公开(公告)号：US08383471B1

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US13083916

申请日：2011-04-11

申请人： Keisuke Shinihara ,  Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Paul B. Hashimoto ,  Shawn D. Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Peter J. Willadsen ,  Dean C. Regan

发明人： Keisuke Shinihara ,  Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Paul B. Hashimoto ,  Shawn D. Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Peter J. Willadsen ,  Dean C. Regan

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： A method of fabricating a GaN HEMT includes growing a first epitaxial layer on a substrate, growing a second epitaxial layer on the first epitaxial layer, growing a third epitaxial layer on the second epitaxial layer, depositing a first dielectric film on the third epitaxial layer, using dielectric films to form a first sidewall dielectric spacer, forming a sidewall gate adjacent the first sidewall dielectric spacer. The sidewall gate may be made to be less than 50 nm in length.

摘要翻译： 制造GaN HEMT的方法包括在衬底上生长第一外延层，在第一外延层上生长第二外延层，在第二外延层上生长第三外延层，在第三外延层上沉积第一电介质膜， 使用介电膜形成第一侧壁电介质间隔件，形成邻近所述第一侧壁电介质间隔物的侧壁门。 侧壁浇口的长度可以小于50nm。

公开(公告)号：US08728884B1

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US12510687

申请日：2009-07-28

申请人： Tahir Hussain ,  Miroslav Micovic ,  Wah S. Wong ,  Shawn D. Burnham

发明人： Tahir Hussain ,  Miroslav Micovic ,  Wah S. Wong ,  Shawn D. Burnham

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462

摘要： A method of fabricating a normally “off” GaN heterostructure field effect transistor having a source and a drain including depositing a passivation layer patterned to cover a channel region between a source and a drain, forming a first opening in the passivation layer, the first opening for defining a gate area in the channel region and the first opening having a first length dimension along a direction of current flow between the source and the drain, and implanting ions in an implant area within the gate area, wherein the implant area has a second length dimension along the direction of current flow shorter than the first length dimension.

摘要翻译： 一种制造具有源极和漏极的正常“关闭”GaN异质结构场效应晶体管的方法，包括沉积图案化以覆盖源极和漏极之间的沟道区域的钝化层，在钝化层中形成第一开口，第一开口 用于在所述沟道区域中限定栅极区域，并且所述第一开口沿着所述源极和漏极之间的电流流动的方向具有第一长度尺寸，以及将离子注入所述栅极区域内的注入区域中，其中所述植入区域具有第二 沿着电流流动方向的长度尺寸短于第一长度尺寸。

公开(公告)号：US08653559B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13171798

申请日：2011-06-29

申请人： Andrea Corrion ,  Karim S. Boutros ,  Mary Y. Chen ,  Samuel J. Kim ,  Rongming Chu ,  Shawn D. Burnham

发明人： Andrea Corrion ,  Karim S. Boutros ,  Mary Y. Chen ,  Samuel J. Kim ,  Rongming Chu ,  Shawn D. Burnham

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A field effect transistor (FET) includes source and drain electrodes, a channel layer, a barrier layer over the channel layer, a passivation layer covering the barrier layer for passivating the barrier layer, a gate electrode extending through the barrier layer and the passivation layer, and a gate dielectric surrounding a portion of the gate electrode that extends through the barrier layer and the passivation layer, wherein the passivation layer is a first material and the gate dielectric is a second material, and the first material is different than the second material.

摘要翻译： 场效应晶体管（FET）包括源极和漏极，沟道层，沟道层上的势垒层，覆盖阻挡层以钝化势垒层的钝化层，延伸穿过阻挡层的栅电极和钝化层 以及围绕所述栅电极的延伸穿过所述阻挡层和所述钝化层的部分的栅极电介质，其中所述钝化层是第一材料，并且所述栅极电介质是第二材料，并且所述第一材料不同于所述第二材料 。

公开(公告)号：US20130328061A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13604983

申请日：2012-09-06

申请人： Rongming Chu ,  Brian Hughes ,  Andrea Corrion ,  Shawn D. Burnham ,  Karim S. Boutros

发明人： Rongming Chu ,  Brian Hughes ,  Andrea Corrion ,  Shawn D. Burnham ,  Karim S. Boutros

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/24 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7787

摘要： A normally-off transistor includes a channel layer, an electron supply layer overlaying the channel layer, a source electrode and a drain electrode on the electron supply layer, an area in the electrode supply layer between the source electrode and the drain electrode treated with a fluoride based plasma followed by a chlorine based plasma treatment, a gate insulator overlaying the area, and a gate electrode overlaying the gate insulator.

摘要翻译： 常闭晶体管包括沟道层，覆盖沟道层的电子供应层，电子供应层上的源极和漏电极，源电极和漏电极之间的电极供应层中的区域 氟化物基等离子体，然后进行氯基等离子体处理，覆盖该区域的栅极绝缘体和覆盖栅极绝缘体的栅电极。

公开(公告)号：US20130001646A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13171798

申请日：2011-06-29

申请人： Andrea Corrion ,  Karim S. Boutros ,  Mary Y. Chen ,  Samuel J. Kim ,  Rongming Chu ,  Shawn D. Burnham

发明人： Andrea Corrion ,  Karim S. Boutros ,  Mary Y. Chen ,  Samuel J. Kim ,  Rongming Chu ,  Shawn D. Burnham

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A field effect transistor (FET) includes source and drain electrodes, a channel layer, a barrier layer over the channel layer, a passivation layer covering the barrier layer for passivating the barrier layer, a gate electrode extending through the barrier layer and the passivation layer, and a gate dielectric surrounding a portion of the gate electrode that extends through the barrier layer and the passivation layer, wherein the passivation layer is a first material and the gate dielectric is a second material, and the first material is different than the second material.

摘要翻译： 场效应晶体管（FET）包括源极和漏极，沟道层，沟道层上的势垒层，覆盖阻挡层以钝化势垒层的钝化层，延伸穿过阻挡层的栅电极和钝化层 以及围绕所述栅电极的延伸穿过所述阻挡层和所述钝化层的部分的栅极电介质，其中所述钝化层是第一材料，并且所述栅极电介质是第二材料，并且所述第一材料不同于所述第二材料 。