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    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20160163699A1

    公开(公告)日：2016-06-09

    申请号：US14824896

    申请日：2015-08-12

    申请人： Jung-Gun You ,  Jeong-Hyo Lee

    发明人： Jung-Gun You ,  Jeong-Hyo Lee

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/49 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

    摘要： A semiconductor device is provided as follows. Active fins protrude from a substrate, extending in a first direction. A first device isolation layer is disposed at a first side of the active fins. A second device isolation layer is disposed at a second side of the active fins. A top surface of the second device isolation layer is higher than a top surface of the first device isolation layer and the second side is opposite to the first side. A normal gate extends across the active fins in a second direction crossing the first direction. A first dummy gate extends across the active fins and the first device isolation layer in the second direction. A second dummy gate extends across the second device isolation layer in the second direction.

    摘要翻译： 如下提供半导体器件。 活性翅片从基底突出，沿第一方向延伸。 第一器件隔离层设置在活性鳍片的第一侧。 第二器件隔离层设置在活性鳍片的第二侧。 第二器件隔离层的顶表面高于第一器件隔离层的顶表面，而第二侧与第一侧相反。 正常门在与第一方向交叉的第二方向上延伸穿过活动散热片。 第一伪栅极沿着第二方向跨过活性鳍片和第一器件隔离层延伸。 第二伪栅极在第二方向上跨越第二器件隔离层延伸。

    SEMICONDUCTOR DEVICE
    7.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20160293599A1

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：US14995457

    申请日：2016-01-14

    申请人： Jung-Gun You ,  Hyung-Jong Lee ,  Sung-Min Kim ,  Chong-Kwang Chang

    发明人： Jung-Gun You ,  Hyung-Jong Lee ,  Sung-Min Kim ,  Chong-Kwang Chang

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528

    CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/0649

    摘要： A semiconductor device, including first and second fin patterns separated by a first trench; a gate electrode intersecting the first and second fin patterns; and a contact on at least one side of the gate electrode, the contact contacting the first fin pattern, the contact having a bottom surface that does not contact the second fin pattern, a height from a bottom of the first trench to a topmost end of the first fin pattern in a region in which the contact intersects the first fin pattern being a first height, and a height from the bottom of the first trench to a topmost end of the second fin pattern in a region in which an extension line of the contact extending along a direction in which the gate electrode extends intersects the second fin pattern being a second height, the first height being smaller than the second height.

    摘要翻译： 一种半导体器件，包括由第一沟槽分隔的第一和第二鳍状图案; 与第一和第二鳍状图案相交的栅电极; 以及在所述栅极电极的至少一侧上的触点，所述触点接触所述第一鳍状图案，所述触点具有不接触所述第二鳍状图案的底表面，从所述第一沟槽的底部到最顶端的高度 在第一鳍状物的第一鳍状物与第一鳍状物的第一高度相交的区域中的第一鳍状图案和从第一沟槽的底部到第二鳍状图案的最上端的高度， 沿着栅极延伸的方向延伸的接触部将第二翅片图案与第二高度相交，第一高度小于第二高度。

    SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ASYMMETRIC FIN-SHAPED PATTERN
    8.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ASYMMETRIC FIN-SHAPED PATTERN 有权
    具有不对称精细形状图案的半导体器件

    公开(公告)号：US20160211379A1

    公开(公告)日：2016-07-21

    申请号：US14983904

    申请日：2015-12-30

    申请人： Jung-Gun You ,  Se-Wan Park ,  Baik-Min Sung ,  Bo-Cheol Jeong

    发明人： Jung-Gun You ,  Se-Wan Park ,  Baik-Min Sung ,  Bo-Cheol Jeong

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

    CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

    摘要： Semiconductor devices are provided including a first fin-shaped pattern having first and second sidewalls facing one another and a field insulating film contacting at least a portion of the first fin-shaped pattern. The first fin-shaped pattern includes a lower portion of the first fin-shaped pattern contacting the field insulating film; an upper portion of the first fin-shaped pattern not contacting the field insulating film; a first boundary between the lower portion of the first fin-shaped pattern and the upper portion of the first fin-shaped pattern; and a first fin center line perpendicular to the first boundary and meeting the top of the upper portion of the first fin-shaped pattern. The first sidewall of the upper portion of the first fin-shaped pattern and the second sidewall of the upper portion of the first fin-shaped pattern are asymmetric with respect to the first fin center line.

    摘要翻译： 提供半导体器件，其包括具有彼此面对的第一和第二侧壁的第一鳍状图案和与第一鳍状图案的至少一部分接触的场绝缘膜。 第一鳍状图案包括与场绝缘膜接触的第一鳍状图案的下部; 所述第一鳍状图案的上部不与所述场绝缘膜接触; 第一鳍状图案的下部与第一鳍状图案的上部之间的第一边界; 以及垂直于第一边界并且满足第一鳍状图案的上部的顶部的第一鳍中心线。 第一鳍状图案的上部的第一侧壁和第一鳍状图案的上部的第二侧壁相对于第一翅片中心线是不对称的。

    METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING FIN-SHAPED PATTERNS
    10.
    发明申请
    METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING FIN-SHAPED PATTERNS 有权
    用于制造具有精细形状图案的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20160218180A1

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：US14968999

    申请日：2015-12-15

    申请人： Jung-Gun You ,  Se-Wan PARK ,  Seung-Woo DO ,  In-Won PARK ,  Sug-Hyun SUNG

    发明人： Jung-Gun You ,  Se-Wan PARK ,  Seung-Woo DO ,  In-Won PARK ,  Sug-Hyun SUNG

    IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L21/762 ,  H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

    摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided. The method includes forming a first fin-shaped pattern including an upper part and a lower part on a substrate, forming a second fin-shaped pattern by removing a part of the upper part of the first fin-shaped pattern, forming a dummy gate electrode intersecting with the second fin-shaped pattern on the second fin-shaped pattern, and forming a third fin-shaped pattern by removing a part of an upper part of the second fin-shaped pattern after forming the dummy gate electrode, wherein a width of the upper part of the second fin-shaped pattern is smaller than a width of the upper part of the first fin-shaped pattern and is greater than a width of an upper portion of the third fin-shaped pattern.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍状图案，通过去除第一鳍状图案的上部的一部分形成第二鳍状图案，形成虚拟栅电极 与第二鳍状图案上的第二鳍状图案相交，并且在形成虚拟栅电极之后，通过去除第二鳍状图案的上部的一部分来形成第三鳍​​状图案，其中宽度 第二鳍状图案的上部小于第一鳍状图案的上部的宽度，并且大于第三鳍状图案的上部的宽度。