公开(公告)号：US08592799B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13067254

申请日：2011-05-19

申请人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66477 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/842

摘要： A graphene electronic device and a method of fabricating the graphene electronic device are provided. The graphene electronic device may include a graphene channel layer formed on a hydrophobic polymer layer, and a passivation layer formed on the graphene channel layer. The hydrophobic polymer layer may prevent or reduce adsorption of impurities to transferred graphene, and a passivation layer may also prevent or reduce adsorption of impurities to a heat-treated graphene channel layer.

摘要翻译： 提供石墨烯电子器件和制造石墨烯电子器件的方法。 石墨烯电子器件可以包括形成在疏水聚合物层上的石墨烯通道层和形成在石墨烯通道层上的钝化层。 疏水性聚合物层可以防止或减少杂质对转移的石墨烯的吸附，并且钝化层也可以防止或减少杂质对经热处理的石墨烯通道层的吸附。

公开(公告)号：US08575665B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13224941

申请日：2011-09-02

申请人： Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hee-jun Yang

发明人： Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  Y10S977/936

摘要： The graphene electronic device may include a gate oxide on a conductive substrate, the conductive substrate configured to function as a gate electrode, a pair of first metals on the gate oxide, the pair of the first metals separate from each other, a graphene channel layer extending between the first metals and on the first metals, and a source electrode and a drain electrode on both edges of the graphene channel layer.

公开(公告)号：US08405133B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US13286592

申请日：2011-11-01

申请人： Hyun-jong Chung ,  Jae-ho Lee ,  Jae-hong Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

发明人： Hyun-jong Chung ,  Jae-ho Lee ,  Jae-hong Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778

摘要： In a semiconductor device including graphene, a gate insulating layer may be formed between a gate electrode and a graphene layer, and an interlayer insulating layer may be formed under a portion of the graphene layer under which the gate insulating layer is not formed. The gate insulating layer may include a material that has higher dielectric permittivity than the interlayer insulating layer.

摘要翻译： 在包括石墨烯的半导体器件中，可以在栅电极和石墨烯层之间形成栅极绝缘层，并且可以在没有形成栅极绝缘层的石墨烯层的一部分下方形成层间绝缘层。 栅极绝缘层可以包括具有比层间绝缘层更高的介电常数的材料。

公开(公告)号：US20120112250A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13286592

申请日：2011-11-01

申请人： Hyun-jong Chung ,  Jae-ho Lee ,  Jae-hong Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

发明人： Hyun-jong Chung ,  Jae-ho Lee ,  Jae-hong Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778

摘要： In a semiconductor device including graphene, a gate insulating layer may be formed between a gate electrode and a graphene layer, and an interlayer insulating layer may be formed under a portion of the graphene layer under which the gate insulating layer is not formed. The gate insulating layer may include a material that has higher dielectric permittivity than the interlayer insulating layer.

摘要翻译： 在包括石墨烯的半导体器件中，可以在栅电极和石墨烯层之间形成栅极绝缘层，并且可以在没有形成栅极绝缘层的石墨烯层的一部分下方形成层间绝缘层。 栅极绝缘层可以包括具有比层间绝缘层更高的介电常数的材料。

公开(公告)号：US20120175595A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13329842

申请日：2011-12-19

申请人： Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee

发明人： Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78684

摘要： A graphene electronic device includes a graphene channel layer on a substrate, a source electrode on an end portion of the graphene channel layer and a drain electrode on another end portion of the graphene channel layer, a gate oxide on the graphene channel layer and between the source electrode and the drain electrode, and a gate electrode on the gate oxide. The gate oxide has substantially the same shape as the graphene channel layer between the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 石墨烯电子器件包括在衬底上的石墨烯通道层，石墨烯通道层的端部上的源电极和在石墨烯通道层的另一端部上的漏电极，石墨烯通道层上的栅极氧化物 源电极和漏电极以及栅极氧化物上的栅电极。 栅极氧化物具有与源电极和漏电极之间的石墨烯沟道层基本相同的形状。

公开(公告)号：US20120168722A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13225988

申请日：2011-09-06

申请人： Hyun-jong Chung ,  Jae-hong Lee ,  Jae-ho Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

发明人： Hyun-jong Chung ,  Jae-hong Lee ,  Jae-ho Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/775 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Graphene electronic devices may include a gate electrode on a substrate, a first gate insulating film covering the gate electrode, a plurality of graphene channel layers on the substrate, a second gate insulating film between the plurality of graphene channel layers, and a source electrode and a drain electrode connected to both edges of each of the plurality of graphene channel layers.

摘要翻译： 石墨烯电子器件可以包括衬底上的栅极电极，覆盖栅电极的第一栅极绝缘膜，衬底上的多个石墨烯沟道层，多个石墨烯沟道层之间的第二栅极绝缘膜，以及源电极和 连接到所述多个石墨烯通道层中的每一个的两个边缘的漏电极。

公开(公告)号：US20120138903A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13308749

申请日：2011-12-01

申请人： Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

发明人： Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/20 ,  B82Y99/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/0262 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L29/1606

摘要： The graphene substrate may include a metal oxide film on a substrate, and a graphene layer on the metal oxide film. The concentration of oxygen in the metal oxide film may be gradually reduced from the substrate towards the graphene layer, and the graphene layer may be formed directly on the metal oxide film.

摘要翻译： 石墨烯衬底可以包括在衬底上的金属氧化物膜和金属氧化物膜上的石墨烯层。 金属氧化物膜中的氧浓度可以从衬底朝向石墨烯层逐渐减小，并且石墨烯层可以直接形成在金属氧化物膜上。

公开(公告)号：US20120132893A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13242177

申请日：2011-09-23

申请人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang

发明人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606

摘要： A graphene electronic device includes a gate electrode, a gate oxide disposed on the gate electrode, a graphene channel layer formed on the gate oxide, and a source electrode and a drain electrode respectively disposed on both ends of the graphene channel layer. In the graphene channel layer, a plurality of nanoholes are arranged in a single line in a width direction of the graphene channel layer.

摘要翻译： 石墨烯电子器件包括栅电极，设置在栅电极上的栅极氧化物，形成在栅极氧化物上的石墨烯沟道层，以及分别设置在石墨烯沟道层两端的源电极和漏电极。 在石墨烯通道层中，多个纳米孔在石墨烯通道层的宽度方向上以单一线排列。

公开(公告)号：US20120080658A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13067254

申请日：2011-05-19

申请人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-Seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-Seong Heo

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  B82Y99/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/66477 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/842

摘要： A graphene electronic device and a method of fabricating the graphene electronic device are provided. The graphene electronic device may include a graphene channel layer formed on a hydrophobic polymer layer, and a passivation layer formed on the graphene channel layer. The hydrophobic polymer layer may prevent or reduce adsorption of impurities to transferred graphene, and a passivation layer may also prevent or reduce adsorption of impurities to a heat-treated graphene channel layer.

摘要翻译： 提供石墨烯电子器件和制造石墨烯电子器件的方法。 石墨烯电子器件可以包括形成在疏水聚合物层上的石墨烯通道层和形成在石墨烯通道层上的钝化层。 疏水性聚合物层可以防止或减少杂质对转移的石墨烯的吸附，并且钝化层也可以防止或减少杂质对经热处理的石墨烯通道层的吸附。

公开(公告)号：US09093509B2

公开(公告)日：2015-07-28

申请号：US13242177

申请日：2011-09-23

申请人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang

发明人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606

摘要： A graphene electronic device includes a gate electrode, a gate oxide disposed on the gate electrode, a graphene channel layer formed on the gate oxide, and a source electrode and a drain electrode respectively disposed on both ends of the graphene channel layer. In the graphene channel layer, a plurality of nanoholes are arranged in a single line in a width direction of the graphene channel layer.

摘要翻译： 石墨烯电子器件包括栅电极，设置在栅电极上的栅极氧化物，形成在栅极氧化物上的石墨烯沟道层，以及分别设置在石墨烯沟道层两端的源电极和漏电极。 在石墨烯通道层中，多个纳米孔在石墨烯通道层的宽度方向上以单一线排列。