公开(公告)号：US08361551B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12648377

申请日：2009-12-29

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Jun-Noh Lee

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Jun-Noh Lee

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： C23C16/4554 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： In a method of forming a target layer having a uniform composition of constituent materials, a first precursor including a first central atom and a ligand is chemisorbed on a first reaction site of an object. The ligand or the first central atom is then removed to form a second reaction site. A second precursor including a second central atom is then chemisorbed on the second reaction site.

摘要翻译： 在形成具有均匀构成材料组成的目标层的方法中，包括第一中心原子和配体的第一前体在物体的第一反应位置被化学吸附。 然后除去配体或第一中心原子以形成第二反应位点。 包括第二中心原子的第二前体然后在第二反应位点被化学吸附。

公开(公告)号：US20100112777A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12612320

申请日：2009-11-04

申请人： HanJin LIM ,  Seokwoo Nam ,  Junghee Chung ,  KyoungRyul Yoon ,  Jong-Bom Seo ,  Jun-Noh Lee ,  Sunghoon Bae

发明人： HanJin LIM ,  Seokwoo Nam ,  Junghee Chung ,  KyoungRyul Yoon ,  Jong-Bom Seo ,  Jun-Noh Lee ,  Sunghoon Bae

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L28/91

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a bottom electrode having a top surface and a side surface on a semiconductor substrate, performing a tilted ion implantation process to supply ions to the top surface of the bottom electrode and to a portion of the side surface of the bottom electrode, and forming a dielectric layer on the bottom electrode. The formation of the dielectric layer is delayed at the ion-supplied top surface of the bottom electrode and the ion-supplied portion of the side surface of the bottom electrode.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成具有顶表面和侧表面的底电极，执行倾斜离子注入工艺以将离子供应到底电极的顶表面和侧表面的一部分 的底部电极，并且在底部电极上形成电介质层。 电介质层的形成在底电极的离子供给顶表面和底电极的侧表面的离子供给部分被延迟。

公开(公告)号：US08698221B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13290397

申请日：2011-11-07

申请人： Kiyeon Park ,  Insang Jeon ,  Hanjin Lim ,  Yeongcheol Lee ,  Jun-Noh Lee

发明人： Kiyeon Park ,  Insang Jeon ,  Hanjin Lim ,  Yeongcheol Lee ,  Jun-Noh Lee

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a first electrode, a first dielectric layer disposed on the first electrode, the first dielectric layer having a tetragonal crystal structure and including a first metal oxide layer doped with a first impurity, a second dielectric layer disposed on the first metal oxide layer, the second dielectric layer having a tetragonal crystal structure and including a second metal oxide layer doped with a second impurity, and a second electrode disposed on the second dielectric layer. The first dielectric layer has a lower crystallization temperature and a substantially higher dielectric constant than the second dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括第一电极，设置在第一电极上的第一电介质层，第一电介质层具有四方晶体结构并且包括掺杂有第一杂质的第一金属氧化物层，设置在第一金属氧化物层上的第二电介质层 所述第二电介质层具有四方晶系结构并且包括掺杂有第二杂质的第二金属氧化物层，以及设置在所述第二电介质层上的第二电极。 第一电介质层具有比第二电介质层低的结晶温度和更高的介电常数。

公开(公告)号：US20120126300A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13290397

申请日：2011-11-07

申请人： Kiyeon Park ,  Insang Jeon ,  Hanjin Lim ,  Yeongcheol Lee ,  Jun-Noh Lee

发明人： Kiyeon Park ,  Insang Jeon ,  Hanjin Lim ,  Yeongcheol Lee ,  Jun-Noh Lee

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a first electrode, a first dielectric layer disposed on the first electrode, the first dielectric layer having a tetragonal crystal structure and including a first metal oxide layer doped with a first impurity, a second dielectric layer disposed on the first metal oxide layer, the second dielectric layer having a tetragonal crystal structure and including a second metal oxide layer doped with a second impurity, and a second electrode disposed on the second dielectric layer. The first dielectric layer has a lower crystallization temperature and a substantially higher dielectric constant than the second dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括第一电极，设置在第一电极上的第一电介质层，第一电介质层具有四方晶体结构并且包括掺杂有第一杂质的第一金属氧化物层，设置在第一金属氧化物层上的第二电介质层 所述第二电介质层具有四方晶系结构并且包括掺杂有第二杂质的第二金属氧化物层，以及设置在所述第二电介质层上的第二电极。 第一电介质层具有比第二电介质层低的结晶温度和更高的介电常数。