层和上电极。 在作为电介质层的下电极的内表面，顶面和外表面上形成金属氧化物层。 第一子电极沿着下电极的轮廓在电介质层的表面上形成，并且第二子电极连续形成在与下电极的顶表面对应的第一子电极上，因此开口部分 的下部电极被第二子电极覆盖。 第一和第二子电极分别包括施加第一和第二应力的第一和第二金属氮化物层。 第一和第二个应力的方向彼此相反。 因此，在具有高介电常数的上电极中破裂最小化，从而减少电流泄漏。

    PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE
    7.
    发明申请
    PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE 审中-公开
    相变存储器件

    公开(公告)号：US20110073832A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：US12892419

    申请日：2010-09-28

    申请人： Hyun-Seok LIM ,  Shin-Jae Kang ,  Tai-Soo Lim ,  Jong-Cheol Lee ,  Jae-Hyoung Choi

    发明人： Hyun-Seok LIM ,  Shin-Jae Kang ,  Tai-Soo Lim ,  Jong-Cheol Lee ,  Jae-Hyoung Choi

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/148 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： A phase-change memory device, including a lower electrode, a phase-change material pattern electrically connected to the lower electrode, and an upper electrode electrically connected to the phase-change material pattern. The lower electrode may include a first structure including a metal semiconductor compound, a second structure on the first structure, the second structure including a metal nitride material, and including a lower part having a greater width than an upper part, and a third structure including a metal nitride material containing an element X, the third structure being on the second structure, the element X including at least one selected from the group of silicon, boron, aluminum, oxygen, and carbon.

    摘要翻译： 相变存储器件，包括下电极，电连接到下电极的相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的上电极。 下电极可以包括第一结构，其包括金属半导体化合物，第一结构上的第二结构，第二结构包括金属氮化物材料，并且包括具有比上部宽度更大的下部的第一结构，以及包括 包含元素X的金属氮化物材料，第三结构在第二结构上，元素X包括选自硅，硼，铝，氧和碳中的至少一种。