公开(公告)号：US20090053426A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12201976

申请日：2008-08-29

申请人： JIANG LU ,  Hyoung-Chan Ha ,  Paul Ma ,  Seshadri Ganguli ,  Joseph F. Aubuchon ,  Sang Ho Yu ,  Murali K. Narasimhan

发明人： JIANG LU ,  Hyoung-Chan Ha ,  Paul Ma ,  Seshadri Ganguli ,  Joseph F. Aubuchon ,  Sang Ho Yu ,  Murali K. Narasimhan

IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01L21/76871 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873

摘要： Embodiments of the invention provide processes for depositing a cobalt layer on a barrier layer and subsequently depositing a conductive material, such as copper or a copper alloy, thereon. In one embodiment, a method for depositing materials on a substrate surface is provided which includes forming a barrier layer on a substrate, exposing the substrate to dicobalt hexacarbonyl butylacetylene (CCTBA) and hydrogen to form a cobalt layer on the barrier layer during a vapor deposition process (e.g., CVD or ALD), and depositing a conductive material over the cobalt layer. In some examples, the barrier layer and/or the cobalt layer may be exposed to a gas or a reagent during a treatment process, such as a thermal process, an in situ plasma process, or a remote plasma process.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供了在阻挡层上沉积钴层并随后在其上沉积诸如铜或铜合金的导电材料的方法。 在一个实施例中，提供了一种在衬底表面上沉积材料的方法，其包括在衬底上形成阻挡层，将衬底暴露于六羰基丁基乙炔二钴（CCTBA）和氢，以在气相沉积期间在阻挡层上形成钴层 工艺（例如，CVD或ALD），以及在钴层上沉积导电材料。 在一些实例中，阻挡层和/或钴层可以在诸如热处理，原位等离子体处理或远程等离子体处理的处理过程中暴露于气体或试剂。