公开(公告)号：US20090181528A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12345832

申请日：2008-12-30

申请人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

发明人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/28035 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/4925

摘要： The present invention discloses to a method of forming a gate electrode, the method according to the present invention comprises the steps of forming a lower amorphous silicon layer using silane (SiH4) gas and nitrous oxide (N2O) gas; forming an upper amorphous silicon layer on the lower amorphous silicon layer; and crystallizing the lower and upper amorphous silicon layers through a thermal process.

摘要翻译： 本发明公开了一种形成栅电极的方法，根据本发明的方法包括以下步骤：使用硅烷（SiH4）气和一氧化二氮（N2O）气形成下一非晶硅层; 在所述下部非晶硅层上形成上部非晶硅层; 并通过热过程使下部和上部非晶硅层结晶。

公开(公告)号：US07592222B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US12147178

申请日：2008-06-26

申请人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

发明人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/11521

摘要： The present invention relates to a method of fabricating a flash memory device. According to a method of fabricating a flash memory device in accordance with an aspect of the present invention, a semiconductor substrate over which a tunnel insulating layer and a first conductive layer are formed is provided. A first oxide layer is formed on the first conductive layer using a plasma oxidization process in a state where a back bias voltage is applied. A nitride layer is formed on the first oxide layer. A second oxide layer is formed on the nitride layer. A second conductive layer is formed on the second oxide layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造闪速存储器件的方法。 根据本发明的一个方面的制造闪速存储器件的方法，提供了形成隧道绝缘层和第一导电层的半导体衬底。 在施加反向偏置电压的状态下，使用等离子体氧化工艺在第一导电层上形成第一氧化物层。 在第一氧化物层上形成氮化物层。 在氮化物层上形成第二氧化物层。 在第二氧化物层上形成第二导电层。

公开(公告)号：US07795123B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US12345832

申请日：2008-12-30

申请人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

发明人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28035 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/4925

摘要： The present invention discloses to a method of forming a gate electrode, the method according to the present invention comprises the steps of forming a lower amorphous silicon layer using silane (SiH4) gas and nitrous oxide (N2O) gas; forming an upper amorphous silicon layer on the lower amorphous silicon layer; and crystallizing the lower and upper amorphous silicon layers through a thermal process.

摘要翻译： 本发明公开了一种形成栅电极的方法，根据本发明的方法包括以下步骤：使用硅烷（SiH4）气和一氧化二氮（N2O）气形成下一非晶硅层; 在所述下部非晶硅层上形成上部非晶硅层; 并通过热过程使下部和上部非晶硅层结晶。

公开(公告)号：US07648923B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US11963907

申请日：2007-12-24

申请人： Eun-Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

发明人： Eun-Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L27/11517

摘要： A method of fabricating a flash memory device is disclosed. The method comprises forming a first insulating layer on a semiconductor substrate; accumulating nitrogen at an interface between the semiconductor substrate and the first insulating layer to form a second insulating layer at the interface; and implanting oxygen into the second insulating layer to convert the second insulating layer to a third insulating layer.

摘要翻译： 公开了一种制造闪速存储器件的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成第一绝缘层; 在所述半导体衬底和所述第一绝缘层之间的界面处积累氮以在所述界面处形成第二绝缘层; 以及将氧注入到所述第二绝缘层中，以将所述第二绝缘层转换成第三绝缘层。

公开(公告)号：US20090098738A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US11963907

申请日：2007-12-24

申请人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

发明人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

IPC分类号： H01L21/314

CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L27/11517

摘要： A method of fabricating a flash memory device is disclosed. The method comprises forming a first insulating layer on a semiconductor substrate; accumulating nitrogen at an interface between the semiconductor substrate and the first insulating layer to form a second insulating layer at the interface; and implanting oxygen into the second insulating layer to convert the second insulating layer to a third insulating layer.

摘要翻译： 公开了一种制造闪速存储器件的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成第一绝缘层; 在所述半导体衬底和所述第一绝缘层之间的界面处积累氮以在所述界面处形成第二绝缘层; 以及将氧注入到所述第二绝缘层中，以将所述第二绝缘层转换成第三绝缘层。

公开(公告)号：US20090124096A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US12164011

申请日：2008-06-28

申请人： Jae Hyoung Koo ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Eun Shil Park

发明人： Jae Hyoung Koo ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Eun Shil Park

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02238 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3143 ,  H01L27/11517 ,  H01L29/40114

摘要： The present invention relates to a method of fabricating a flash memory device, the method of the present invention comprises the steps of forming a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate through a plasma oxidation process and performing a nitridation treatment to a surface of the tunnel insulating layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造闪速存储器件的方法，本发明的方法包括以下步骤：通过等离子体氧化工艺在半导体衬底上形成隧道绝缘层，并对隧道绝缘层的表面进行氮化处理 层。

公开(公告)号：US20090163015A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12147178

申请日：2008-06-26

申请人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

发明人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/11521

摘要： The present invention relates to a method of fabricating a flash memory device. According to a method of fabricating a flash memory device in accordance with an aspect of the present invention, a semiconductor substrate over which a tunnel insulating layer and a first conductive layer are formed is provided. A first oxide layer is formed on the first conductive layer using a plasma oxidization process in a state where a back bias voltage is applied. A nitride layer is formed on the first oxide layer. A second oxide layer is formed on the nitride layer. A second conductive layer is formed on the second oxide layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造闪速存储器件的方法。 根据本发明的一个方面的制造闪速存储器件的方法，提供了形成隧道绝缘层和第一导电层的半导体衬底。 在施加反向偏置电压的状态下，使用等离子体氧化工艺在第一导电层上形成第一氧化物层。 在第一氧化物层上形成氮化物层。 在氮化物层上形成第二氧化物层。 在第二氧化物层上形成第二导电层。

公开(公告)号：US20090068850A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US12147802

申请日：2008-06-27

申请人： Jae Hyoung Koo ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Eun Shil Park

发明人： Jae Hyoung Koo ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Eun Shil Park

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/66833

摘要： The present invention relates generally to a method of fabricating a flash memory device. The method includes forming a tunnel dielectric layer on a semiconductor substrate using a plasma oxidization process. The tunnel dielectric layer is formed using the plasma oxidation process employing Ar and O2 gases, therefore, defect charges can be prevented from being created due to dangling bonds such as Si—H. Accordingly, the shift of the threshold voltage (Vth) of a device can be reduced and cycling and charge retention characteristics can be improved.

摘要翻译： 本发明一般涉及制造闪速存储器件的方法。 该方法包括使用等离子体氧化工艺在半导体衬底上形成隧道介电层。 使用Ar和O 2气体的等离子体氧化工艺形成隧道介电层，因此可以防止由于诸如Si-H的悬挂键而产生缺陷电荷。 因此，可以降低器件的阈值电压（Vth）的偏移，并且可以提高循环和电荷保持特性。

公开(公告)号：US09088871B2

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US13586213

申请日：2012-08-15

申请人： Chan Kyu Park ,  Jae Hong Kim ,  Cheon Shu Park ,  Sang Seung Kang ,  Min Su Jang ,  Joo Chan Sohn

发明人： Chan Kyu Park ,  Jae Hong Kim ,  Cheon Shu Park ,  Sang Seung Kang ,  Min Su Jang ,  Joo Chan Sohn

IPC分类号： H04M11/04 ,  H04W4/02 ,  H04W4/22 ,  G08B21/04

CPC分类号： H04W4/027 ,  G08B21/0423 ,  H04W4/90

摘要： Disclosed are a wearable behavioral pattern collecting apparatus for generating collected information by analyzing a behavioral pattern of a wearer, and generating and thereby transmitting emergency call information when an emergency situation occurs, a network including a repeater to transmit information received from the behavioral pattern collecting apparatus to a remote monitoring server, and a behavioral pattern analyzing system and method for transmitting information on an emergency accident and a position of the wearer to a corresponding institution or a corresponding person in charge when an emergency situation such as a falling accident or the emergency accident occurs by observing a change in the behavioral pattern of the wearer.

摘要翻译： 公开了一种穿戴式行为模式收集装置，用于通过分析穿戴者的行为模式来产生收集的信息，并且在紧急情况发生时生成并从而发送紧急呼叫信息，包括用于发送从行为模式收集装置接收的信息的中继器的网络 远程监控服务器，以及在诸如坠落事故或紧急事故等紧急情况的情况下将关于紧急事故和穿戴者的位置的信息发送给相应机构或相应负责人的行为模式分析系统和方法 通过观察穿戴者的行为模式的变化而发生。

公开(公告)号：US20140232682A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：US14009055

申请日：2011-11-22

申请人： Jae Hong Kim

发明人： Jae Hong Kim

IPC分类号： G06F3/044

CPC分类号： G06F3/044 ,  G06F2203/04104

摘要： An apparatus for detecting contact, according to the present invention, comprises: a substrate; a plurality of first electrodes which are formed on the substrate; a plurality of second electrodes which are formed on the substrate; and a controller chip for receiving applied signals from the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes, and determining a contact input, wherein the controller chip eliminates a value of a predetermined proportion of values from each of the signals.

摘要翻译： 根据本发明的用于检测接触的装置包括：基板; 形成在所述基板上的多个第一电极; 形成在所述基板上的多个第二电极; 以及控制器芯片，用于从所述多个第一电极和所述多个第二电极接收施加的信号，并且确定接触输入，其中所述控制器芯片从每个信号中消除了预定比例的值的值。