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    Methods of manufacturing semiconductor devices
    1.
    发明授权
    Methods of manufacturing semiconductor devices 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08435877B2

    公开(公告)日：2013-05-07

    申请号：US13227799

    申请日：2011-09-08

    申请人： Jun-Kyu Yang ,  Hong-Suk Kim ,  Ju-Yul Lee ,  Ki-Hyun Hwang ,  Jae-Young Ahn

    发明人： Jun-Kyu Yang ,  Hong-Suk Kim ,  Ju-Yul Lee ,  Ki-Hyun Hwang ,  Jae-Young Ahn

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/764 ,  H01L27/11568

    摘要： A semiconductor device includes gate structures including a tunnel insulating layer pattern, a floating gate, a dielectric layer pattern and a control gate sequentially disposed on a substrate. The control gate includes an impurity doped polysilicon layer pattern and a metal layer pattern. The gate structures are spaced apart from each other on the substrate. A capping layer pattern is disposed on a sidewall portion of the metal layer pattern and includes a metal oxide. An insulating layer covers the gate structures and the capping layer pattern. The insulating layer is formed on the substrate and includes an air-gap therein.

    摘要翻译： 半导体器件包括栅极结构，其包括顺序地设置在衬底上的隧道绝缘层图案，浮动栅极，电介质层图案和控制栅极。 控制栅极包括杂质掺杂多晶硅层图案和金属层图案。 栅极结构在衬底上彼此间隔开。 覆盖层图案设置在金属层图案的侧壁部分上并且包括金属氧化物。 绝缘层覆盖栅极结构和覆盖层图案。 绝缘层形成在基板上并且在其中包括气隙。

    METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES
    2.
    发明申请
    METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20120064707A1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：US13227799

    申请日：2011-09-08

    申请人： Jun-Kyu YANG ,  Hong-Suk Kim ,  Ju-Yul Lee ,  Ki-Hyun Hwang ,  Jae-Young Ahn

    发明人： Jun-Kyu YANG ,  Hong-Suk Kim ,  Ju-Yul Lee ,  Ki-Hyun Hwang ,  Jae-Young Ahn

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/764 ,  H01L27/11568

    摘要： A semiconductor device includes gate structures including a tunnel insulating layer pattern, a floating gate, a dielectric layer pattern and a control gate sequentially disposed on a substrate. The control gate includes an impurity doped polysilicon layer pattern and a metal layer pattern. The gate structures are spaced apart from each other on the substrate. A capping layer pattern is disposed on a sidewall portion of the metal layer pattern and includes a metal oxide. An insulating layer covers the gate structures and the capping layer pattern. The insulating layer is formed on the substrate and includes an air-gap therein.

    摘要翻译： 半导体器件包括栅极结构，其包括顺序地设置在衬底上的隧道绝缘层图案，浮动栅极，电介质层图案和控制栅极。 控制栅极包括杂质掺杂多晶硅层图案和金属层图案。 栅极结构在衬底上彼此间隔开。 覆盖层图案设置在金属层图案的侧壁部分上并且包括金属氧化物。 绝缘层覆盖栅极结构和覆盖层图案。 绝缘层形成在基板上并且在其中包括气隙。

    Non-volatile memory devices with multiple layers having band gap relationships among the layers
    5.
    发明申请
    Non-volatile memory devices with multiple layers having band gap relationships among the layers 有权
    具有层之间具有带隙关系的多层的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20110237059A1

    公开(公告)日：2011-09-29

    申请号：US13067405

    申请日：2011-05-31

    申请人： Seung-Jae Baik ,  Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sang-Jin Hyun

    发明人： Seung-Jae Baik ,  Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sang-Jin Hyun

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833

    摘要： A nonvolatile memory device may include: a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; a charge storage layer on the tunnel insulating layer; a blocking insulating layer on the charge storage layer; and a control gate electrode on the blocking insulating layer. The tunnel insulating layer may include a first tunnel insulating layer and a second tunnel insulating layer. The first tunnel insulating layer and the second tunnel insulating layer may be sequentially stacked on the semiconductor substrate. The second tunnel insulating layer may have a larger band gap than the first tunnel insulating layer. A method for fabricating a nonvolatile memory device may include: forming a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; forming a charge storage layer on the tunnel insulating layer; forming a blocking insulating layer on the charge storage layer; and forming a control gate electrode on the blocking insulating layer.

    摘要翻译： 非易失性存储器件可以包括：半导体衬底上的隧道绝缘层; 隧道绝缘层上的电荷存储层; 电荷存储层上的阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上的控制栅电极。 隧道绝缘层可以包括第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层。 第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层可以顺序堆叠在半导体衬底上。 第二隧道绝缘层可以具有比第一隧道绝缘层更大的带隙。 非易失性存储器件的制造方法可以包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层; 在隧道绝缘层上形成电荷存储层; 在电荷存储层上形成阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上形成控制栅电极。

    Nonvolatile memory devices and fabricating methods thereof
    6.
    发明授权
    Nonvolatile memory devices and fabricating methods thereof 有权
    非易失存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08614476B2

    公开(公告)日：2013-12-24

    申请号：US13564992

    申请日：2012-08-02

    申请人： Hong-Suk Kim ,  Yong-Seok Kim ,  Hun-Hyeong Lim ,  Ki-Hyun Hwang

    发明人： Hong-Suk Kim ,  Yong-Seok Kim ,  Hun-Hyeong Lim ,  Ki-Hyun Hwang

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

    摘要： Non-volatile memory devices, and fabricating methods thereof, include a floating gate over a substrate, a lower barrier layer including a first lower barrier layer on the upper surface of the floating gate, and a second lower barrier layer on a side surface of the floating gate to have a thickness smaller than a thickness of the first lower barrier layer, an inter-gate dielectric layer over the lower barrier layer, and a control gate over the inter-gate dielectric layer.

    摘要翻译： 非易失性存储器件及其制造方法包括在衬底上的浮置栅极，在浮置栅极的上表面上包括第一下阻挡层的下势垒层和位于浮置栅极的侧表面上的第二下势垒层 浮栅的厚度小于第一下阻挡层的厚度，下阻挡层上的栅极间电介质层和栅极间电介质层上的控制栅极。

    Method of manufacturing a non-volatile memory device
    8.
    发明申请
    Method of manufacturing a non-volatile memory device 有权
    制造非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US20080070368A1

    公开(公告)日：2008-03-20

    申请号：US11902209

    申请日：2007-09-20

    申请人： Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Seung-Jae Baik ,  Sun-Jung Kim ,  Kwang-Min Park ,  In-Sun Yl

    发明人： Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Seung-Jae Baik ,  Sun-Jung Kim ,  Kwang-Min Park ,  In-Sun Yl

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205

    CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7923

    摘要： In a method of manufacturing a non-volatile memory device, a tunnel insulating layer may be formed on a channel region of a substrate. A charge trapping layer including silicon nitride may be formed on the tunnel insulating layer to trap electrons from the channel region. A heat treatment may be performed using a first gas including nitrogen and a second gas including oxygen to remove defect sites in the charge trapping layer and to densify the charge trapping layer. A blocking layer may be formed on the heat-treated charge trapping layer, and a conductive layer may then formed on the blocking layer. The blocking layer, the conductive layer, the heat-treated charge trapping layer and the tunnel insulating layer may be patterned to form a gate structure on the channel region. Accordingly, data retention performance and/or reliability of a non-volatile memory device including the gate structure may be improved.

    摘要翻译： 在制造非易失性存储器件的方法中，隧道绝缘层可以形成在衬底的沟道区上。 可以在隧道绝缘层上形成包括氮化硅的电荷俘获层，以从沟道区捕获电子。 可以使用包括氮气的第一气体和包括氧的第二气体来进行热处理，以去除电荷捕获层中的缺陷位点并致密化电荷捕获层。 可以在热处理的电荷俘获层上形成阻挡层，然后可以在阻挡层上形成导电层。 阻挡层，导电层，热处理电荷捕获层和隧道绝缘层可以被图案化以在沟道区上形成栅极结构。 因此，可以提高包括门结构的非易失性存储器件的数据保持性能和/或可靠性。

    NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
    9.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF 有权
    非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130105880A1

    公开(公告)日：2013-05-02

    申请号：US13564992

    申请日：2012-08-02

    申请人： Hong-Suk Kim ,  Yong-Seok Kim ,  Hun-Hyeong Lim ,  Ki-Hyun Hwang

    发明人： Hong-Suk Kim ,  Yong-Seok Kim ,  Hun-Hyeong Lim ,  Ki-Hyun Hwang

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

    摘要： Non-volatile memory devices, and fabricating methods thereof, include a floating gate over a substrate, a lower barrier layer including a first lower barrier layer on the upper surface of the floating gate, and a second lower barrier layer on a side surface of the floating gate to have a thickness smaller than a thickness of the first lower barrier layer, an inter-gate dielectric layer over the lower barrier layer, and a control gate over the inter-gate dielectric layer.

    摘要翻译： 非易失性存储器件及其制造方法包括在衬底上的浮置栅极，在浮置栅极的上表面上包括第一下阻挡层的下势垒层和位于浮置栅极的侧表面上的第二下势垒层 浮栅的厚度小于第一下阻挡层的厚度，下阻挡层上的栅极间电介质层和栅极间电介质层上的控制栅极。

    Method of manufacturing a non-volatile memory device
    10.
    发明授权
    Method of manufacturing a non-volatile memory device 有权
    制造非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US08114735B2

    公开(公告)日：2012-02-14

    申请号：US11902209

    申请日：2007-09-20

    申请人： Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Seung-Jae Baik ,  Sun-Jung Kim ,  Kwang-Min Park ,  In-Sun Yi

    发明人： Hong-Suk Kim ,  Si-Young Choi ,  Ki-Hyun Hwang ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Seung-Jae Baik ,  Sun-Jung Kim ,  Kwang-Min Park ,  In-Sun Yi

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7923

    摘要： In a method of manufacturing a non-volatile memory device, a tunnel insulating layer may be formed on a channel region of a substrate. A charge trapping layer including silicon nitride may be formed on the tunnel insulating layer to trap electrons from the channel region. A heat treatment may be performed using a first gas including nitrogen and a second gas including oxygen to remove defect sites in the charge trapping layer and to densify the charge trapping layer. A blocking layer may be formed on the heat-treated charge trapping layer, and a conductive layer may then formed on the blocking layer. The blocking layer, the conductive layer, the heat-treated charge trapping layer and the tunnel insulating layer may be patterned to form a gate structure on the channel region. Accordingly, data retention performance and/or reliability of a non-volatile memory device including the gate structure may be improved.

    摘要翻译： 在制造非易失性存储器件的方法中，隧道绝缘层可以形成在衬底的沟道区上。 可以在隧道绝缘层上形成包括氮化硅的电荷俘获层，以从沟道区捕获电子。 可以使用包括氮气的第一气体和包括氧的第二气体来进行热处理，以去除电荷捕获层中的缺陷位点并致密化电荷捕获层。 可以在热处理的电荷俘获层上形成阻挡层，然后可以在阻挡层上形成导电层。 阻挡层，导电层，热处理电荷捕获层和隧道绝缘层可以被图案化以在沟道区上形成栅极结构。 因此，可以提高包括门结构的非易失性存储器件的数据保持性能和/或可靠性。