公开(公告)号：US20130101491A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13708914

申请日：2012-12-07

申请人： Byoung-Jae Bae ,  Sung-Lae Cho ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim

发明人： Byoung-Jae Bae ,  Sung-Lae Cho ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim

IPC分类号： C01B19/04

CPC分类号： C01B19/04 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

摘要： In one aspect, a method of forming a phase change material layer is provided. The method includes supplying a reaction gas including the composition of Formula 1 into a reaction chamber, supplying a first source which includes Ge(II) into the reaction chamber, and supplying a second source into the reaction chamber. Formula 1 is NR1R2R3, where R1, R2 and R3 are each independently at least one selected from the group consisting of H, CH3, C2H5, C3H7, C4H9, Si(CH3)3, NH2, NH(CH3), N(CH3)2, NH(C2H5) and N(C2H5)2.

公开(公告)号：US20090233421A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12405408

申请日：2009-03-17

申请人： Jin-Il Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim ,  Dong-Hyun Im

发明人： Jin-Il Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim ,  Dong-Hyun Im

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： Provided are methods of fabricating a semiconductor device including a phase change layer. Methods may include forming a dielectric layer on a substrate, forming an opening in the dielectric layer and depositing, on the substrate having the opening, a phase change layer that contains an element that lowers a process temperature of a thermal treatment process to a temperature that is lower than a melting point of the phase change layer. Methods may include migrating a portion of the phase change layer from outside the opening, into the opening by the thermal treatment process that includes the process temperature that is lower than the melting point of the phase change layer.

摘要翻译： 提供制造包括相变层的半导体器件的方法。 方法可以包括在衬底上形成电介质层，在电介质层中形成开口，并在具有开口的衬底上沉积相变层，该相变层含有将热处理工艺的工艺温度降低到 低于相变层的熔点。 方法可以包括通过包括低于相变层的熔点的工艺温度的热处理工艺将一部分相变层从开口外部迁移到开口中。

公开(公告)号：US20090280599A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12434721

申请日：2009-05-04

申请人： Dong-Hyun Im ,  Do-Hyung Kim ,  Hye-Young Park ,  Sung-Lae Cho ,  Jin-Il Lee

发明人： Dong-Hyun Im ,  Do-Hyung Kim ,  Hye-Young Park ,  Sung-Lae Cho ,  Jin-Il Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/1691 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： A phase change memory device includes a bottom electrode on a substrate, a phase change material pattern on the bottom electrode, and a top electrode on the phase change material pattern. The phase change material pattern includes at least 50 percent antimony (Sb).

摘要翻译： 相变存储器件包括衬底上的底电极，底电极上的相变材料图案和相变材料图案上的顶电极。 相变材料图案包括至少50％的锑（Sb）。

公开(公告)号：US07838326B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12405408

申请日：2009-03-17

申请人： Jin-Il Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim ,  Dong-Hyun Im

发明人： Jin-Il Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim ,  Dong-Hyun Im

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： Provided are methods of fabricating a semiconductor device including a phase change layer. Methods may include forming a dielectric layer on a substrate, forming an opening in the dielectric layer and depositing, on the substrate having the opening, a phase change layer that contains an element that lowers a process temperature of a thermal treatment process to a temperature that is lower than a melting point of the phase change layer. Methods may include migrating a portion of the phase change layer from outside the opening, into the opening by the thermal treatment process that includes the process temperature that is lower than the melting point of the phase change layer.

摘要翻译： 提供制造包括相变层的半导体器件的方法。 方法可以包括在衬底上形成电介质层，在电介质层中形成开口，并在具有开口的衬底上沉积相变层，该相变层含有将热处理工艺的工艺温度降低到 低于相变层的熔点。 方法可以包括通过包括低于相变层的熔点的工艺温度的热处理工艺将一部分相变层从开口外部迁移到开口中。

公开(公告)号：US20090278107A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12453334

申请日：2009-05-07

申请人： Do-Hyung Kim ,  Jun-Soo Bae ,  Dong-Hyun Im ,  Sung-Lae Cho ,  Jin-II Lee ,  Hye-Young Park ,  Hee-Ju Shin

发明人： Do-Hyung Kim ,  Jun-Soo Bae ,  Dong-Hyun Im ,  Sung-Lae Cho ,  Jin-II Lee ,  Hye-Young Park ,  Hee-Ju Shin

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/143 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： The phase change memory device includes a first electrode and a second electrode and a first phase change material pattern and a second phase change material pattern interposed between the first electrode and the second electrode, wherein the first and second phase change material patterns have respectively different electrical characteristics.

摘要翻译： 相变存储器件包括插入在第一电极和第二电极之间的第一电极和第二电极以及第一相变材料图案和第二相变材料图案，其中第一和第二相变材料图案分别具有不同的电 特点

公开(公告)号：US20160181521A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：US14965616

申请日：2015-12-10

申请人： Do-Hyung Kim ,  Jong-Uk KIM ,  Dong-Ho AHN ,  Sung-Lae CHO

发明人： Do-Hyung Kim ,  Jong-Uk KIM ,  Dong-Ho AHN ,  Sung-Lae CHO

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/144 ,  C01B19/007 ,  C01P2006/40 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1683

摘要： A variable resistance material layer including germanium (Ge), antimony (Sb), tellurium (Te), and at least one type of impurities X. The variable resistance material layer having a composition represented by a chemical formula of Xp(GeaSb(1-a-b)Teb)(1-p), wherein an atomic concentration of the impurities X is in a range of 0

摘要翻译： 包含锗（Ge），锑（Sb），碲（Te）和至少一种类型的杂质X的可变电阻材料层。具有化学式Xp（GeaSb（1- ab）Teb）（1-p），其中杂质X的原子浓度在0

公开(公告)号：US20170084834A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：US15366893

申请日：2016-12-01

申请人： Do-Hyung Kim ,  Jong-Uk Kim ,  Dong-Ho Ahn ,  Sung-Lae Cho

发明人： Do-Hyung Kim ,  Jong-Uk Kim ,  Dong-Ho Ahn ,  Sung-Lae Cho

IPC分类号： H01L45/00 ,  C01B19/00 ,  H01L27/24

摘要： A variable resistance material layer including germanium (Ge), antimony (Sb), tellurium (Te), and at least one type of impurities X. The variable resistance material layer having a composition represented by a chemical formula of Xp(GeaSb(1-a-b)Teb)(1-p), wherein an atomic concentration of the impurities X is in a range of 0

公开(公告)号：US09543513B2

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：US14965616

申请日：2015-12-10

申请人： Do-Hyung Kim ,  Jong-Uk Kim ,  Dong-Ho Ahn ,  Sung-Lae Cho

发明人： Do-Hyung Kim ,  Jong-Uk Kim ,  Dong-Ho Ahn ,  Sung-Lae Cho

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/144 ,  C01B19/007 ,  C01P2006/40 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1683

摘要： A variable resistance material layer including germanium (Ge), antimony (Sb), tellurium (Te), and at least one type of impurities X. The variable resistance material layer having a composition represented by a chemical formula of Xp(GeaSb(1-a-b)Teb)(1-p), wherein an atomic concentration of the impurities X is in a range of 0

摘要翻译： 包含锗（Ge），锑（Sb），碲（Te）和至少一种类型的杂质X的可变电阻材料层。具有化学式Xp（GeaSb（1- ab）Teb）（1-p），其中杂质X的原子浓度在0

公开(公告)号：US08644062B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12819498

申请日：2010-06-21

申请人： Ik-Soo Kim ,  Sung-Lae Cho ,  Do-Hyung Kim ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

发明人： Ik-Soo Kim ,  Sung-Lae Cho ,  Do-Hyung Kim ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C8/08 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： A multi-level memory device includes an insulating layer having an opening therein, and a multi-level cell (MLC) formed in the opening that has a resistance level varies based on the data stored therein. The MLC is configured to have a resistance level that varies as write pulses having the same pulse height and different pulse widths are applied to the MLC.

摘要翻译： 多级存储器件包括其中具有开口的绝缘层，并且形成在开口中的具有电阻电平的多电平单元（MLC）基于存储在其中的数据而变化。 MLC被配置为具有随着具有相同脉冲高度和不同脉冲宽度的写入脉冲被施加到MLC而变化的电阻电平。

公开(公告)号：US09412423B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US13827797

申请日：2013-03-14

申请人： Jae-Jun Lee ,  Do-Hyung Kim ,  Yong-Jin Kim ,  Bo-Ra Kim ,  Jeong-Hoon Baek ,  Kwang-Seop Kim ,  Da-Ae Heo

发明人： Jae-Jun Lee ,  Do-Hyung Kim ,  Yong-Jin Kim ,  Bo-Ra Kim ,  Jeong-Hoon Baek ,  Kwang-Seop Kim ,  Da-Ae Heo

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C5/04

CPC分类号： H03K19/0005 ,  G11C5/04 ,  G11C7/00

摘要： A memory module includes a command/address (CA) register, memory devices, and a module resistor unit mounted on a circuit board. The centrally disposed CA register drive the memory devices one or more internal CA signal(s) to arrangements of memory devices using multiple CA transmission lines, wherein the multiple internal CA transmission lines are commonly terminated in the module resistor unit.

摘要翻译： 存储器模块包括命令/地址（CA）寄存器，存储器件和安装在电路板上的模块电阻器单元。 集中设置的CA寄存器使用多个CA传输线将存储器件一个或多个内部CA信号驱动到存储器件的布置，其中多个内部CA传输线通常在模块电阻器单元中端接。