公开(公告)号：US20080194106A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12030662

申请日：2008-02-13

申请人： Gyu-Hwan OH ,  In-Sun PARK ,  Hyun-Seok LIM ,  Nak-Hyun LIM

发明人： Gyu-Hwan OH ,  In-Sun PARK ,  Hyun-Seok LIM ,  Nak-Hyun LIM

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： In a method of forming a titanium aluminum nitride layer, a first reactant is formed on a substrate by reacting a first source including titanium and a second source including nitrogen. A second reactant is formed by providing a third source including aluminum onto the substrate having the first reactant thereon and reacting the third source with the first reactant. A third reactant is formed by providing a fourth source including nitrogen onto the substrate having the second reactant thereon and reacting the fourth source with the second reactant. The titanium aluminum nitride layer having a good step coverage is formed on the substrate. Processes of forming the titanium aluminum nitride layer are simplified and deposition rate is improved. Therefore, a phase-change memory device using the titanium aluminum nitride layer as a lower electrode may have an improved throughput.

摘要翻译： 在形成氮化铝钛层的方法中，通过使包括钛的第一源和包括氮的第二源反应，在基板上形成第一反应物。 通过在其上具有第一反应物的基底上提供包括铝的第三源，并使第三源与第一反应物反应形成第二反应物。 通过在其上具有第二反应物的衬底上提供包括氮的第四源，并使第四源与第二反应物反应形成第三反应物。 在基板上形成具有良好阶梯覆盖的氮化铝钛层。 形成氮化铝钛层的工艺简化，沉积速率提高。 因此，使用氮化铝钛层作为下电极的相变存储器件可以具有提高的生产量。

公开(公告)号：US20070289609A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11765356

申请日：2007-06-19

申请人： Hyun-Seok LIM ,  Gyu-Hwan OH ,  Rak-Hwan KIM ,  Keon-Hoe BAE ,  In-Sun PARK ,  Ki-Jong LEE

发明人： Hyun-Seok LIM ,  Gyu-Hwan OH ,  Rak-Hwan KIM ,  Keon-Hoe BAE ,  In-Sun PARK ,  Ki-Jong LEE

IPC分类号： B08B9/00 ,  B08B3/00

CPC分类号： B08B7/00 ,  C23C16/4405

摘要： According to an embodiment of the present invention, a method for cleaning a process chamber includes removing a TiAlN layer from an inner wall of the process chamber using a first cleaning gas containing a TiCl4 gas. According to principles of this invention, dry cleaning, without wet cleaning, is possible for cleaning the process chamber.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，一种用于清洁处理室的方法包括使用含有TiCl 4气体的第一清洁气体从处理室的内壁去除TiAlN层。 根据本发明的原理，无需湿法清洁即可清洁处理室。

公开(公告)号：US20090053538A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12195315

申请日：2008-08-20

申请人： Young-Tae MA ,  In-Sun PARK ,  Dong-Jo KANG ,  Hyun-Seok LIM ,  Do-Hyung KIM

发明人： Young-Tae MA ,  In-Sun PARK ,  Dong-Jo KANG ,  Hyun-Seok LIM ,  Do-Hyung KIM

IPC分类号： B32B15/00

CPC分类号： H01L21/7685 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/53223 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnection structure having an oxygen trap pattern in a semiconductor device, and a method of fabricating the same are provided. The interconnection structure includes a lower interlayer insulating layer formed on a semiconductor substrate. A metal layer pattern and a capping layer pattern are sequentially stacked on the lower interlayer insulating layer. An oxygen trap pattern is disposed on the capping layer pattern and includes a conductive oxygen trap pattern.

摘要翻译： 提供了一种在半导体器件中具有氧阱图案的互连结构及其制造方法。 互连结构包括形成在半导体衬底上的下层间绝缘层。 金属层图案和覆盖层图案依次层叠在下层间绝缘层上。 氧气阱图案设置在覆盖层图案上并且包括导电氧阱图案。

公开(公告)号：US20080003815A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11770619

申请日：2007-06-28

申请人： Hyun-Suk LEE ,  Hyun-Seok LIM ,  Rak-Hwan KIM ,  In-Sun PARK

发明人： Hyun-Suk LEE ,  Hyun-Seok LIM ,  Rak-Hwan KIM ,  In-Sun PARK

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/7687 ,  H01L21/28556 ,  H01L27/24

摘要： Provided is a method of forming a barrier metal layer of a semiconductor device. In the method, a barrier metal layer is formed on a top surface of a semiconductor substrate and then an electrode layer is formed on the semiconductor substrate. Forming the barrier metal layer includes performing a cyclic process repeatedly at least twice. The cyclic process includes depositing a titanium layer and nitriding the deposited titanium layer.

摘要翻译： 提供一种形成半导体器件的阻挡金属层的方法。 在该方法中，在半导体衬底的顶表面上形成阻挡金属层，然后在半导体衬底上形成电极层。 形成阻挡金属层包括重复执行循环过程至少两次。 循环过程包括沉积钛层并氮化沉积的钛层。

公开(公告)号：US20070272950A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11753291

申请日：2007-05-24

申请人： Rak-Hwan KIM ,  Kyung-Chang RYOO ,  In-Sun PARK ,  Yoon-Jong SONG ,  Hyeon-Deok LEE ,  Hyun-Seok LIM

发明人： Rak-Hwan KIM ,  Kyung-Chang RYOO ,  In-Sun PARK ,  Yoon-Jong SONG ,  Hyeon-Deok LEE ,  Hyun-Seok LIM

IPC分类号： H01L27/10

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

摘要： A method of fabricating a semiconductor memory device includes forming a first insulating layer and a sacrificial layer on a substrate. The first insulating layer and the sacrificial layer have an opening therein. A first conductive layer is formed in the opening and on the sacrificial layer. A second insulating layer is formed on the first conductive layer. The second insulating layer, the first conductive layer and the sacrificial layer are then planarized until the first insulating layer is exposed, thereby forming a first conductive pattern and a second insulating layer pattern in the opening. A phase change material layer is formed on the first conductive pattern, the first insulating layer and the second insulating layer pattern. A second conductive pattern is formed on the phase change material layer. A semiconductor memory device and a data processing system adopting the semiconductor memory device are also provided.

摘要翻译： 制造半导体存储器件的方法包括在衬底上形成第一绝缘层和牺牲层。 第一绝缘层和牺牲层在其中具有开口。 在开口和牺牲层上形成第一导电层。 在第一导电层上形成第二绝缘层。 然后将第二绝缘层，第一导电层和牺牲层平坦化直到第一绝缘层露出，从而在开口中形成第一导电图案和第二绝缘层图案。 在第一导电图案，第一绝缘层和第二绝缘层图案上形成相变材料层。 在相变材料层上形成第二导电图案。 还提供了半导体存储器件和采用半导体存储器件的数据处理系统。

公开(公告)号：US20120007165A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13181281

申请日：2011-07-12

申请人： Myoung-Bum LEE ,  Jae-Hwang SIM ,  In-Sun PARK ,  Jin-Gi HONG ,  Ju-Seon GOO ,  Seung-Bae PARK ,  Seung-Yup LEE ,  Du-Heon SONG ,  Jeong-Dong CHOE ,  Seok-Won LEE

发明人： Myoung-Bum LEE ,  Jae-Hwang SIM ,  In-Sun PARK ,  Jin-Gi HONG ,  Ju-Seon GOO ,  Seung-Bae PARK ,  Seung-Yup LEE ,  Du-Heon SONG ,  Jeong-Dong CHOE ,  Seok-Won LEE

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L21/764 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a plurality of gate structures, a first insulating interlayer pattern, and a second insulation layer pattern. The substrate has an active region and a field region, each of the active region and the field region extends in a first direction, and the active region and the field region are alternately and repeatedly arranged in a second direction substantially perpendicular to the first direction. The gate structures are spaced apart from each other in the first direction, each of the gate structures extends in the second direction. The first insulation layer pattern is formed on a portion of a sidewall of each gate structure. The second insulation layer pattern covers the gate structures and the first insulation layer pattern, and has an air tunnel between the gate structures, the air tunnel extending in the second direction.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，多个栅极结构，第一绝缘层间图案和第二绝缘层图案。 基板具有有源区域和场区域，有源区域和场区域中的每一个沿着第一方向延伸，并且有源区域和场区域在基本上垂直于第一方向的第二方向上交替地和重复地布置。 栅极结构在第一方向上彼此间隔开，每个栅极结构沿第二方向延伸。 第一绝缘层图案形成在每个栅极结构的侧壁的一部分上。 第二绝缘层图案覆盖栅极结构和第一绝缘层图案，并且在栅极结构之间具有沿第二方向延伸的空气通道的空气通道。