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    Phase change current density control structure
    6.
    发明申请
    Phase change current density control structure 有权
    相变电流密度控制结构

    公开(公告)号：US20070158631A1

    公开(公告)日：2007-07-12

    申请号：US11304593

    申请日：2005-12-16

    申请人： Jon Daley ,  Kristy Campbell

    发明人： Jon Daley ,  Kristy Campbell

    IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/1246 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1666

    摘要： A phase change memory element and method of forming the same. The memory element includes first and second electrodes. A first layer of phase change material is between the first and second electrodes. A second layer including a metal-chalcogenide material is also between the first and second electrodes and is one of a phase change material and a conductive material. An insulating layer is between the first and second layers. There is at least one opening in the insulating layer providing contact between the first and second layers.

    摘要翻译： 一种相变存储元件及其形成方法。 存储元件包括第一和第二电极。 第一层相变材料位于第一和第二电极之间。 包括金属 - 硫族化物材料的第二层也在第一和第二电极之间，并且是相变材料和导电材料之一。 绝缘层位于第一和第二层之间。 绝缘层中至少有一个开口提供第一和第二层之间的接触。

    SnSe-Based Limited Reprogrammable Cell
    8.
    发明申请
    SnSe-Based Limited Reprogrammable Cell 有权
    基于SnSe的有限可编程单元

    公开(公告)号：US20080067489A1

    公开(公告)日：2008-03-20

    申请号：US11943339

    申请日：2007-11-20

    申请人： Kristy Campbell

    发明人： Kristy Campbell

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： H01L45/085 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

    摘要： Methods and apparatus for providing a memory device that can be programmed a limited number of times. According to exemplary embodiments, a memory device and its method of formation provide a first electrode, a second electrode and a layer of a chalcogenide or germanium comprising material between the first electrode and the second electrode. The memory device further includes a tin-chalcogenide layer between the chalcogenide or germanium comprising material layer and the second electrode.

    摘要翻译： 用于提供可被编程有限次数的存储器件的方法和装置。 根据示例性实施例，存储器件及其形成方法在第一电极和第二电极之间提供第一电极，第二电极和包含硫族化物或锗的材料层。 记忆装置还包括在硫属化物或包含锗的材料层和第二电极之间的锡 - 硫族化物层。

    Phase change memory cell and method of formation
    9.
    发明申请
    Phase change memory cell and method of formation 有权
    相变记忆单元及其形成方法

    公开(公告)号：US20070029537A1

    公开(公告)日：2007-02-08

    申请号：US11194623

    申请日：2005-08-02

    申请人： Kristy Campbell

    发明人： Kristy Campbell

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144

    摘要： A phase change memory element and methods for forming the same are provided. The memory element includes a first electrode and a chalcogenide comprising phase change material layer over the first electrode. A metal-chalcogenide layer is over the phase change material layer. The metal chalcogenide layer is tin-telluride. A second electrode is over the metal-chalcogenide layer. The memory element is configured to have reduced current requirements.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储元件及其形成方法。 存储元件包括在第一电极上的包括相变材料层的第一电极和硫族化物。 金属硫族化物层位于相变材料层的上方。 金属硫族化物层是锡 - 碲化物。 第二电极在金属 - 硫族化物层之上。 存储器元件被配置为具有减小的电流要求。

    Method of forming non-volatile resistance variable devices and method of forming a programmable memory cell of memory circuitry
    10.
    发明申请
    Method of forming non-volatile resistance variable devices and method of forming a programmable memory cell of memory circuitry 有权
    形成非易失性电阻可变器件的方法和形成存储器电路的可编程存储器单元的方法

    公开(公告)号：US20060270099A1

    公开(公告)日：2006-11-30

    申请号：US11430046

    申请日：2006-05-09

    申请人： Kristy Campbell ,  John Moore

    发明人： Kristy Campbell ,  John Moore

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1683

    摘要： A first conductive electrode material is formed on a substrate. Chalcogenide comprising material is formed thereover. The chalcogenide material comprises AxSey. A silver comprising layer is formed over the chalcogenide material. The silver is irradiated effective to break a chalcogenide bond of the chalcogenide material at an interface of the silver comprising layer and chalcogenide material and diffuse at least some of the silver into the chalcogenide material. After the irradiating, the chalcogenide material outer surface is exposed to an iodine comprising fluid effective to reduce roughness of the chalcogenide material outer surface from what it was prior to the exposing. After the exposing,. a second conductive electrode material is deposited over the chalcogenide material, and which is continuous and completely covering at least over the chalcogenide material, and the second conductive electrode material is formed into an electrode of the device.

    摘要翻译： 在基板上形成第一导电电极材料。 在其上形成包含硫属元素的材料。 硫族化物材料包含A x S y S y。 在硫族化物材料上形成含银层。 银被照射有效地破坏硫族化物材料在含银层和硫族化物材料的界面处的硫属化物键，并将至少一些银扩散到硫族化物材料中。 在照射之后，硫族化物材料外表面暴露于含有碘的流体，其有效地减少硫族化物材料外表面的暴露之前的粗糙度。 暴露后， 第二导电电极材料沉积在硫族化物材料上，其连续并完全覆盖至少在硫族化物材料上，并且第二导电电极材料形成为器件的电极。