公开(公告)号：US20070210359A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11682550

申请日：2007-03-06

申请人： Jong-Jin Lee ,  Yo-Han Sun ,  Tae-Seok Oh ,  Sung-Jae Joo ,  Bum-Suk Kim ,  Yun-Ho Jang ,  Sae-Young Kim ,  Keun-Chan Yuk

发明人： Jong-Jin Lee ,  Yo-Han Sun ,  Tae-Seok Oh ,  Sung-Jae Joo ,  Bum-Suk Kim ,  Yun-Ho Jang ,  Sae-Young Kim ,  Keun-Chan Yuk

IPC分类号： H01L31/113

CPC分类号： H01L27/14601 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： An image sensor includes a first type semiconductor layer, a second type semiconductor layer and a first type well. The first type semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate and includes a plurality of pixels which receive external light and convert optical charges into an electrical signal. The second type semiconductor layer is supplied with a drain voltage to have a potential different from that of the first semiconductor layer, and the first type well controls a power source voltage (VDD) using the drain voltage.

摘要翻译： 图像传感器包括第一类型半导体层，第二类型半导体层和第一类型阱。 第一类型半导体层形成在半导体衬底上，并且包括多个像素，其接收外部光并将光电荷转换成电信号。 第二类型半导体层被提供有与第一半导体层的电位不同的漏极电压，并且第一类型阱使用漏极电压来控制电源电压（VDD）。

公开(公告)号：US07595519B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11682550

申请日：2007-03-06

申请人： Jong-Jin Lee ,  Yo-Han Sun ,  Tae-Seok Oh ,  Sung-Jae Joo ,  Bum-Suk Kim ,  Yun-Ho Jang ,  Sae-Young Kim ,  Keun-Chan Yuk

发明人： Jong-Jin Lee ,  Yo-Han Sun ,  Tae-Seok Oh ,  Sung-Jae Joo ,  Bum-Suk Kim ,  Yun-Ho Jang ,  Sae-Young Kim ,  Keun-Chan Yuk

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14601 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： An image sensor includes a first type semiconductor layer, a second type semiconductor layer and a first type well. The first type semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate and includes a plurality of pixels which receive external light and convert optical charges into an electrical signal. The second type semiconductor layer is supplied with a drain voltage to have a potential different from that of the first semiconductor layer, and the first type well controls a power source voltage (VDD) using the drain voltage.

摘要翻译： 图像传感器包括第一类型半导体层，第二类型半导体层和第一类型阱。 第一类型半导体层形成在半导体衬底上，并且包括多个像素，其接收外部光并将光电荷转换成电信号。 第二类型半导体层被提供有与第一半导体层的电位不同的漏极电压，并且第一类型阱使用漏极电压来控制电源电压（VDD）。

公开(公告)号：US08021912B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12320543

申请日：2009-01-29

申请人： Yi Tae Kim ,  Kyung Ho Lee ,  Sae-Young Kim ,  Yun Ho Jang ,  Jung Chak Ahn

发明人： Yi Tae Kim ,  Kyung Ho Lee ,  Sae-Young Kim ,  Yun Ho Jang ,  Jung Chak Ahn

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632

摘要： A method of manufacturing an image sensor is provided. In this method, a photoelectric conversion unit may be formed within a semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate includes an active pixel region and an optical black region. An annealing layer may be formed on the active pixel region and the optical black region and etched so that the annealing layer covers at least a portion of the optical black region. A wiring pattern may be formed on the annealing layer. A light-blocking pattern may be formed on the wiring pattern so as to cover the entire photoelectric conversion unit of the optical black region, thereby blocking light from being incident upon the optical black region.

摘要翻译： 提供一种制造图像传感器的方法。 在该方法中，可以在半导体衬底内形成光电转换单元，其中半导体衬底包括有源像素区域和光学黑色区域。 可以在有源像素区域和光学黑色区域上形成退火层并进行蚀刻，使得退火层覆盖光学黑色区域的至少一部分。 可以在退火层上形成布线图案。 可以在布线图案上形成遮光图案，以覆盖光学黑色区域的整个光电转换单元，从而阻止光入射到光学黑色区域。

公开(公告)号：US20090209058A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US12320543

申请日：2009-01-29

申请人： Yi Tae Kim ,  Kyung Ho Lee ,  Sae-Young Kim ,  Yun Ho Jang ,  Jung Chak Ahn

发明人： Yi Tae Kim ,  Kyung Ho Lee ,  Sae-Young Kim ,  Yun Ho Jang ,  Jung Chak Ahn

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632

摘要： A method of manufacturing an image sensor is provided. In this method, a photoelectric conversion unit may be formed within a semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate includes an active pixel region and an optical black region. An annealing layer may be formed on the active pixel region and the optical black region and etched so that the annealing layer covers at least a portion of the optical black region. A wiring pattern may be formed on the annealing layer. A light-blocking pattern may be formed on the wiring pattern so as to cover the entire photoelectric conversion unit of the optical black region, thereby blocking light from being incident upon the optical black region.

摘要翻译： 提供一种制造图像传感器的方法。 在该方法中，可以在半导体衬底内形成光电转换单元，其中半导体衬底包括有源像素区域和光学黑色区域。 可以在有源像素区域和光学黑色区域上形成退火层并进行蚀刻，使得退火层覆盖光学黑色区域的至少一部分。 可以在退火层上形成布线图案。 可以在布线图案上形成遮光图案，以覆盖光学黑色区域的整个光电转换单元，从而阻止光入射到光学黑色区域。

公开(公告)号：US07989861B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12196491

申请日：2008-08-22

申请人： Yi-Tae Kim ,  Sang-Il Jung ,  Yun-Ho Jang ,  Kyung-Ho Lee ,  Sae-Young Kim

发明人： Yi-Tae Kim ,  Sang-Il Jung ,  Yun-Ho Jang ,  Kyung-Ho Lee ,  Sae-Young Kim

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/112 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/148 ,  H01L27/14818

摘要： An image sensor includes a substrate, an anti-reflection board and a light shielding film. The substrate includes first pixels to receive a light, and second pixels to provide a black level compensation. The first pixels are formed in an active region and the second pixels are formed in a first region spaced apart from the active region in a row direction. The anti-reflection board is formed in a second region above the substrate, and the second region is between the active region and the first region. The light shielding film is formed above the anti-reflection board, and the light shielding film covers an optical black region including the first and second regions. Therefore, the image sensor may be used in a CCD type image sensor and a CMOS type image sensor to provide a stabilized black level, thereby improving a quality of a displayed image.

摘要翻译： 图像传感器包括基板，防反射板和遮光膜。 衬底包括用于接收光的第一像素和第二像素以提供黑色电平补偿。 第一像素形成在有源区域中，并且第二像素形成在与行方向上的有源区域间隔开的第一区域中。 防反射板形成在衬底上方的第二区域中，并且第二区域在有源区域和第一区域之间。 遮光膜形成在防反射板的上方，遮光膜覆盖包括第一和第二区域的光学黑色区域。 因此，图像传感器可以用于CCD型图像传感器和CMOS型图像传感器中以提供稳定的黑色电平，从而提高显示图像的质量。

公开(公告)号：US20090108312A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12196491

申请日：2008-08-22

申请人： Yi-Tae Kim ,  Sang-Il Jung ,  Yun-Ho Jang ,  Kyung-Ho Lee ,  Sae-Young Kim

发明人： Yi-Tae Kim ,  Sang-Il Jung ,  Yun-Ho Jang ,  Kyung-Ho Lee ,  Sae-Young Kim

IPC分类号： H01L31/112 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/148 ,  H01L27/14818

摘要： An image sensor includes a substrate, an anti-reflection board and a light shielding film. The substrate includes first pixels to receive a light, and second pixels to provide a black level compensation. The first pixels are formed in an active region and the second pixels are formed in a first region spaced apart from the active region in a row direction. The anti-reflection board is formed in a second region above the substrate, and the second region is between the active region and the first region. The light shielding film is formed above the anti-reflection board, and the light shielding film covers an optical black region including the first and second regions. Therefore, the image sensor may be used in a CCD type image sensor and a CMOS type image sensor to provide a stabilized black level, thereby improving a quality of a displayed image.

摘要翻译： 图像传感器包括基板，防反射板和遮光膜。 衬底包括用于接收光的第一像素和第二像素以提供黑色电平补偿。 第一像素形成在有源区域中，并且第二像素形成在与行方向上的有源区域间隔开的第一区域中。 防反射板形成在衬底上方的第二区域中，并且第二区域在有源区域和第一区域之间。 遮光膜形成在防反射板的上方，遮光膜覆盖包括第一和第二区域的光学黑色区域。 因此，图像传感器可以用于CCD型图像传感器和CMOS型图像传感器中以提供稳定的黑色电平，从而提高显示图像的质量。

公开(公告)号：US08003424B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US11983913

申请日：2007-11-13

申请人： Kyung-Ho Lee ,  Yi-Tae Kim ,  Jung-Chak Ahn ,  Sae-Young Kim

发明人： Kyung-Ho Lee ,  Yi-Tae Kim ,  Jung-Chak Ahn ,  Sae-Young Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/035281

摘要： A CMOS image sensor includes a photosensitive device, a floating diffusion region, a transfer transistor, and a pocket photodiode formed in a semiconductor substrate of a first conductivity type. The floating diffusion region is of a second conductivity type. The transfer transistor has a channel region disposed between the photosensitive device and the floating diffusion region. The pocket photodiode is of the second conductivity type and is formed under a first portion of a bottom surface of the channel region such that a second portion of the bottom surface of the channel region abuts the semiconductor substrate.

摘要翻译： CMOS图像传感器包括形成在第一导电类型的半导体衬底中的感光器件，浮动扩散区域，转移晶体管和腔室光电二极管。 浮动扩散区域是第二导电类型。 转移晶体管具有设置在感光器件和浮动扩散区域之间的沟道区域。 袋状光电二极管是第二导电类型，并且形成在沟道区的底表面的第一部分下方，使得沟道区的底表面的第二部分与半导体衬底相邻。

公开(公告)号：US07766437B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US10995168

申请日：2004-11-24

申请人： Hyung-Keun Lim ,  Chan-Ho Chun ,  Youn-Seok Lee ,  Yang-Gyu Kim ,  Sae-Young Kim

发明人： Hyung-Keun Lim ,  Chan-Ho Chun ,  Youn-Seok Lee ,  Yang-Gyu Kim ,  Sae-Young Kim

IPC分类号： A47B96/04 ,  A47B88/00

CPC分类号： F25D25/024 ,  F25B2500/13 ,  F25D2400/04

摘要： A refrigerator including a cooling chamber in a main body, includes: a rack assembly installed inside the cooling chamber; and a rack assembly drawing unit for drawing/putting the rack assembly out of/into the cooling chamber. Accordingly, food containers put on a rack of a rack assembly can be easily and conveniently taken out or checked regardless their locations by constructing the rack assembly to be selectively drawn out of a cooling chamber. Also, by attaching a vibration preventing rubber material to an end of the rack assembly, the food container put on the rack is prevented from being dropped, and the vibration noise can be effectively prevented.

摘要翻译： 一种包括在主体中的冷却室的冰箱，包括：安装在所述冷却室内的搁板组件; 以及用于将搁架组件拉出/放入冷却室的机架组装图纸单元。 因此，通过构造要选择性地从冷却室抽出的齿条组件，可以容易地方便地将放置在齿条组件的齿条上的食品容器取出或检查，无论其位置如何。 此外，通过将防振橡胶材料附着到搁架组件的一端，防止放置在架子上的食品容器掉落，并且可以有效地防止振动噪音。

公开(公告)号：US07605857B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11334923

申请日：2006-01-19

申请人： Sae-Young Kim

发明人： Sae-Young Kim

IPC分类号： H04N5/225

CPC分类号： G02B3/005 ,  G02B3/0018 ,  G02B3/0043 ,  G02B3/02 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

摘要： A method of manufacturing a microlens is provided. The method includes forming a first lens pattern, forming a second lens pattern on a portion of the first lens pattern in a manner which controls an asymmetric curvature of the microlens. The method further includes reflowing the first and second lens patterns.

摘要翻译： 提供一种制造微透镜的方法。 该方法包括形成第一透镜图案，以控制微透镜的不对称曲率的方式在第一透镜图案的一部分上形成第二透镜图案。 该方法还包括回流第一和第二透镜图案。

公开(公告)号：US20060170810A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11334923

申请日：2006-01-19

申请人： Sae-Young Kim

发明人： Sae-Young Kim

IPC分类号： H04N5/225

CPC分类号： G02B3/005 ,  G02B3/0018 ,  G02B3/0043 ,  G02B3/02 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

摘要： A method of manufacturing a microlens is provided. The method includes forming a first lens pattern, forming a second lens pattern on a portion of the first lens pattern in a manner which controls an asymmetric curvature of the microlens. The method further includes reflowing the first and second lens patterns.