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    Semiconductor devices and methods for fabricating the same
    1.
    发明授权
    Semiconductor devices and methods for fabricating the same 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08482077B2

    公开(公告)日：2013-07-09

    申请号：US13102860

    申请日：2011-05-06

    申请人： Jongho Lee ,  Chang-Bong Oh ,  Ho Lee ,  Myungsun Kim

    发明人： Jongho Lee ,  Chang-Bong Oh ,  Ho Lee ,  Myungsun Kim

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

    摘要： A semiconductor device includes a substrate including a first region and a second region each having an n-type region and a p-type region, wherein the n-type region in the first region includes a silicon channel, the p-type region in the first region includes a silicon germanium channel, and the n-type region and the p-type region in the second region respectively include a silicon channel. A first gate insulating pattern formed of a thermal oxide layer is disposed on the substrate of the n-type and p-type regions in the second region.

    摘要翻译： 半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域，每个区域具有n型区域和p型区域，其中第一区域中的n型区域包括硅沟道， 第一区域包括硅锗沟道，并且第二区域中的n型区域和p型区域分别包括硅沟道。 在第二区域中的n型和p型区域的基板上设置由热氧化物层形成的第一栅极绝缘图案。

    SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20110272736A1

    公开(公告)日：2011-11-10

    申请号：US13102860

    申请日：2011-05-06

    申请人： JONGHO LEE ,  Chang-Bong Oh ,  Ho Lee ,  Myungsun Kim

    发明人： JONGHO LEE ,  Chang-Bong Oh ,  Ho Lee ,  Myungsun Kim

    IPC分类号： H01L29/165

    CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

    摘要： A semiconductor device includes a substrate including a first region and a second region each having an n-type region and a p-type region, wherein the n-type region in the first region includes a silicon channel, the p-type region in the first region includes a silicon germanium channel, and the n-type region and the p-type region in the second region respectively include a silicon channel. A first gate insulating pattern formed of a thermal oxide layer is disposed on the substrate of the n-type and p-type regions in the second region.

    摘要翻译： 半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域，每个区域具有n型区域和p型区域，其中第一区域中的n型区域包括硅沟道， 第一区域包括硅锗沟道，并且第二区域中的n型区域和p型区域分别包括硅沟道。 在第二区域中的n型和p型区域的基板上设置由热氧化物层形成的第一栅极绝缘图案。

    METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES
    5.
    发明申请
    METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20120244674A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：US13427411

    申请日：2012-03-22

    申请人： Dong Hyuk Kim ,  Dongsuk Shin ,  Myungsun Kim ,  Hoi Sung Chung

    发明人： Dong Hyuk Kim ,  Dongsuk Shin ,  Myungsun Kim ,  Hoi Sung Chung

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

    摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes providing a semiconductor substrate including a channel region, forming a gate electrode structure on the channel region of the semiconductor substrate, forming a first trench in the semiconductor substrate, and forming a second trench in the semiconductor device. The first trench may include a first tip that protrudes toward the channel. The second trench may be an enlargement of the first trench and may include a second tip that also protrudes toward the channel region. In some examples, the second tip may protrude further towards the channel region than the first tip.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供包括沟道区的半导体衬底，在半导体衬底的沟道区上形成栅电极结构，在半导体衬底中形成第一沟槽，以及在半导体器件中形成第二沟槽。 第一沟槽可以包括朝向通道突出的第一尖端。 第二沟槽可以是第一沟槽的放大，并且可以包括也朝向沟道区域突出的第二尖端。 在一些示例中，第二尖端可以比第一尖端更远地朝向通道区域突出。

    Semiconductor devices including MOS transistors having an optimized channel region and methods of fabricating the same
    7.
    发明授权
    Semiconductor devices including MOS transistors having an optimized channel region and methods of fabricating the same 有权
    包括具有优化沟道区的MOS晶体管的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08575705B2

    公开(公告)日：2013-11-05

    申请号：US12964173

    申请日：2010-12-09

    申请人： Hajin Lim ,  Myungsun Kim ,  Hoi Sung Chung ,  Jinho Do ,  Weonhong Kim ,  Moonkyun Song ,  Dae-Kwon Joo

    发明人： Hajin Lim ,  Myungsun Kim ,  Hoi Sung Chung ,  Jinho Do ,  Weonhong Kim ,  Moonkyun Song ,  Dae-Kwon Joo

    IPC分类号： H01L21/70

    CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

    摘要： A semiconductor device, including a device isolation layer arranged on a predetermined region of a semiconductor substrate to define an active region, the active region including a central top surface of a (100) crystal plane and an inclined edge surface extending from the central top surface to the device isolation layer, a semiconductor pattern covering the central top surface and the inclined edge surface of the active region, the semiconductor pattern including a flat top surface of a (100) crystal plane that is parallel with the central top surface of the active region and a sidewall that is substantially perpendicular to the flat top surface, and a gate pattern overlapping the semiconductor pattern.

    摘要翻译： 一种半导体器件，包括布置在半导体衬底的预定区域上以限定有源区的器件隔离层，所述有源区包括（100）晶面的中心顶表面和从中心顶表面延伸的倾斜边缘表面 到所述器件隔离层，覆盖所述有源区的中心顶表面和倾斜边缘表面的半导体图案，所述半导体图案包括与所述有源区的中心顶表面平行的（100）晶面的平坦顶表面 区域和基本上垂直于平坦顶表面的侧壁以及与半导体图案重叠的栅极图案。